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同步PFM升压DC/DC转换器—AP2203
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500kHz,5A同步整流升压转换器--AP2007
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超低待机功耗交直流转换芯片--PN8147T
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650V高雪崩能力宽输出范围非隔离交直流转换芯片--PN8046
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内置电压降极低的功率MOSFET的高性能同步整流器--PN8306M
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集成高压启动的同步整流控制器--PN8300
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六级能效超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370M
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内部集成了脉宽调制控制器交直流转换芯片--PN8147
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非隔离超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8368
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高雪崩能力宽输出范围非隔离交直流转换芯片-PN8034M
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原边反馈机顶盒开关电源适配器电源芯片-PN8386
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原边反馈6级能效充电器驱动芯片-PN8235
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高精度CC/CV原边反馈交直流转换器-PN8356
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非隔离高效率交直流转换芯片-PN8026R
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12W原边反馈电源管理芯片-PN8360
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超低待机功耗交直流转换芯片--PN8149
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外围元器件精简,高精度CC/CV原边反馈交直流转换器--PN8355
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12W LED驱动芯片-芯朋微PN8136
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18V输出非隔离超低待机功耗转换芯片-芯朋微PN8126F
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非隔离12V3.6W开关电源转换芯片-芯朋微PN8024R
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非隔离辅助电源,超低待机功耗高效率交直流转换芯片--GDMP18
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反激高效率交直流转换芯片--PN8024A
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内置BJT六级能效交直流转换器--PN8571
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外围元器件精简,准谐振原边反馈交直流转换器--PN8370F
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快速启动,超低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045
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外围元器精简,小功率非隔离开关电源--AP8506
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实现系统快速启动、超低待机功能交直流转换芯片--PN8006
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内置高压启动电路,原边反馈交直流转换器--PN6775H
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采用多模式技术提高效率,隔离式原边反馈转换器--PN6780H
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适用于小家电,高性能外围元器件精简的充电器电源芯片--PN6770H
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系统快速启动、超低待机功能的非隔离交直流转换芯片--PN8505A
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内置500V高压启动与自供电模块转换芯片--AP8005A
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外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源的芯片--PN8395H
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完整的智能化保护功能的交直流转换芯片--AP8507
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用于大功率电源,X电容放电专用芯片--PN8200
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用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源转换器--PN6775
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全电压输入范围±5%的CC/CV精度交直流转换器--PN8370Q
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典型720V高雪崩能力智能功率MOSFET--PN6365
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内置智能高压启动模块交直流转换芯片--PN6649H
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内置高压启动电路交直流转换器--PN6795C
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集成PFM控制器及650V高雪崩能力非隔离转换芯片--PN8054
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专做印度市场,内置800V BJT,低成本原边反馈电源芯片--MD70H
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专用于高性能,内置650V高雪崩能力的功率MOSFET--PN6147
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内置700V高雪崩能力智能功率MOSFET--PN6013
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超低待机功耗原边反馈交直流转换器--PN8680M
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支持连续电流模式内置功率MOS的同步整流器--PN8308H
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高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET--PN8360P
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外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源芯片--PN8011
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固定5V输出的非隔离交直流转换芯片--AP8505M
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固定5V输出非隔离交直流转换芯片--PN8007
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内置自供电模块的交直流转换芯片--AP8013B
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650V原边反馈交直流转换器--PN8386P
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650V高雪崩能力智能功率MOSFET--PN8386F
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非隔离交直流转换芯片--PN8034C
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650V高性能非隔离交直流辅助芯片--PN8034A
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集成了脉宽调制,低待机功耗离线式电源控制IC--MD12H
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满足六级能效超低待机功耗交直流转换芯片--PN8147H
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基于高压同步整流架构固定5V输出的非隔离交直流转换芯片--AP8505
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支持连续模式内置功率MOS的同步整流器--PN8308L
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外围元器件精简超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器--PN8370P
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集成PFM控制器及500V高可靠性MOSFET--AP8003
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+集成PFM控制器宽输出范围非隔离交直流转换芯--PN8038M
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超低待机功耗高效率交直流转换芯片--PN8124F
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内置BJT六级能效准谐振原边反馈交直流转换器--PN8570
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外围元器件精简超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器--PN8370P
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超低待机功耗多模式准谐振原边反馈交直流转换器--PN8395
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200V耐压DC-DC隔离转换器--PN6380
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零待机模式超低相线电流原边反馈交直流转换器--PN6367
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智能功率MOSFET超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器--PN8366M/H
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1MHz,微功率同步升压型转换器--AP2000
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1MHz,2A升压转换器--AP2008
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1A限流负载开关电源芯片--AP1610
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封装体积小,降压型恒流恒压电源管理芯片--GDMC2112
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低噪声4.5A升压电流模式 PWM转换器--AP2005
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集成USB协议高压快充协议的电源管理SOC--IP2712T
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集成Type-C PD3.0(PPS)等14种快充协议的降压芯片--IP6527
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用于USB TypeC端口的快充协议IC--IP2723
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集成双口Type-C PD3.0(PPS)等14种快充协议的输出SOC   IC--IP6528
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应用于车载充电器,用于USB端口的快充协议芯片--IP2183
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最大输出 3.4A,集成 DCP输出协议的降压SOC--IP6523S
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3A充电3.1A放电集成TYPE_C协议移动电源--IP5310
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5~20V 功率集成USB TYPEC PD2.0/PD3.0 协议用于USB TYPEC 输入端口的快充协议IC--IP2721
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最大输出4.8A,集成双口DCP协议的输出SOC IC--6528
最大输出4.8A,集成双口DCP协议的输出SOC IC--6528
集成双口DCP协议的输出SOC IC芯片--6515
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集成10种协议、用于USB端口的快充协议IC--IP2707
集成10种协议、用于USB端口的快充协议IC--IP2707
2.4A集成10种协议,用于USB端口的快充协议IC--IP2703
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集成8种协议、用于USB 端口的快充协议IC Type-C DFP--IP2701
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支持DCP充电协议的低内阻限流开关--IP2687
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集成输入快充协议的单节锂电池同步开关降压4.8A 充电IC--IP2315
集成输入快充协议的单节锂电池同步开关降压4.8A 充电IC--IP2315
最大输出18W,集成快充输出协议(DCP/QC2.0/QC3.0/FCP/AFC)的降压SOC--IP6525T
最大输出18W,集成快充输出协议(DCP/QC2.0/QC3.0/FCP/AFC)的降压SOC--IP6525T
集成12 种协议、用于USBC 端口的快充协议 IC--IP2188
集成12 种协议、用于USBC 端口的快充协议 IC--IP2188
集成 9 种协议、用于 USB 端口的快充协议 IC--IP2183
集成 9 种协议、用于 USB 端口的快充协议 IC--IP2183
18W功率控制集成9 种协议、用于USB 端口的快充协议 IC--IP2163
18W功率控制集成9 种协议、用于USB 端口的快充协议 IC--IP2163
集成USB TYPE-C PD3.0、QC3.0/2.0/MTK 高压快充协议的电源管理SOC--IP2716
集成USB TYPE-C PD3.0、QC3.0/2.0/MTK 高压快充协议的电源管理SOC--IP2716
兼容DCP识别功能,高压快充协议的电源管理 SOC—IP2712
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集成7种协议、用于USB端口的快充协议芯片—IP2161
集成7种协议、用于USB端口的快充协议芯片—IP2161
QC2.0快充控制IC—RZC7100S(T)
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USB专用充电端口控制器—RZC7512
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同步PFM升压DC/DC转换器—AP2203
同步PFM升压DC/DC转换器—AP2203
AP2203系列是PFM控制的开关型DC/DC升压稳压芯片,其内部主要由参考电压基准,振荡器,比较器组成,输出电压纹波低,转换效率高,带载能力强。AP2203外围仅需一个电感和一个电容。当CONT点电压超过限定值时保护电路会关断内置场效应管以防止器件损坏。其保护特性及小封装和低功耗特性非常适合应用于便捷式产品...
内置800V高压启动宽输出范围非隔离交直流转换芯片—PN8016
内置800V高压启动宽输出范围非隔离交直流转换芯片—PN8016
PN8016集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源, 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8016内置800V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8...
830V高雪崩能力超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8366
830V高雪崩能力超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8366
PN8366集成超低待机功耗准谐振原边控制器及830V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC )小于30mW。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术提高效率并...
500kHz,5A同步整流升压转换器--AP2007
500kHz,5A同步整流升压转换器--AP2007
AP2007是一款紧凑型,高效率同步升压转换器,内置功率MOSFET,在关闭输出时实现真正关断功能。AP2007静态电流仅为70uA(典型值),空载或轻载时,AP2007为高效节能的PFM工作模式。当负载大于150mA时,采用500KHz固定频率PWM工作模式。内部补偿的电流控制模式实现快速瞬态响应。
高精度内置高压启动PSR无辅助绕组LED恒流驱动芯片—PN8328
高精度内置高压启动PSR无辅助绕组LED恒流驱动芯片—PN8328
PN8328包括高精度的恒流原边控制器及功率MOSFET,专用于高可靠、隔离双绕组、极精简外围元器件的中小功率LED照明,该芯片工作在原边调整模式,可省略光耦、TL431,采用了快速DMOS自供电的专利技术可节省变压器辅助绕组和高压启动电阻。该芯片提供了极为全面的自恢复保护功能,包含逐周期过流保护、开环保护、...
超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器--PN6370P
超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器--PN6370P
PN6370P集成超低待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6370P为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC )小于30mW。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术提高效率...
超低待机功耗交直流转换芯片--PN8147T
超低待机功耗交直流转换芯片--PN8147T
PN8147T内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能,包括周期式过流保护(外部可调)、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率模式...
集成了脉宽调制控制器超低待机功耗的交直流转换芯片--PN8145T
集成了脉宽调制控制器超低待机功耗的交直流转换芯片--PN8145T
PN8145T内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能,包括周期式过流保护(外部可调)、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率模式...
5A 800V N沟道增强型场效应管--SVF5N80F/T/MJ/K
5A 800V N沟道增强型场效应管--SVF5N80F/T/MJ/K
SVF5N80F/T/MJ/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM...
690V高雪崩能力超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN6370M
690V高雪崩能力超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN6370M
PN6370M六级能效集成超低待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6370M为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC )小于30mW。
用于高性能反激系统内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306
用于高性能反激系统内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306
PN8306包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度。
专用于高性能、外围元器件精简超低待机功耗交直流转换芯片--PN8135H
专用于高性能、外围元器件精简超低待机功耗交直流转换芯片--PN8135H
PN8135H内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能,包括周期式过流保护(外部可调)、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率模式...
超低待机功耗准谐振交直流转换芯片-PN8160
超低待机功耗准谐振交直流转换芯片-PN8160
PN8160 内部集成了电流模式控制器和功率MOSFET,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源,该芯片提供了极为全面和性能优优异的智能化保护功能,包括周期式过流保护,过载保护,软启动功能。通知QR+PWM, QR+PFM,Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低...
650V高雪崩能力宽输出范围非隔离交直流转换芯片--PN8046
650V高雪崩能力宽输出范围非隔离交直流转换芯片--PN8046
PN8046集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8046内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护, 欠压保护,过温保护。另外PN8046的降频调制技术有助于改善EMI特性...
用于高性能,高精度CC CV原边反馈交直流转换器--PN8232
用于高性能,高精度CC CV原边反馈交直流转换器--PN8232
PN8232是一款高精度的恒压、恒流原边控制器。用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。PN8232工作在原边调整模式,可省略光耦和TL431。该芯片提供了极为全面的自恢复保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS电阻开/短路保护等。极低的芯片启动电流能够满足较高的...
具有软启动功能超低待机功耗交直流转换芯片--PN8135
具有软启动功能超低待机功耗交直流转换芯片--PN8135
PN8135内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能,包括周期式过流保护(外部可调)、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率模式混...
内置电压降极低的功率MOSFET的高性能同步整流器--PN8306M
内置电压降极低的功率MOSFET的高性能同步整流器--PN8306M
PN8306M包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306M内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度。
集成高压启动的同步整流控制器--PN8300
集成高压启动的同步整流控制器--PN8300
PN8300是一款内置高压启动同步整流控制器,通过外驱N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特 基二极管,以提升系统的转换效率。 PN8300处于开关工作模式,只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。当芯片检测到VDET<-400mV,控制器驱动外 部的功率MOSFET开启;当芯...
具有保护功能的门极驱动芯片--PN7003
具有保护功能的门极驱动芯片--PN7003
PN7003是一款可以提供大电流输出、方便易用的智能化IGBT驱动,该芯片集成了欠压锁定、过压锁定、IGBT导通时间 控制、IGBT SOA保护以及故障后“软关断”等功能,保障IGBT安全工作。并且PN7003可与MCU进行故障通信,将故障信号反 馈给MCU,同时接收MCU唤醒或重置信号。
六级能效超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370M
六级能效超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370M
PN8370M集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC ) 小于30mW。
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