同步PFM升压DC/DC转换器—AP2203

AP2203系列是PFM控制的开关型DC/DC升压稳压芯片，其内部主要由参考电压基准，振荡器，比较器组成，输出电压纹波低，转换效率高，带载能力强。AP2203外围仅需一个电感和一个电容。当CONT点电压超过限定值时保护电路会关断内置场效应管以防止器件损坏。其保护特性及小封装和低功耗特性非常适合应用于便捷式产品...

内置800V高压启动宽输出范围非隔离交直流转换芯片—PN8016

PN8016集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源， 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8016内置800V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8...

830V高雪崩能力超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8366

PN8366集成超低待机功耗准谐振原边控制器及830V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并...

500kHz,5A同步整流升压转换器--AP2007

AP2007是一款紧凑型，高效率同步升压转换器，内置功率MOSFET,在关闭输出时实现真正关断功能。AP2007静态电流仅为70uA(典型值)，空载或轻载时，AP2007为高效节能的PFM工作模式。当负载大于150mA时，采用500KHz固定频率PWM工作模式。内部补偿的电流控制模式实现快速瞬态响应。

高精度内置高压启动PSR无辅助绕组LED恒流驱动芯片—PN8328

PN8328包括高精度的恒流原边控制器及功率MOSFET，专用于高可靠、隔离双绕组、极精简外围元器件的中小功率LED照明，该芯片工作在原边调整模式，可省略光耦、TL431，采用了快速DMOS自供电的专利技术可节省变压器辅助绕组和高压启动电阻。该芯片提供了极为全面的自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、开环保护、...

超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器--PN6370P

PN6370P集成超低待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6370P为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率...

超低待机功耗交直流转换芯片--PN8147T

PN8147T内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率模式...

集成了脉宽调制控制器超低待机功耗的交直流转换芯片--PN8145T

PN8145T内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率模式...

5A 800V N沟道增强型场效应管--SVF5N80F/T/MJ/K

SVF5N80F/T/MJ/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器，高压H桥PWM...

690V高雪崩能力超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN6370M

PN6370M六级能效集成超低待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6370M为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ）小于30mW。

用于高性能反激系统内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306

PN8306包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度。

专用于高性能、外围元器件精简超低待机功耗交直流转换芯片--PN8135H

PN8135H内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率模式...

超低待机功耗准谐振交直流转换芯片-PN8160

PN8160 内部集成了电流模式控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源，该芯片提供了极为全面和性能优优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护，过载保护，软启动功能。通知QR+PWM, QR+PFM,Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低...

650V高雪崩能力宽输出范围非隔离交直流转换芯片--PN8046

PN8046集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8046内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护， 欠压保护，过温保护。另外PN8046的降频调制技术有助于改善EMI特性...

用于高性能,高精度CC CV原边反馈交直流转换器--PN8232

PN8232是一款高精度的恒压、恒流原边控制器。用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。PN8232工作在原边调整模式，可省略光耦和TL431。该芯片提供了极为全面的自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS电阻开/短路保护等。极低的芯片启动电流能够满足较高的...

具有软启动功能超低待机功耗交直流转换芯片--PN8135

PN8135内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率模式混...

内置电压降极低的功率MOSFET的高性能同步整流器--PN8306M

PN8306M包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306M内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度。

集成高压启动的同步整流控制器--PN8300

PN8300是一款内置高压启动同步整流控制器，通过外驱N型功率MOSFET，用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特 基二极管，以提升系统的转换效率。 PN8300处于开关工作模式，只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。当芯片检测到VDET<-400mV，控制器驱动外 部的功率MOSFET开启；当芯...

具有保护功能的门极驱动芯片--PN7003

PN7003是一款可以提供大电流输出、方便易用的智能化IGBT驱动，该芯片集成了欠压锁定、过压锁定、IGBT导通时间 控制、IGBT SOA保护以及故障后“软关断”等功能，保障IGBT安全工作。并且PN7003可与MCU进行故障通信，将故障信号反 馈给MCU，同时接收MCU唤醒或重置信号。

六级能效超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370M

PN8370M集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ） 小于30mW。