高压、高速600V高压栅极驱动IC-ID2304D可兼容L6388
产品分类： 电机驱动芯片
ID2304D是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下。可用于驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT构成的半桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3.3V。具有大电流输出能力，输入端具有有效电平逻辑互锁功能，能够有效的防止输出功率管共态导通。芯片良好的延时匹配功能可以轻松的适用于高频应用场合。
订购热线：18929103949
高压、高速600V高压栅极驱动IC-ID2304D可兼容L6388
一、概述
ID2304D是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下。可用于驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT构成的半桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3.3V。具有大电流输出能力，输入端具有有效电平逻辑互锁功能，能够有效的防止输出功率管共态导通。芯片良好的延时匹配功能可以轻松的适用于高频应用场合。
二、产品特性
高侧浮动偏移电压600V
输入信号兼容3.3V和5V逻辑电平
dV/dt抗干扰能力+50 V/nsec
Vs负偏压至-7V
芯片工作电压范围10V~20V
高低侧均具有欠压保护功能
输出拉灌电流能力300mA/500mA
高低侧通道延时匹配
死区时间典型值为120ns
内置自举二极管
输入信号兼容3.3V和5V逻辑电平
dV/dt抗干扰能力+50 V/nsec
Vs负偏压至-7V
芯片工作电压范围10V~20V
高低侧均具有欠压保护功能
输出拉灌电流能力300mA/500mA
高低侧通道延时匹配
死区时间典型值为120ns
内置自举二极管
三、应用
中小型功率电机驱动
功率MOSFET或IGBT驱动
半桥功率逆变器
全桥功率逆变器
互补驱动转换器
四、封装/订购信息
五、典型应用电路
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销售部电话：0769-81150556
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