NSG21867 国硅集成700V 大电流高、低侧 MOSFET/IGBT驱动芯片
NSG21867国硅集成700V大电流高、低侧MOSFET/IGBT驱动芯片
一、产品概述
二、产品特征
自举工作的浮动通道
最高工作电压为700V
兼容3.3V, 5V和15V输入逻辑
dV/dt耐受能力可达±50V/nsec
Vs负压耐受能力达-9V
栅极驱动电压：10V到20V
高、低侧欠压锁定电路
--欠压锁定正向阈值6V
--欠压锁定负向阈值5.5V
芯片开通/关断传输延时
--Ton/Toff=150ns/150ns
高低侧延时匹配
驱动电流能力：
----拉电流/灌电流=4.0A/4.0A
符合RoSH标准
SOIC8(S)
三、应用范围
电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器驱动程序
四、器件信息
五、简化示意图
NSG21867高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片方案应用资料及参考手册请咨询国硅集成代理商东莞市中铭电子，专业的FAE提供技术支持服务
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