一、产品概述

1.1. 说明
TX8C1261是一款高性能低功耗的8051内核MCU，工作主频最高为48MHz，内置16K字节LogicFlash存储器（支持类EEPROM功能），2K字节SRAM。
模拟资源：
1个12位500KSPS的SARADC、2个多功能比较器，3个运算放大器。
定时器资源：
6个16位高级定时器（3对互补PWM、带死区控制或6路独立PWM）、
5个16位通用定时器（都支持Capture、Count、PWM功能）、
1个16位唤醒定时器 (都支持Capture、Count、PWM功能）、
1个8位蜂鸣器（支持PWM、Count功能）、
1个看门狗定时器。
标准的通信接口：
1个SPI接口、1个IIC接口和2个UART接口（其中UART1支持DMA工作方式）。
LED显示功能：
支持多达8COM x 12SEG。
GPIO：
内置30K上下拉电阻，多个驱动档位可配置，每个IO都可以作为ADC的输入，每个IO都可以作为IO中断唤醒口。
支持宽范围电压供电，工作电压为2.4V~5.5V（可以支持电池应用场景），工作温度范围-40℃~+105℃。多种省电工作模式保证低功耗应用的要求，最低功耗模式<5uA。
TX8C1261提供SOP16、SSOP20、TSSOP20、QFN20、QFN24、SSOP24、SSOP28等多种封装形式，根据不同的封装形式，器件中的外设资源配置不尽相同。
应用场合：
 小家电产品
 玩具
 电子烟
 蓝牙充电仓、无线充
 覆盖003系列MCU产品的应用

 

1.2. 特性
 内核

-超高速8051内核（1T）

-指令全兼容传统8051

-工作最大主频：48MHz

-32个中断源，支持硬件两级优先级

-支持在线调试接口

-支持代码加密

-支持带电烧录
 工作电压

-2.4V~5.5V宽电压范围供电
 存储器

-16K字节LogicFlash存储器，用于存储用户代码，并且支持类EEPROM（擦写次数典型值10万次）

-2K字节RAM
 时钟

-内部1~48MHz高精度HIRC，支持校准（误差±1%）

-内部64KHz低速LIRC，支持校准（误
-外部32.768KHz/8~40MHz晶振，需要外部加电容
 复位

-上电复位

-欠压复位

-复位脚复位

-看门狗溢出复位

-LVD低压检测复位，提供8级低压检测电压（2.0/2.2/2.4/2.7/3.0/3.7/4.0/4.3V）
 数字外设

-1个SPI高速串行接口，支持主从模式

-1个I2C接口，支持多主和从机模式

-2个UART接口，最大支持4Mbps
 定时器资源

-6个16位高级定时器，支持3对互补输出，支持死区插入和事件刹车功能，支持单脉冲模式。或支持6个独立PWM输出

-5个16位通用定时器，都支持Capture、Count、PWM功能

-1个16位唤醒定时器

-1个8位蜂鸣器定时器

-1个看门狗定时器
 LED显示功能

-支持多达8COM x 12SEG
 高安全性

-支持32 bit CRC效验，保证数据准确性
 低功耗

-支持IDLE、STOP、SLEEP低功耗模式

-静态功耗5uA（@25℃，5V供电），3uA(@25℃，3.3V供电)

-低功耗唤醒时间小于100us

 1个高精度12 位模数转换器（ADC）

-转换时钟最快支持10MHz，最大采样率500KSPS

-失调校正step 2mV，DNL +-2 INL +-4

-外部输入通道任意IO可选，2个模拟通路

-ADC有效位约10bit（5V稳压器供电，ADC通过内部开关接到芯片的VCC，以此电压作为ADC的参考电压，ADC满量程等于VCC）

 2个模拟比较器(ACMP)

-2个低失调比较器，校正step 1mV

-比较器支持负端输入精准BG或者VDDADC的120个分压档位

-两个比较器都支持轨道轨输入模式，正端支持6个GPIO，负端支持2个GPIO
 3个可编程增益放大器

-3个可编程高增益放大器，多级可配置增益（1/2/4/8/16/32/64/128/256/512）

-支持OP工作模式，外接电阻调节放

 GPIO

-所有端口均可输入输出5V信号

-均支持上升沿/下降沿/双边沿中断

-均支持上/下拉电阻功能

-均支持唤醒功能

-可编程驱动能力，驱动电流范围4mA~64mA，每个档位调节4mA。

-支持OD输出低/高模式。

-支持独立控制的上下拉电阻

 高可靠性

-ESD HBM 6KV

-Latch-up±200mA @25℃

 96位的芯片唯一 ID（UID）
 封装

-SSOP20/TSSOP20/SSOP24/SSOP28

-QFN20/QFN24
 工作温度范围

- -40℃~+105℃

1.3. 功能框图