国硅集成G2063Q 250V1.5A三相高低侧功率MOSFET/IGBT电机驱动芯片

一、产品概述

G2063Q是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2063Q逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。G2063Q的浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 250V。G2063Q为QFN4X4-24封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

二、产品特性

自举工作的浮地通道
最高工作电压为+250V
兼容3.3/5V输入逻辑
dVS/dt耐受能力可达±50V/ns
Vs负偏压能力达-9V
栅极驱动电压范围5V至20V
高、低侧电源4.5V欠压锁定
高、低侧输入输出同相逻辑
防直通死区逻辑
 --死区时间设定200ns
芯片传输延时特性
 --开通/关断传输延时Ton/Toff=150ns/120ns
 --延迟匹配时间小于50ns
宽温度范围-40~125°C
输出级拉电流/灌电流能力1.5A/1.8A
符合RoSH标准

三、应用

电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器驱动

四、器件信息

五、简化示意图

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