国硅代理商250V4A 单相高低侧功率栅极驱动芯片NSG2023
产品分类： 栅极驱动IC
NSG2023是一款高压、高速功率MOSFET高低侧栅极驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2023采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。NSG2023集成有自举二极管，对高侧进行充电，简化了芯片外围电路。NSG2023其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。NSG2023采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。
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国硅代理商250V4A单相高低侧功率栅极驱动芯片NSG2023
一、概述
NSG2023是一款高压、高速功率MOSFET高低侧栅极驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2023采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。NSG2023集成有自举二极管，对高侧进行充电，简化了芯片外围电路。NSG2023其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。NSG2023采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。
二、特性
自举工作的浮地通道
最高工作电压为+250V
兼容3.3V, 5V和15V输入逻辑
dVS/dt耐受能力可达±50V/ns
Vs负偏压能力达-9V
栅极驱动电压从6V到20V
防直通死区逻辑
最高工作电压为+250V
兼容3.3V, 5V和15V输入逻辑
dVS/dt耐受能力可达±50V/ns
Vs负偏压能力达-9V
栅极驱动电压从6V到20V
防直通死区逻辑
--死区时间设定250ns
芯片传输延时特性
芯片传输延时特性
--开通/关断传输延时Ton/Toff=150ns/150ns
--延迟匹配时间50ns
宽温度范围-40°C~125°C
输出级拉电流/灌电流能力4A/4A
集成自举二极管
符合RoSH标准
SOIC8 (S）
宽温度范围-40°C~125°C
输出级拉电流/灌电流能力4A/4A
集成自举二极管
符合RoSH标准
SOIC8 (S）
三、应用
电机控制
空调/洗衣机
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器驱动
微型逆变器驱动
四、器件信息
五、典型电路
NSG2023是国硅集成推出的250V单相高低侧栅极驱动芯片，核心特点为4A/4A对称驱动、集成自举二极管与250ns死区、强抗扰与宽压保护，可直接替换UCC27282，适配半桥 MOSFET/IGBT，适合逆变器、电机驱动与开关电源等高频高压场景。NSG2023栅极驱动芯片方案应用资料及参考手册请咨询国硅集成代理商东莞市中铭电子，专业的FAE提供技术支持服务。
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