国硅集成300V带过流检测单通道高侧栅极驱动芯片NSG21276

一、概述

NSG21276是一款带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。NSG21276采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。NSG21276其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达300V。NSG21276采用SOIC8封装，可以在-40'C至125℃温度范围内工作。

二、产品特性

自举工作的浮地通道
最高工作电压为+300V
兼容3.3V,5V和15V输入逻辑
dVs/dt耐受能力可达±50V/ns
Vs负偏压能力达-5V
输入输出同相位
栅极驱动电压：--从8V到22V
栅极驱动拉/灌电流4A/4A
集成欠压锁定电路：-欠压阈值6.8V/7.2V
芯片传输延时特性：-开通/关断传输延时Ton/Toff=150ns/150ns
宽温度范围-40°C~125°C
Fault引脚故障输出
符合RoSH标准
SOIC8 (S)

三、应用范围

电机控制和驱动
机器人技术
电动汽车快速充电

四、器件信息

五、简化示意图