国硅集成650V N+N半桥驱动芯片NSG6388用于电机控制、电源逆变器等产品

NSG6388 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG6388采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG6388其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工...

国硅集成200V、1A高压、高速半桥栅极驱动芯片XJNG2102

XJNG2102是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。XJNG2102采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。XJNG2102其浮动通道可用于驱...

国硅集成700V带使能和故障报告的三相半桥驱动芯片NSG21363

NSG21363是N型高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧三相栅极驱动芯片，包含三路独立的半桥驱动电路。内部集成了欠压保护和过流保护功能，出现异常时立即关断六通道输出。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。通过连接到RCIN输入的RC网络在外部编程延时后，过电流故障情况自动清除。NSG21363集成有自...

国硅集成授权代理商700V带使能和故障报告的三相半桥驱动芯片NSG6060

NSG6060是N型高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧三相栅极驱动芯片，包含三路独立的半桥驱动电路。内部集成了欠压保护和过流保护功能，出现异常时立即关断六通道输出。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。通过连接到RCIN输入的RC网络在外部编程延时后，过电流故障情况自动清除。NSG6060集成有自举二...

国硅300V单通道高侧驱动芯片NSG21281可替代IR2128 用于电机控制

NSG21281是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。NSG21281采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出...

国硅集成700V、4A全桥栅极驱动芯片NSG2113直接替代IR2110S

NSG2113是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道NSG2113的逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高...

国硅集成代理商单相高低侧功率隔离栅极驱动芯片NSG2005

NSG2005 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱 动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 NSG2005采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电 路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的 CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲 能力。NSG2005其浮动通道可用于驱动...

250V1.2A单相高低侧功率栅极驱动芯片G2021应用于微型逆变器驱动

G2021是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2021采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL 逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。G2021其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功...

国硅代理商250V1.2A单相高低侧功率G2020栅极驱动ic应用电机控制

G2020是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2020采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL 逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。G2020其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功...

国硅集成700V大电流高侧栅极驱动芯片NSG21851应用空调/洗衣机控制

NSG21851是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高侧驱动芯片。内部集成了高侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET...

国硅集成代理商单相高侧功率栅极驱动芯片NSG2117应用逆变器驱动

NSG2117是一款高压、高速功率MOSFET高侧驱动芯片。NSG2117逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG2117其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达700V。NSG2117采用SOP8封装，可以在-40°℃至125℃温度范围内工作。

国硅集成300V单通道高侧隔离栅极驱动芯片NSG2127应用于电动汽车快速充电

NSG2127是一组带过流检测的高电压、高速单通道高 侧MOSFET/IGBT驱动芯片。NSG2127采用高低压兼 容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出...

国硅集成三相半桥栅极驱动芯片NSG2136应用微型逆变器驱动

NSG2136是N型高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧三相栅极驱动芯片，包含三路独立的半桥驱动电路。内部集成了欠压保护和过流保护功能，出现异常时立即关断六通道输出。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。通过连接到RCIN输入的RC网络在外部编程延时后，过电流故障情况自动清除。NSG2136集成有自举二...

国硅集成代理商高压半桥式栅极驱动芯片NSG27710

NSG27710是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG27710采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG27710其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最...

国硅集成双通道2A超高速栅极驱动IC-NSG4427

NSG4427是功率开关系列驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG4427在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG4427不会受到损坏。NSG4427可以接受高达500mA的反向电流强制返回其...

国硅集成电路7A/500V 半桥IPM模块NSH705M1PC

NSH705M1PC是一款7A、500V半桥智能功率模块，专为电机驱动应用设计。该模块集成了7A/500V MOSFET栅极驱动器与自举升压功能，采用紧凑的ESOP13封装，可灵活应用于单相及三相直流无刷电机驱动系统。

国硅集成电路5A/650V 智能功率模块IPM-NSH506B0PC

NSH506B0PC是一款5A、650V半桥智能功率模块，专为电机驱动应用设计。该模块集成了5A/650V MOSFET栅极驱动器与自举升压功能，采用紧凑的ESOP13封装，可灵活应用于单相及三相直流无刷电机驱动系统。

国硅集成电路4A/500V 半桥智能功率模块NSH405M0PC可替代凌欧LKS1D5004D

NSH405M0PC是一款4A、500V半桥智能功率模块，专为电机驱动应用设计。该模块集成了4A/500V MOSFET栅极驱动器与自举升压功能，采用紧凑的ESOP13封装。它可灵活应用于单相及三相直流无刷电机驱动系统。

国硅集成电路500V半桥智能IPM模块NSH305M0PC可替代凌欧LKS1D5003D

NSH305M0PC是一款专为电机驱动应用设计的3A、500V半桥智能IPM模块。该器件采用小巧的ESOP13封装，集成了3A/500V的MOSFET栅极驱动器和自举升压功能。其设计灵活，可广泛应用于单相和三相直流无刷电机驱动系统中。

国硅代理商250V4A 单相高低侧功率栅极驱动芯片NSG2023

NSG2023是一款高压、高速功率MOSFET高低侧栅极驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2023采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。NSG2023集成有自举二极管，对...