国硅集成NSG2136 700V带使能和故障报告的三相半桥驱动芯片

NSG2136是N型高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧三相栅极驱动芯片，包含三路独立的半桥驱动电路。内部集成了欠压保护和过流保护功能，出现异常时立即关断六通道输出。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。通过连接到RCIN输入的RC网络在外部编程延时后，过电流故障情况自动清除。

国硅集成NSG2000 250V、快速、高压侧 NMOS 静态开关常导通栅极驱动芯片

NSG2000是一款快速、高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器，采用高达250V的输入电压工作。该器件可以实现一个负责全面增强外部N沟道MOSFET开关的充电结构，因而使其能够无限期地保持导通。

国硅集成G2063Q 250V1.5A三相高低侧功率MOSFET/IGBT电机驱动芯片

G2063Q是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2063Q逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。

国硅集成NSG2065Q 250V 集成自举的三相栅极驱动芯片

NSG2065Q是一款三相高压功率MOSFET和IGBT 栅极驱动器，可以同时驱动高侧和低侧功率晶体管的栅极。浮动通道驱动设计可以容纳总线电压高达250V。NSG2065Q输出能够提供较大的驱动能力，输出拉灌电流可以到达1.2A/1.5A。NSG2065Q工作电压范围宽，高、低侧栅极驱动电压都可经优化以达到最...

国硅集成NSG2153D 600V 自振荡半桥 MOSFET/IGBT 电机驱动芯片

NSG2153D 是一款高压、高速功率 MOSFET 自振荡 半桥驱动芯片。 NSG2153D 其浮动通道可用于驱动高 低侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可 达 600V。

NSG21867 国硅集成700V 大电流高、低侧 MOSFET/IGBT驱动芯片

NSG21867 是一款高压、高速功率 MOSFET/IGBT 高低 侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了 高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路， 具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出电流能力 最大可达 4A，其浮...

国硅集成IPM智能功率模块600V/5A三相全桥驱动NSMC05S60B0

NSMC05S60B0是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。该模块内置了6个快恢复功率IGBT管和3个半桥高压栅极驱动电路。NSMC05S60B0 内部集成了欠压保护功能，提供了优异的保护和失效保护操作。由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。NS...

国硅集成IPM智能功率模块500V/5A三相全桥驱动NSMB05S50M1

NSMB05S50M1 是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。

国硅集成IPM智能功率模块500V/5A三相全桥驱动NSMB05S50M0

NSMB05S50M0 是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。

国硅集成IPM智能功率模块600V/2A三相全桥驱动NSMB02S60M1

NSMB02S50M1是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。该模块内置了6个快恢复功率MOS管和3个半桥高压栅极驱动电路。

国硅集成IPM智能功率模块600V/2A三相全桥驱动NSMB02S60M0

NSMB02S60M0 是高度集成、高可靠性的三相无刷直流 电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。该 模块内置了 6 个快恢复功率 MOS 管和 3 个半桥高压栅极 驱动电路。

国硅集成IPM智能功率模块500V/2A三相全桥驱动NSMB02S50M1

NSMB02S50M1是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。该模块内置了6个快恢复功率MOS管和3个半桥高压栅极驱动电路。

国硅集成电路代理商NSH406M1PQ 4A 600V半桥IPM智能功率模块

NSH505PQ is a 5A,500V half-brigde intelligence power module designed for motor drive applications, integrated 5A/500V MOSFET gate driver and bootstrap func...

国硅集成电路代理商NSH305PQ 3A, 500V半桥IPM智能功率模块

NSH305PQ is a 3A,500V half-brigde intelligence powermodule designed formotor drive applications, integrated 3A/500V MOSFET gate driver and bootstrap functi...

国硅集成NSG6003 650V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG6003是一款高压、高速功率 MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG6003采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG6003其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高...

国硅集成NSG6001 650V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG6001是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG6001采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG6001其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工...

国硅集成NSG6000R 650V 单相高低侧功率 MOSFET 驱动芯片

NSG6000R是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道，适用于5A以内MOS的直接驱动。NSG6000R采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG6000R 其浮动通道可用于驱动高压侧...

国硅集成NSG2106 700V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG2106是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2106采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG2106其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工...

国硅集成NSG2105 700V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG2105是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2105采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG2105其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工...

国硅集成NSG2104 700V 集成自举单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG2104是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2104采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。 NSG2104其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率 MOSFET，浮地通道最...