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内置800V高压启动宽输出范围非隔离交直流转换芯片—PN8016
PN8016集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源, 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8016内置800V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN801...
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650V高雪崩能力宽输出范围非隔离交直流转换芯片--PN8046
PN8046集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。 PN8046内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护, 欠压保护,过温保护。另外PN8046的降频调制技术有助于EMI特性。
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高雪崩能力宽输出范围非隔离交直流转换芯片-PN8034M
PN8034M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源, PN8034M 内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外PN8034M的降频调制技术有助于EMI特性。
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内置650V高压启动模块宽输出范围非隔离转换芯片-PN8044M
PN8044M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件的小功率非隔离开关电源, PN8044M 内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8044M的降频调制技术有助于EMI特性。
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内置高压启动,宽输出范围非隔离交直流转换芯片-PN8015M
PN8015M集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源, 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8015M 内置800V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN801...
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非隔离效率高交直流转换芯片-PN8026R
PN8026R芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET,适用于小功率非隔离开关电源。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,过压保护,欠压保护,过温保护;降频调制技术有助于EMI特性。该芯片还内置启动模块,保证系统能迅速启动。应用系统的外围元件更加简洁。
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18V输出非隔离待机功耗转换芯片-芯朋微PN8126F
PN8126F芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET,适用于小功率非隔离开关电源。
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非隔离12V3.6W开关电源转换芯片-芯朋微PN8024R
PN8024R芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET,适用于小功率非隔离开关电源。
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同步整流架构固定5V输出的非隔离交直流转换芯片--AP8504
AP8504基于高ya同步整流架构,集成PFM控制器以及650V高可靠性MOSFET,用于外围元器件的小功率非隔离开关电源。AP8504内置650V高ya启动,实现系统迅速启动、低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外AP8504具有EMI特性。
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内置650V小功率非隔离开关电源--PN8008
PN8008集成PFM控制器及650V高可靠性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源.PN8008内置650V高压启动,实现系统启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8008具有优异的EMI特性。
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外围元器件精简,非隔离交直流转换芯片--PN8043
PN8043集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN8043内置高压启动模块,实现系统启动、待机功能。该芯片提供保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8043的降频调制技术有助于EMI特性。(注:可替代进口品牌OB,替代型号:OB2...
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外围元器较简,小功率非隔离开关电源--AP8506
AP8506基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及650V可靠性MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。AP8506内置650V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外AP8506具有优异的EMI特性。
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低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045
PN8045集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN8045内置启动模块,实现系统启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8045的降频调制技术有助于EMI特性。
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实现系统快速启动、待机功能交直流转换芯片--AP8006
AP8006集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率 MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。 AP8006内置高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外AP8006的降频调制技术有助于EMI特性。
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完整的智能化保护功能的交直流转换芯片--AP8507
AP8507基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8507内置500V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外AP8507具有优异的EMI特性。
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内置500V高压启动与自供电模块转换芯片--AP8005A
AP8005A集成PFM控制器及500V高雪崩能力智能功率 MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。 AP8005A内置500V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外AP8005A的降频调制技术有助于EM...
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系统快速启动、待机功能的非隔离交直流转换芯片--PN8505A
PN8505A基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及550V高可靠性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8505A内置550V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外PN8505A具有优异的EMI特性。
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固定5V输出的200V高耐压非隔离DC-DC转换器--PN6005
PN6005集成PFM控制器及200V高雪崩能力智能功率 MOSFET,用于外围元器件的小功率非隔离开关电源。 PN6005内置200V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护 功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN6005的降频调制技术有助于EMI特性。
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外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源芯片--PN8011
PN8011集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源,输出电压可通过FB电阻调整。PN8011内置800V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8011的...
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固定5V输出的非隔离交直流转换芯片--AP8505M
AP8505M基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8505M内置500V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外AP8505M具有优异的EMI特性。
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