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同步PFM升压DC/DC转换器—AP2203
同步PFM升压DC/DC转换器—AP2203
AP2203系列是PFM控制的开关型DC/DC升压稳压芯片,其内部主要由参考电压基准,振荡器,比较器组成,输出电压纹波低,转换效率高,带载能力强。AP2203外围仅需一个电感和一个电容。当CONT点电压超过限定值时保护电路会关断内置场效应管以防止器件损坏。其保护特性及小封装和低功耗特性非常适合应用于便捷式产品...
内置800V高压启动宽输出范围非隔离交直流转换芯片—PN8016
内置800V高压启动宽输出范围非隔离交直流转换芯片—PN8016
PN8016集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源, 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8016内置800V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN801...
650V高雪崩能力宽输出范围非隔离交直流转换芯片--PN8046
650V高雪崩能力宽输出范围非隔离交直流转换芯片--PN8046
PN8046集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。 PN8046内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护, 欠压保护,过温保护。另外PN8046的降频调制技术有助于EMI特性。
高雪崩能力宽输出范围非隔离交直流转换芯片-PN8034M
高雪崩能力宽输出范围非隔离交直流转换芯片-PN8034M
PN8034M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源, PN8034M 内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外PN8034M的降频调制技术有助于EMI特性。
内置650V高压启动模块宽输出范围非隔离转换芯片-PN8044M
内置650V高压启动模块宽输出范围非隔离转换芯片-PN8044M
PN8044M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件的小功率非隔离开关电源, PN8044M 内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8044M的降频调制技术有助于EMI特性。
内置高压启动,宽输出范围非隔离交直流转换芯片-PN8015M
内置高压启动,宽输出范围非隔离交直流转换芯片-PN8015M
PN8015M集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源, 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8015M 内置800V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN801...
非隔离效率高交直流转换芯片-PN8026R
非隔离效率高交直流转换芯片-PN8026R
PN8026R芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET,适用于小功率非隔离开关电源。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,过压保护,欠压保护,过温保护;降频调制技术有助于EMI特性。该芯片还内置启动模块,保证系统能迅速启动。应用系统的外围元件更加简洁。
18V输出非隔离待机功耗转换芯片-芯朋微PN8126F
18V输出非隔离待机功耗转换芯片-芯朋微PN8126F
PN8126F芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET,适用于小功率非隔离开关电源。
非隔离12V3.6W开关电源转换芯片-芯朋微PN8024R
非隔离12V3.6W开关电源转换芯片-芯朋微PN8024R
PN8024R芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET,适用于小功率非隔离开关电源。
同步整流架构固定5V输出的非隔离交直流转换芯片--AP8504
同步整流架构固定5V输出的非隔离交直流转换芯片--AP8504
AP8504基于高ya同步整流架构,集成PFM控制器以及650V高可靠性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8504内置650V高ya启动,实现系统迅速启动、低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外AP8504具有优异的EMI特性。
内置650V小功率非隔离开关电源--PN8008
内置650V小功率非隔离开关电源--PN8008
PN8008集成PFM控制器及650V高可靠性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源.PN8008内置650V高压启动,实现系统启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8008具有优异的EMI特性。
具有EMI特性、系统启动、低待机功能的转换芯片--PN552L
具有EMI特性、系统启动、低待机功能的转换芯片--PN552L
PN552L基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及650V高可靠性MOSFET,用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN552L内置650V启动,实现系统启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外PN552L具有良好的EMI特性。
采用SOP8/MSOP8封装1A线性锂电池充电器--AP5056
采用SOP8/MSOP8封装1A线性锂电池充电器--AP5056
AP5056是一个单片锂离子电池恒流/恒压线性电源管理芯片,其 SOP/MSOP封装和较少的外围元件适合应用于便携式产品,而且 AP5056专门设计适用于USB的供电规格。基于内部MOSFET结构,不需要外部感应电阻和隔离二极管,当外部环境温度过高或在大功率工作时,热反馈可以调节充电电流以降低芯片温度。充电电...
非隔离辅助电源,待机功耗交直流转换芯片--GDMP18
非隔离辅助电源,待机功耗交直流转换芯片--GDMP18
GDMP18芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET,适用于小功率非隔离开关电源。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,过压保护,欠压保护,过温保护;降频调制技术有助于EMI特性。该芯片还内置启动模块,保证系统能迅速启动。应用系统的外围元件更加简洁。
外围元器件精简,非隔离交直流转换芯片--PN8043
外围元器件精简,非隔离交直流转换芯片--PN8043
PN8043集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN8043内置高压启动模块,实现系统启动、待机功能。该芯片提供保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8043的降频调制技术有助于EMI特性。(注:可替代进口品牌OB,替代型号:OB2...
外围元器较简,小功率非隔离开关电源--AP8506
外围元器较简,小功率非隔离开关电源--AP8506
AP8506基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及650V可靠性MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。AP8506内置650V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外AP8506具有优异的EMI特性。
低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045
低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045
PN8045集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极较简的小功率非隔离开关电源。PN8045内置高压启动模块,实现系统启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8045的降频调制技术有助于EMI特性。
实现系统快速启动、待机功能交直流转换芯片--AP8006
实现系统快速启动、待机功能交直流转换芯片--AP8006
AP8006集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率 MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。 AP8006内置高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外AP8006的降频调制技术有助于EMI特性。
完整的智能化保护功能的交直流转换芯片--AP8507
完整的智能化保护功能的交直流转换芯片--AP8507
AP8507基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8507内置500V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外AP8507具有优异的EMI特性。
内置500V高压启动与自供电模块转换芯片--AP8005A
内置500V高压启动与自供电模块转换芯片--AP8005A
AP8005A集成PFM控制器及500V高雪崩能力智能功率 MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。 AP8005A内置500V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外AP8005A的降频调制技术有助于EM...
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