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同步PFM升压DC/DC转换器—AP2203
AP2203系列是PFM控制的开关型DC/DC升压稳压芯片,其内部主要由参考电压基准,振荡器,比较器组成,输出电压纹波低,转换效率高,带载能力强。AP2203外围仅需一个电感和一个电容。当CONT点电压超过限定值时保护电路会关断内置场效应管以防止器件损坏。其保护特性及小封装和低功耗特性非常适合应用于便捷式产品...
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内置800V高压启动宽输出范围非隔离交直流转换芯片—PN8016
PN8016集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源, 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8016内置800V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8...
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650V高雪崩能力宽输出范围非隔离交直流转换芯片--PN8046
PN8046集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8046内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护, 欠压保护,过温保护。另外PN8046的降频调制技术有助于改善EMI特性...
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高雪崩能力宽输出范围非隔离交直流转换芯片-PN8034M
PN8034M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源, PN8034M 内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外PN8034M的降频调制技术有助于改善EMI特...
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内置650V高压启动模块宽输出范围非隔离转换芯片-PN8044M
PN8044M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源, PN8044M 内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8044M的降频调制技术有助于改善EMI特...
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内置高压启动,宽输出范围非隔离交直流转换芯片-PN8015M
PN8015M集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源, 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8015M 内置800V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外...
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非隔离高效率交直流转换芯片-PN8026R
PN8026R芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET,适用于小功率非隔离开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,过压保护,欠压保护,过温保护;降频调制技术有助于改善EMI特性。该芯片还内置高压启动模块,保证系统能迅速启动。应用系统的外围元件更加简洁。
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18V输出非隔离超低待机功耗转换芯片-芯朋微PN8126F
PN8126F芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET,适用于小功率非隔离开关电源。
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非隔离12V3.6W开关电源转换芯片-芯朋微PN8024R
PN8024R芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET,适用于小功率非隔离开关电源。
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非隔离辅助电源,超低待机功耗高效率交直流转换芯片--GDMP18
GDMP18芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET,适用于小功率非隔离开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,过压保护,欠压保护,过温保护;降频调制技术有助于改善EMI特性。该芯片还内置高压启动模块,保证系统能迅速启动。应用系统的外围元件更加简洁。
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外围元器件极精简,非隔离交直流转换芯片--PN8043
PN8043集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8043内置高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8043的降频调制技术有助于改善EMI特性。
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外围元器精简,小功率非隔离开关电源--AP8506
AP8506基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及650V高可靠性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8506内置650V高压启动,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外AP8506具有优异的EMI特性。
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快速启动,超低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045
PN8045集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8045内置高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8045的降频调制技术有助于改善EMI特性。
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实现系统快速启动、超低待机功能交直流转换芯片--PN8006
AP8006集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率 MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 AP8006内置高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外AP8006的降频调制技术有助于改善EMI特性。
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完整的智能化保护功能的交直流转换芯片--AP8507
AP8507基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8507内置500V高压启动,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外AP8507具有优异的EMI特性。
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内置500V高压启动与自供电模块转换芯片--AP8005A
AP8005A集成PFM控制器及500V高雪崩能力智能功率 MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 AP8005A内置500V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外AP8005A的降频调制技...
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系统快速启动、超低待机功能的非隔离交直流转换芯片--PN8505A
PN8505A基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及550V高可靠性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8505A内置550V高压启动,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外PN8505A具有优异的EMI特性。
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集成PFM控制器及650V高雪崩能力非隔离转换芯片--PN8054
PN8054集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8054内置高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8054的降频调制技术有助于改善EMI特性。
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固定5V输出的200V高耐压非隔离DC-DC转换器--PN6005
PN6005集成PFM控制器及200V高雪崩能力智能功率 MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN6005内置200V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护 功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN6005的降频调制技术有...
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外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源芯片--PN8011
PN8011集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源,输出电压可通过FB电阻调整。PN8011内置800V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN801...
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