内置800V高压启动宽输出范围非隔离交直流电源管理芯片—PN8016

PN8016集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源， 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8016内置800V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN801...

650V高雪崩能力宽输出范围非隔离交直流转换芯片--PN8046

PN8046集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。 PN8046内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过载保护， 欠压保护，过温保护。另外PN8046的降频调制技术有助于EMI特性。

芯朋微电子12V0.3A非隔离小家电电源管理芯片-PN8034M

PN8034M电源管理芯片集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源， PN8034M 内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8034M的降频调制技术有助于EMI特性...

内置650V高压启动模块宽输出 非隔离电源管理芯片-PN8044M

PN8044M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件的小功率非隔离开关电源， PN8044M 内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8044M的降频调制技术有助于EMI特性。

内置高压启动,宽输出范围非隔离交直流转换芯片-PN8015M

PN8015M集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源， 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8015M 内置800V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN801...

非隔离效率高交直流转换芯片-PN8026R

PN8026R芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET，适用于小功率非隔离开关电源。该芯片提供了智能化保护功能，包括过流保护，过压保护，欠压保护，过温保护；降频调制技术有助于EMI特性。该芯片还内置启动模块，保证系统能迅速启动。应用系统的外围元件更加简洁。

18V输出非隔离待机功耗转换芯片-芯朋微PN8126F

PN8126F芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET，适用于小功率非隔离开关电源。

非隔离12V3.6W开关电源转换芯片-芯朋微PN8024R

PN8024R芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET，适用于小功率非隔离开关电源。

超低待机功耗的交直流转换电源管理芯片-PN6360H

PN6360H集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件精简的非隔离开关电源，输出电压可通过FB电阻调整，PN6360H内置高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。

芯朋微非隔离电源管理芯片-PN8018电源驱动芯片

PN8018电源管理芯片集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8018内置高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机 功能。PN8018电源管理芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8018的降频调制技...

芯朋微12V0.45A非隔离电源管理芯片-PN8035

PN8035集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8035内置高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8035的降频调制技术有助于改善EMI特性。

固定5V500mA输出非隔离电源管理芯片-PN8009

PN8009电源管理芯片集成PFM控制器及650V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8009内置650V高压启动，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8009电源管理芯片具有优异的EMI特性。

12V0.7A非隔离电源管理芯片-PN8039

PN8039集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8039内置高压启动模.块，实现系统快速启动、超低待机。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护、欠压保护、过温保护。另外PN8039的降频调制技术有助于改善EMI特性。

高性能非隔离交直流转换电源管理芯片–PN8058P

PN8058P集成PFM控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8058P内置 高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8058P的降频调制技术有助于改善EMI特性。

高性能非隔离交直流转换电源管理芯片–PN8054E

PN8054E集成PFM控制器及670V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8054E内置高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8054E的降频调制技术有助于改善EMI特性。

单通道低侧栅极驱动芯片-PN7001L

PN7001L是一款单通道、高速低侧栅极驱动芯 片，该芯片可以作为功率MOSFET和IGBT的驱 片，该芯片可以作为功率MOSFETIGBT和的驱 动开关。PN7001L的 输出可以提供3.5A拉/灌电 动开关.PN7001L的输出可以提供3.5A拉/灌电 流的峰值电流脉冲，且输入信号到输出信号传 流的峰值电...

同步整流架构固定5V输出的非隔离交直流转换芯片--AP8504

AP8504基于高ya同步整流架构，集成PFM控制器以及650V高可靠性MOSFET，用于外围元器件的小功率非隔离开关电源。AP8504内置650V高ya启动，实现系统迅速启动、低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外AP8504具有EMI特性。

内置650V小功率非隔离电源管理芯片-PN8008

PN8008集成PFM控制器及650V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源.PN8008内置650V高压启动，实现系统启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8008具有优异的EMI特性。

外围元器件精简,非隔离交直流转换芯片--PN8043

PN8043集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN8043内置高压启动模块，实现系统启动、待机功能。该芯片提供保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8043的降频调制技术有助于EMI特性。(注：可替代进口品牌OB,替代型号：OB2...

外围元器较简,小功率非隔离开关电源--AP8506

AP8506基于高压同步整流架构，集成PFM控制器以及650V可靠性MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。AP8506内置650V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外AP8506具有优异的EMI特性。