同步PFM升压DC/DC转换器—AP2203

AP2203系列是PFM控制的开关型DC/DC升压稳压芯片，其内部主要由参考电压基准，振荡器，比较器组成，输出电压纹波低，转换效率高，带载能力强。AP2203外围仅需一个电感和一个电容。当CONT点电压超过限定值时保护电路会关断内置场效应管以防止器件损坏。其保护特性及小封装和低功耗特性非常适合应用于便捷式产品...

内置800V高压启动宽输出范围非隔离交直流转换芯片—PN8016

PN8016集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源， 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8016内置800V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8...

650V高雪崩能力宽输出范围非隔离交直流转换芯片--PN8046

PN8046集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8046内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护， 欠压保护，过温保护。另外PN8046的降频调制技术有助于改善EMI特性...

高雪崩能力宽输出范围非隔离交直流转换芯片-PN8034M

PN8034M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源， PN8034M 内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8034M的降频调制技术有助于改善EMI特...

内置650V高压启动模块宽输出范围非隔离转换芯片-PN8044M

PN8044M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源， PN8044M 内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8044M的降频调制技术有助于改善EMI特...

内置高压启动,宽输出范围非隔离交直流转换芯片-PN8015M

PN8015M集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源， 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8015M 内置800V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外...

非隔离高效率交直流转换芯片-PN8026R

PN8026R芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET，适用于小功率非隔离开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，过压保护，欠压保护，过温保护；降频调制技术有助于改善EMI特性。该芯片还内置高压启动模块，保证系统能迅速启动。应用系统的外围元件更加简洁。

18V输出非隔离超低待机功耗转换芯片-芯朋微PN8126F

PN8126F芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET，适用于小功率非隔离开关电源。

非隔离12V3.6W开关电源转换芯片-芯朋微PN8024R

PN8024R芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET，适用于小功率非隔离开关电源。

内置650V小功率非隔离开关电源--PN8008

PN8008集成PFM控制器及650V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源.PN8008内置650V高压启动，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8008具有优异的EMI特性。

具有优异的EMI特性、系统快速启动、超低待机功能的转换芯片--PN552L

PN552L基于高压同步整流架构，集成PFM控制器以及650V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN552L内置650V高压启动，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN552L具有优异的EMI特性。

采用SOP8/MSOP8封装1A线性锂电池充电器--AP5056

AP5056是一个完整的单片锂离子电池恒流/恒压线性电源管理芯片，其 SOP/MSOP封装和极少的外围元件非常适合应用于便携式产品，而且 AP5056专门设计适用于USB的供电规格。基于内部MOSFET结构，不需要外部感应电阻和隔离二极管，当外部环境温度过高或在大功率工作时，热反馈可以调节充电电流以降低芯片温...

非隔离辅助电源,超低待机功耗高效率交直流转换芯片--GDMP18

GDMP18芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET，适用于小功率非隔离开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，过压保护，欠压保护，过温保护；降频调制技术有助于改善EMI特性。该芯片还内置高压启动模块，保证系统能迅速启动。应用系统的外围元件更加简洁。

外围元器件极精简,非隔离交直流转换芯片--PN8043

PN8043集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8043内置高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8043的降频调制技术有助于改善EMI特性。

外围元器精简,小功率非隔离开关电源--AP8506

AP8506基于高压同步整流架构，集成PFM控制器以及650V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8506内置650V高压启动，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外AP8506具有优异的EMI特性。

快速启动,超低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045

PN8045集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8045内置高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8045的降频调制技术有助于改善EMI特性。

实现系统快速启动、超低待机功能交直流转换芯片--PN8006

AP8006集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率 MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 AP8006内置高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外AP8006的降频调制技术有助于改善EMI特性。

完整的智能化保护功能的交直流转换芯片--AP8507

AP8507基于高压同步整流架构，集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8507内置500V高压启动，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外AP8507具有优异的EMI特性。

内置500V高压启动与自供电模块转换芯片--AP8005A

AP8005A集成PFM控制器及500V高雪崩能力智能功率 MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 AP8005A内置500V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外AP8005A的降频调制技...

系统快速启动、超低待机功能的非隔离交直流转换芯片--PN8505A

PN8505A基于高压同步整流架构，集成PFM控制器以及550V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8505A内置550V高压启动，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8505A具有优异的EMI特性。