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超低待机功耗的交直流转换电源管理芯片-PN6360H
PN6360H集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件精简的非隔离开关电源,输出电压可通过FB电阻调整,PN6360H内置高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。
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芯朋微非隔离电源管理芯片-PN8018电源驱动芯片
PN8018电源管理芯片集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8018内置高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机 功能。PN8018电源管理芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8018的降频调制技...
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芯朋微12V0.45A非隔离电源管理芯片-PN8035
PN8035集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8035内置高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8035的降频调制技术有助于改善EMI特性。
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固定5V500mA输出非隔离电源管理芯片-PN8009
PN8009电源管理芯片集成PFM控制器及650V高信赖性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8009内置650V高压启动,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8009电源管理芯片具有优异的EMI特性。
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芯朋微代理12V0.7A非隔离电源管理芯片-PN8039
PN8039集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8039内置高压启动模.块,实现系统快速启动、超低待机。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护、欠压保护、过温保护。另外PN8039的降频调制技术有助于改善EMI特性。
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芯朋微代理高性能非隔离交直流转换电源管理芯片–PN8058P
PN8058P集成PFM控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8058P内置 高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8058P的降频调制技术有助于改善EMI特性。
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高性能非隔离交直流转换电源管理芯片–PN8054E
PN8054E集成PFM控制器及670V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8054E内置高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8054E的降频调制技术有助于改善EMI特性。
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芯朋微代理商非隔离交直流转换芯片PN523B可替代KP3211BSG
PN523B集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN523B内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,过温保护。另外PN523B的降频调制技术有助于改善EMI特性。
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芯朋微非隔离集成高压MOS的AC-DC电源芯片PN8031可替代KP3210BSG
PN8031集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8031内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。 该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外PN8031的降频调制技术有助于改善EMI特性。
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芯朋微固定5V450mA非隔离电源管理驱动芯片PN555MSE-B1
PN555M集成PFM控制器及650V高信赖性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN555M内置650V高压启动,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN555M具有优异的EMI特性。
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芯朋微电子代理商PN3746NE-A1 DIP8 适用于18V输出非隔离电源芯片
PN3746集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用丁外围元器件极精简的小功率作隔离开关电源,PN3746内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN3746的降频调制技术有叫于改善EMI特性。
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芯朋微电子代理商PN3744NE-A1 DIP8 适用于18V输出非隔离电源芯片
PN3744集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN3744内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN3744的降频调制技术有助于改善EMI特性。
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芯朋微代理商12V输出非隔离电源芯片PN3734NS-A1
PN3734集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用丁外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN3734内置高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN3734的降频调制技术有助丁改善EMI特性。
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固定5V输出非隔离电源管理芯片-AP8002
AP8002电源管理芯片集成PFM控制器及730V高信赖性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8002内置730V高压启动,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,逐周期过流保护,过温保护。另外AP8002具有优异的EMI特性。
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芯朋代理非隔离交直流电源管理芯片--PN8032
PN8032集成PFM控制器及600V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8032内置600V高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,过温保护。另外PN8032的降频调制技术有助于改善EMI特性
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芯朋微低待机功耗BUCK专用开关电源芯片-AP8011
AP8011芯片内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,专用于Buck式结构开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护、过压保护、过温保护、电源欠压锁定功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗。该芯片还内置高压启动模块,保证系统能迅速启动。
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同步整流架构固定5V输出的非隔离交直流转换芯片--AP8504
AP8504基于高ya同步整流架构,集成PFM控制器以及650V高信赖性MOSFET,用于外围元器件的小功率非隔离开关电源。AP8504内置650V高ya启动,实现系统迅速启动、低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外AP8504具有EMI特性。
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内置650V小功率非隔离电源管理芯片-PN8008
PN8008集成PFM控制器及650V高信赖性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源.PN8008内置650V高压启动,实现系统启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8008具有优异的EMI特性。
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芯朋微外围元器件精简,非隔离交直流电源管理芯片--PN8043
PN8043集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN8043内置高压启动模块,实现系统启动、待机功能。该芯片提供保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8043的降频调制技术有助于EMI特性。(注:可替代进口品牌OB,替代型号:OB2...
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