国硅集成200V、1A高压、高速半桥栅极驱动芯片XJNG2102

一、概述

XJNG2102是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。XJNG2102采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。XJNG2102其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。
XJNG2102采用SOP8封装，可以在-40℃至125C温度范围内工作。

二、产品特性

自举工作的浮地通道
最高工作电压为+250V
兼容3.3V,5V和15V输入逻辑
dVs/dt耐受能力可达±50V/ns
Vs负偏压能力达-9V
栅极驱动电压从6V到20V
集成欠压锁定电路
 -VCC欠压锁定正向阈值5.5V
 -VCC欠压锁定负向阈值5V
 -VBS欠压锁定阀值3.6V
防直通死区逻辑
 -死区时间设定200ns
芯片传输延时特性
 -开通/关断传输延时Ton/Toff=150ns/140ns
 -延迟匹配时间50ns
宽温度范围-40°C~125°C
输出级拉电流/灌电流能力1.2A/1.5A
符合RoSH标准
SOP8封装

三、应用

电机控制

空调/洗衣机

通用逆变器

微型逆变器驱动

四、封装/订购信息

五、典型应用电路