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用于高性能反激系统内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306
用于高性能反激系统内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306
PN8306包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度。
内置电压降极低的功率MOSFET的高性能同步整流器--PN8306M
内置电压降极低的功率MOSFET的高性能同步整流器--PN8306M
PN8306M包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306M内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度。
集成高压启动的同步整流控制器--PN8300
集成高压启动的同步整流控制器--PN8300
PN8300是一款内置高压启动同步整流控制器,通过外驱N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特 基二极管,以提升系统的转换效率。 PN8300处于开关工作模式,只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。当芯片检测到VDET<-400mV,控制器驱动外 部的功率MOSFET开启;当芯...
国内电源芯片12W贴片内置MOS超低待机功耗5V2.4A-PN8305M
国内电源芯片12W贴片内置MOS超低待机功耗5V2.4A-PN8305M
PN8305包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度.PN8305处于开关工作模式,只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。
40 V, 2.5 A, 500 kHz 同步降压转换器--AP2954
40 V, 2.5 A, 500 kHz 同步降压转换器--AP2954
AP2954 是一款宽输入范围,高效率恒流的同步降压芯片,AP2954 最高可在 500 kHz 的开关频率下提供 2.5 A 输出电流。 AP2954 内部有 130 mΩ 上 MOS 管和 80 mΩ 下 MOS 管实现高达 96 %的效率。其电流模式控制系统可支持快速瞬态响应和简易的补偿电路。 保护...
支持连续电流模式内置功率MOS的同步整流器--PN8308H
支持连续电流模式内置功率MOS的同步整流器--PN8308H
PN8308H包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。 PN8308H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准,并留有足够的裕量。PN8308H集成了极为全面的辅助功能,包含输出欠压保护、...
内置11m欧姆 60V Trench MOSFET同步整流器--PN8307H
内置11m欧姆 60V Trench MOSFET同步整流器--PN8307H
PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8307H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准,并留有足够的裕量。PN8307H集成了极为全面的辅助功能,包含输出欠压保护...
10A高功率密度,同步升压转换器--AP2016
10A高功率密度,同步升压转换器--AP2016
AP2016是一款高效率,高功率密度,同步升压转换器,可由宽输入电压范围 2.7V ~12V 供电。宽泛的输入电压范围非常适用于单节或双节锂离子电池便携设备,例如带有高压专用充电端口 HVDCP的移动电源。
支持连续模式内置功率MOS的同步整流器--PN8308L
支持连续模式内置功率MOS的同步整流器--PN8308L
PN8308L包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。 PN8308L内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准,并留有足够的裕量。PN8308L集成了极为全面的辅助功能,包含输出欠压保护、...
600kHz,15V,10A 高功率密度SO8-EP封装同步升压转换器--AP2018
600kHz,15V,10A 高功率密度SO8-EP封装同步升压转换器--AP2018
AP2018 是一款高效率,高功率密度,同步升压转换器,可由宽输入电压范围 2.7 V ~ 9 V 供电。宽泛的输入电压范围非常适用于单节或双节锂离子电池便携设备,例如带有高压专用充电端口 HVDCP 的移动电源。由于采用电流模 PWM 控制架构, AP2018 在定频时可获得快速瞬态响应,在轻载时处于 PF...
内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306H
内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306H
PN8306H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准,并留有足够的裕量。PN8306H集成了极为全面的辅助功能,包含输出欠压保护...
外围元器件极精简,宽输出范围非隔离交直流转换芯片-PN8036M
外围元器件极精简,宽输出范围非隔离交直流转换芯片-PN8036M
PN8036M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET ,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8036M内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外PN8036M的降频调制技术有助于改善EMI...
6级能效标准内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306L
6级能效标准内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306L
PN8306L包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306L内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准,并留有足够的裕量。PN8306L集成了极为全面的辅助功能,包含输出欠压保护...
N型功率MOSFET集成高压启动的高性能同步整流器--8305L
N型功率MOSFET集成高压启动的高性能同步整流器--8305L
PN8305L包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305L内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度.PN8305L处于开关工作模式,只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。
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