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用于高性能反激系统内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306
PN8306包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度。
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内置电压降极低的功率MOSFET的高性能同步整流器--PN8306M
PN8306M包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306M内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度。
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集成高压启动的同步整流控制器--PN8300
PN8300是一款内置高压启动同步整流控制器,通过外驱N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特 基二极管,以提升系统的转换效率。 PN8300处于开关工作模式,只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。当芯片检测到VDET<-400mV,控制器驱动外 部的功率MOSFET开启;当芯...
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国内电源芯片12W贴片内置MOS待机功耗5V2.4A-PN8305M
PN8305包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度.PN8305处于开关工作模式,只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。
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支持连续电流模式内置功率MOS的同步整流器--PN8308H
PN8308H包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。 PN8308H内置电压降低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准,并留有足够的裕量。PN8308H集成的辅助功能,包含输出欠压保护、导通时间等功...
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内置11m欧姆 60V Trench MOSFET同步整流器--PN8307H
PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8307H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准,并留有足够的裕量。PN8307H集成了辅助功能,包含输出欠压保护、防误开启...
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支持连续模式内置功率MOS的同步整流器--PN8308L
PN8308L包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。 PN8308L内置电压降低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准,并留有足够的裕量。PN8308L集成了辅助功能,包含输出欠压保'导通时间等功能...
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600kHz,15V,10A 高功率密度SO8-EP封装同步升压转换器--AP2018
AP2018是一款高功率密度,同步升压转换器,可由宽输入电压范围2.7V~9V供电。宽泛的输入电压范围非常适用于单节或双节锂离子电池便携设备,例如带有高压充电端口HVDCP的移动电源。由于采用电流模PWM控制架构,AP2018在定频时可获得瞬态响应,在轻载时处于PFM模式可获得省电效果。芯片集成了低RDS(O...
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内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306H
PN8306H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306H内置电压降低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准,并留有足够的裕量。PN8306H集成的辅助功能,包含输出欠压保护、输出过压钳...
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6级能效标准内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306L
PN8306L包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306L内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准,并留有足够的裕量。PN8306L集成的辅助功能,包含输出欠压保护、输出过压...
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N型功率MOSFET集成高压启动的高性能同步整流器--8305L
PN8305L包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305L内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度.PN8305L处于开关工作模式,只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。
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