用于高性能反激系统内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306

PN8306包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度。

内置电压降极低的功率MOSFET的高性能同步整流器--PN8306M

PN8306M包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306M内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度。

集成高压启动的同步整流控制器--PN8300

PN8300是一款内置高压启动同步整流控制器，通过外驱N型功率MOSFET，用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特 基二极管，以提升系统的转换效率。 PN8300处于开关工作模式，只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。当芯片检测到VDET<-400mV，控制器驱动外 部的功率MOSFET开启；当芯...

国内电源芯片12W贴片内置MOS超低待机功耗5V2.4A-PN8305M

PN8305包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度.PN8305处于开关工作模式，只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。

4.5V-18V输入，2A同步整流降压转换器--AP2972C

AP2972是一款简单、便于应用的高效率同步降压转换器，它采用 SOT-23-6L封装提供 2 A负载电流。 AP2972工作于很宽的输入电压范围 （4.5 V-18 V），内部集成非常低导通电阻的主开关管和同步开关管以减少传导损耗。 AP2972采用 COT架构可以在大负载跌落应用中实现快 速...

40 V, 2.5 A, 500 kHz 同步降压转换器--AP2954

AP2954 是一款宽输入范围，高效率恒流的同步降压芯片，AP2954 最高可在 500 kHz 的开关频率下提供 2.5 A 输出电流。 AP2954 内部有 130 mΩ 上 MOS 管和 80 mΩ 下 MOS 管实现高达 96 %的效率。其电流模式控制系统可支持快速瞬态响应和简易的补偿电路。 保护...

支持连续电流模式内置功率MOS的同步整流器--PN8308H

PN8308H包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。 PN8308H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8308H集成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、...

内置11m欧姆 60V Trench MOSFET同步整流器--PN8307H

PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8307H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8307H集成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护...

10A高功率密度,同步升压转换器--AP2016

AP2016是一款高效率，高功率密度，同步升压转换器，可由宽输入电压范围 2.7V ~12V 供电。宽泛的输入电压范围非常适用于单节或双节锂离子电池便携设备，例如带有高压专用充电端口 HVDCP的移动电源。

支持连续模式内置功率MOS的同步整流器--PN8308L

PN8308L包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。 PN8308L内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8308L集成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、...

600kHz，15V，10A 高功率密度SO8-EP封装同步升压转换器--AP2018

AP2018 是一款高效率，高功率密度，同步升压转换器，可由宽输入电压范围 2.7 V ~ 9 V 供电。宽泛的输入电压范围非常适用于单节或双节锂离子电池便携设备，例如带有高压专用充电端口 HVDCP 的移动电源。由于采用电流模 PWM 控制架构, AP2018 在定频时可获得快速瞬态响应，在轻载时处于 PF...

内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306H

PN8306H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8306H集成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护...

外围元器件极精简,宽输出范围非隔离交直流转换芯片-PN8036M

PN8036M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET ，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8036M内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8036M的降频调制技术有助于改善EMI...

6级能效标准内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306L

PN8306L包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306L内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8306L集成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护...

N型功率MOSFET集成高压启动的高性能同步整流器--8305L

PN8305L包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305L内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度.PN8305L处于开关工作模式，只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。