-
-
N通道超级沟槽ii功率mosfet--NCEP058N85D
The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both c...
-
-
增强型功率mosN沟道--NCE4080K
The NCE4080K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications...
-
-
N沟道增强型功率mosfet--NCE3010S
The NCE3010S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications...
-
-
龙腾12A,N渠道650V超级MOS管--LND12N65
Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performan...
-
-
龙腾10A,N渠道650V超级MOS管--LND10N65
Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology.The resulting device has low conduction resistance,superior switching performanc...
-
-
龙腾N渠道650V,4A超级MOS管--LND4N65
The Power MOSFET is fabricated using the advanced planar VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performanc...
-
-
龙腾N渠道650V,16A超级MOS管--LND16N65
Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performan...
-
-
龙腾N渠道650V,7A超级MOS管--LND7N65D
The Power MOSFET is fabricated using the advanced planar VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performanc...
-
-
龙腾N渠道650V,20A超级MOS管--LND20N65/LNB20N65
Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performan...
-
-
MOS管--NCE3407A
Description The NCE3407A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load switch or in PWM applicat...
-
-
新洁能MOS管--NCE3407
MOS管--3407 封装是SOT-23.THE NCE3407 USES ADVANCED TRENCH TECHNOLOGU TO JROVIDE EXCELLONT RDS(ON).
-
-
10A、650V N沟道增强型场效应管--SVF10N65T/F/K/S
SVF10N65T/F/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。
-
-
7A、650V N沟道增强型场效应管--SVF7N65T/F/K/S
SVF4N65T/F/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。
-
-
5A、600V N沟道增强型场效应管--SVF5N60T/F/D/MJ/K
SVF5N60T/F/D/MJ/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。
-
-
4A、650V N沟道增强型场效应管--SVF4N65T/F/M/MJ/D/K
SVF4N65T/F/M/MJ/D/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。
-
-
3A、800V N沟道增强型场效应管--SVF3N80M/MJ/F/D
SVF3N80M/MJ/F/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。
-
-
12A、650V N沟道增强型场效应管--SVF12N65T/F/K/S
SVF12N65T/F/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
-
-
7A、800V N沟道增强型场效应管--SVF7N80T/F
SVF7N80T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
-
-
2A、600V N沟道增强型场效应管--SVF2N60M/MJ/N/F/T/D
SVF2N60M/MJ/N/F/T/D N沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
-
-
1A、600V N沟道增强型场效应管--SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H
SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。
推荐产品
推荐资讯
- 2014-07-30 山寨LED驱动芯片厂家能否成为好品质
- 2016-02-01 低待机功耗的咖啡机
- 2018-01-10 芯圣单片机HC89F003可直接替代STM8S003
- 2017-07-27 逆变器硬件电机驱动芯片电路设计
- 2014-12-09 50W非隔离LED驱动芯片:炫目新技术—光纸
- 2015-11-27 电源芯片公司丰富员工的业余文化生活
- 2014-03-14 东莞香港共建中国第四代LED驱动IC产业基地
- 2016-12-22 关于无线车充方案
- 2018-10-22 秋高气爽,大家注意添衣保暖!
- 2017-09-22 利用驱动芯片快速响应的优势实现高画质的LED显示屏
- 2014-10-14 CU6503:回顾毕业季
- 2018-03-27 集成USB TYPEC/PD2.0/PD3.0 协议用于USB TYPEC 输入端口的快充协议IC--IP2721
- 2014-03-14 针对目前市面上有部分其他品牌的产品出现抗干扰能力比较差的问题,请问芯朋微的产品是如何处理及解决此类现象?
- 2014-03-14 LED电源主要测试哪一些基本参数?
- 2014-07-01 一致性好的LED驱动IC,中铭电子为您提供专业解决方案
- 2015-06-30 调光LED驱动IC在高端蓄电台灯的应用
- 2017-01-23 好的智能家电离不开品质好的开关电源芯片
- 2014-03-15 怎样选择自己合适的LED 驱动IC
- 2014-11-18 智能家电控制板——LED灯饰在现代家装的应用
- 2017-08-16 高频开关电源芯片的解决方法查找
销售电话:0769-81150556
工程电话:0769-85638990
传真:0769-83351643
地址:东莞市矮岭冚村沿河东街8号