登录|注册收藏本站在线留言联系中铭网站地图 English

您好,欢迎访问中铭电子官方网站!

中铭电子 中铭电子

咨询电话:

400-788-7770
18923224605

热门关键词: 气压传感器 压力传感器品牌 led恒流驱动芯片 IGBT MOS管 led驱动

中铭电子解决方案
龙腾12A,N渠道650V超级MOS管--LND12N65
龙腾12A,N渠道650V超级MOS管--LND12N65
Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performan...
龙腾10A,N渠道650V超级MOS管--LND10N65
龙腾10A,N渠道650V超级MOS管--LND10N65
Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology.The resulting device has low conduction resistance,superior switching performanc...
龙腾N渠道650V,4A超级MOS管--LND4N65
龙腾N渠道650V,4A超级MOS管--LND4N65
The Power MOSFET is fabricated using the advanced planar VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performanc...
龙腾N渠道650V,16A超级MOS管--LND16N65
龙腾N渠道650V,16A超级MOS管--LND16N65
Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performan...
龙腾N渠道650V,7A超级MOS管--LND7N65D
龙腾N渠道650V,7A超级MOS管--LND7N65D
The Power MOSFET is fabricated using the advanced planar VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performanc...
龙腾N渠道650V,20A超级MOS管--LND20N65/LNB20N65
龙腾N渠道650V,20A超级MOS管--LND20N65/LNB20N65
Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performan...
MOS管--NCE3407A
MOS管--NCE3407A
Description The NCE3407A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load switch or in PWM applicat...
新洁能MOS管--NCE3407
新洁能MOS管--NCE3407
MOS管--3407 封装是SOT-23.THE NCE3407 USES ADVANCED TRENCH TECHNOLOGU TO JROVIDE EXCELLONT RDS(ON).
10A、650V N沟道增强型场效应管--SVF10N65T/F/K/S
10A、650V N沟道增强型场效应管--SVF10N65T/F/K/S
SVF10N65T/F/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。
7A、650V N沟道增强型场效应管--SVF7N65T/F/K/S
7A、650V N沟道增强型场效应管--SVF7N65T/F/K/S
SVF4N65T/F/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。
5A、600V N沟道增强型场效应管--SVF5N60T/F/D/MJ/K
5A、600V N沟道增强型场效应管--SVF5N60T/F/D/MJ/K
SVF5N60T/F/D/MJ/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。
4A、650V N沟道增强型场效应管--SVF4N65T/F/M/MJ/D/K
4A、650V N沟道增强型场效应管--SVF4N65T/F/M/MJ/D/K
SVF4N65T/F/M/MJ/D/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。
3A、800V N沟道增强型场效应管--SVF3N80M/MJ/F/D
3A、800V N沟道增强型场效应管--SVF3N80M/MJ/F/D
SVF3N80M/MJ/F/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。
12A、650V N沟道增强型场效应管--SVF12N65T/F/K/S
12A、650V N沟道增强型场效应管--SVF12N65T/F/K/S
SVF12N65T/F/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
7A、800V N沟道增强型场效应管--SVF7N80T/F
7A、800V N沟道增强型场效应管--SVF7N80T/F
SVF7N80T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
2A、600V N沟道增强型场效应管--SVF2N60M/MJ/N/F/T/D
2A、600V N沟道增强型场效应管--SVF2N60M/MJ/N/F/T/D
SVF2N60M/MJ/N/F/T/D N沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
1A、600V N沟道增强型场效应管--SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H
1A、600V N沟道增强型场效应管--SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H
SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。
MOS管 NCE8580
MOS管 NCE8580
The NCE8580 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load swit...
MOS管 NCE7578
MOS管 NCE7578
The NCE7578 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load swit...
MOS管 NCE6890
MOS管 NCE6890
The NCE6890 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
记录总数:39 | 页数:212  
联系中铭
全国咨询热线:400-788-7770

销售电话:0769-81150556
工程电话:0769-85638990

传真:0769-83351643

邮箱:dgzm699@163.com

地址:东莞市矮岭冚村沿河东街8号