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具有保护功能的门极驱动芯片--PN7003
PN7003是一款可以提供大电流输出、方便易用的智能化IGBT驱动,该芯片集成了欠压锁定、过压锁定、IGBT导通时间 控制、IGBT SOA保护以及故障后“软关断”等功能,保障IGBT工作。并且PN7003可与MCU进行故障通信,将故障信号反 馈给MCU,同时接收MCU唤醒或重置信号。
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三相半桥驱动芯片-PN7136
PN7136是一款具有三相独立输出的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片,其浮地通道能工作在600V的高压下,可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT结构。该芯片逻辑输入电平兼容3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。该芯片可以通过外部电流感应电阻传送信号对六个输出进行关断,实现过流保护...
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功耗睡眠模式的四通道直流马达驱动芯片--PN7719
PN7719是一款具有功耗睡眠模式的四通道直流马达驱动芯片,其可以控制马达进入正转、反转和功耗睡眠模式。该芯片集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护等功能。该芯片的两个输入管脚IN1和IN2兼容5V和3.3V信号控制,具有抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构,高侧导通电阻0.6ohm,低侧导通电阻0.4oh...
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具有低功耗睡眠模式、外部限流可调的两通道直流马达驱动芯片--PN7707
PN7707是一款具有低功耗睡眠模式的两通道直流马达驱动芯片,其可以控制马达进入正转、反转、刹车、滑行和功耗睡眠模式。该芯片集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护和外部可调节驱动限流等功能,并且可以将错误状态反馈给MCU,保障马达工作。该芯片的两个输入管脚IN1和IN2兼容5V和3.3V信号控制,具有抗干扰性...
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基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片--PN7103
PN7103 是一款基于 P衬底、P外延的高压、高速功率 MOSFET和 IGBT驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下,可用于驱动 2个N型功率 MOSFET或 IGBT组成的半桥结构。该芯片逻辑输入电平兼容 3.3V的CMOS或 LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力。传输延时具有匹...
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3段高压驱动电源芯片--PN7336
The PN7336 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with a three independent high and low sidereferenced output channels for 3-...
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具有功耗睡眠模式的两通道马达驱动芯片--PN7705
PN7705是一款具有功耗睡眠模式的两通道直流马达驱动芯片,其可以控制马达进入正转、反转、刹车和功耗睡眠模式。该芯片集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护和外部可调节驱动限流等功能,并且可以将错误状态反馈给MCU,保障马达工作。该芯片的两个输入管脚IN1和IN2兼容5V和3.3V信号控制,具有良好的抗干扰性。...
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网格状高压力高功率MOSFET--PN7308
The PN7308 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-...
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网格状高功率MOSFET--PN7303
The PN7303 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-...
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三相桥式驱动器--PN7136
The PN7136 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with a three independent high and low side referenced output channels for 3-phase ap...
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高压力,高功率MOSFET--PN7106A/B
The PN7106A/B is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two...
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高、低驱动程序高功率MOSFET--PN7113
The PN7113 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels based on P_SUB P_EPI pr...
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高电压,高功率驱动MOSFET--PN7104
The PN7104 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-...
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网格状电机驱动芯片--PN7103
The PN7103 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-...
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高、低驱动程序电机驱动芯片--PN7101
The PN7101 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-...
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高压供电驱动芯片--PN7008A/B
The PN7008 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT ...
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120V高、低驱动程序电机驱动芯片--PN7006A/B
The PN7006 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-...
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半桥驱动芯片-PN7103
PN7103是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片,其浮地通道能工作在600V的高压下,可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT组成半桥结构,该芯片逻辑输入电平兼容3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力,传输延时具有匹配性,以简化在高频下的应用。
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