具有保护功能的门极驱动芯片--PN7003

PN7003是一款可以提供大电流输出、方便易用的智能化IGBT驱动，该芯片集成了欠压锁定、过压锁定、IGBT导通时间 控制、IGBT SOA保护以及故障后“软关断”等功能，保障IGBT工作。并且PN7003可与MCU进行故障通信，将故障信号反 馈给MCU，同时接收MCU唤醒或重置信号。

三相半桥驱动芯片-PN7136

PN7136是一款具有三相独立输出的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片，其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT结构。该芯片逻辑输入电平兼容3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。该芯片可以通过外部电流感应电阻传送信号对六个输出进行关断，实现过流保护...

芯朋微电子ID7S625 600V高压半桥驱动芯片

ID7S625半桥驱动芯片是一款基于P衬底、 P外延的高压、高速功率的MOSFET和IGBT栅极驱动器，具有独立的高低侧输出通道。其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动一个N 沟道功率.MOSFE或IGBT半桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3V。具有大电流输...

隔离式单通道栅极驱动芯片-PN7901

PN7901是-款隔离式单通道栅极驱动芯片，该芯片可以作为大功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7901至少提供5A的隔离输出电流，井且具有较小的传播延时和脉冲宽度失真。输入逻辑控制管脚IN+和IN-能够在3V到20V的宽输入电压范围内工作，兼容3.3V和5V的信号控制。

带米勒钳位的隔离式单通道栅极驱动芯片-PN7901M

PN7901M是一款隔离式单通道栅极驱动芯片，该芯片可以作为大功率MOSFET. IGBT和SiC的驱动开关。PN7901M至少提供5A的隔离输出电流，并且具有3A拉电流的米勒钳位功能。输入逻辑控制管脚IN+和IN-能够在3.1V到24V的宽输入电压范围内工作。

高压三相栅极驱动芯片-PN7335

PN7335是- .款三相栅极驱动芯片，它能工作在600V的高压下，可用于驱动6个N沟道MOSFET或IGBT的三相全桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3.3V.芯片集成过流检测功能，当检测到过流信号时会关断6路驱动输出信号。芯片具有使能功能可同时控制6路输出信号的开关。芯...

高低侧栅极驱动芯片-PN7011

PN7011是-款具有独立高低侧输出通道的高压高速驱动器,浮动通道可用于驱动高压电源开关，其工作电压高达150V,该芯片具有以下几个主要性能，峰值输出上拉和下拉电流提高到4A拉电流和4A灌电流，因此在MOSFET的米勒平台转换期间用尽可能小的开关损耗驱动大功率MOSFET。

双通道、高速低侧栅极驱动芯片-PN7762

PN7762是一款双通道、高速低侧栅极驱动芯片，该芯片可以作为大功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7762的输出可以提供高达5A拉电流和5A灌电流的峰值电流脉冲，且输入信号到输出信号的传播延时极小，典型值为22ns。此外,该芯片的两个通道之间的传播匹配延时小于2ns，可 将两个通道并联使用。该芯片的输...

高低侧栅极驱动芯片-ID2006

ID2006是-款基于P衬底、P外延工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片，具有独立的高低边参考输出通道。该浮动通道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET,工作电压高达200V。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3.3V。具有大电流输出能力。

高压侧栅极驱动芯片-ID2005

ID2005是一款基于P衬底，P外延工艺的高压，高速功辜MOSFET和IGBT驱动芯片，具有独立的高低边参考输出通道。该浮动通道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET,工作电压高达200V。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号,逻辑输入电平低至3.3V。具有大电流输出能力.

具有低功耗睡眠模式、外部限流可调的四通道直流马达驱动芯片-PN7713

PN7713是一款具有低功耗睡眠模式的四通道直流马达驱动芯片，其可以驱动一个步进电机、两个直流电机或者两通道并联驱动一个直流电机，控制马达进入正转、反转、刹车、滑行和超低功耗睡眠模式。该芯片集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护和外部可调节驱动限流等功能，并且可以将错误状态反馈给MCU，保障马达安全工作。该芯...

具有低功耗睡眠模式、低导通内阻的两通道直流马达驱动芯片-PN7709

PN7709是--款具有低功耗睡眠模式的两通道直流马达驱动芯片，其可以控制马达进入正转、反转、刹车、滑行和超低功耗睡眠模式。该芯片集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护和外部可调节驱动限流等功能，并且可以将错误状态反馈给MCU，保障马达安全工作。该芯片的两个输入管脚IN1和IN2兼容5V和3.3V信号控制，具...

具有超低功耗睡眠模式的四通道直流马达驱动芯片-PN7715

PN7715是一款具有超低功耗睡眠模式的四通道直流马达驱动芯片，其可以控制马达进入正转、反转和超低功耗睡眠模式。该芯片集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护等功能。该芯 片的两个输入管脚IN1和IN2兼容5V和3.3V信号控制，具有良好的抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构，高侧导通电阻0.5ohm，...

高压高低侧栅极驱动芯片- IDS609

IDS609是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下。可用于驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT构成的半桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3.3V。具有大电流输出能力，输入端具有有效电平逻辑互锁功能，能够...

600V高性能半桥驱动- PN7195

PN7195是- -款单相半桥智能功率模块，用于无刷电机驱动，模块内部集成- - 颗智能HVIC和两颗低Rs(on)的FR-MOSFET。模块采用CSOP10封装，使用非常方便。输入兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平兼容3.3V/5V/15V。模块内置多种保护功能，包括电源欠压保护、过流保护、过温保护...

600V高性能半桥马达驱动芯片- PN7193

PN7193是- -款单相半桥智能功率模块，用于无刷电机驱动，模块内部集成一- 颗智能HVIC和两.颗低Rs(on)的FR-MOSFET。模块采用CSOP10封装，使用非常方便。输入兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平兼容3..3V/5V/15V。模块内置多种保护功能，包括电源欠压保护、过流保护、过温保...

四输出通道并行接口低侧驱动器-PN7736

PN7736是一款具有保护功能的四通道低侧驱动器，其内部低侧集成了四个N沟道MOSFET，高侧集成了四个功率二=极管，可为电感负载提供续提供1.5A 持续输出电流;同时输出时可提供800mA的持续工作电流。该芯片输出由简单的并行输入接口控制，内部集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护等功能。

功耗睡眠模式的四通道直流马达驱动芯片--PN7719

PN7719是一款具有功耗睡眠模式的四通道直流马达驱动芯片，其可以控制马达进入正转、反转和功耗睡眠模式。该芯片集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护等功能。该芯片的两个输入管脚IN1和IN2兼容5V和3.3V信号控制，具有抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构，高侧导通电阻0.6ohm，低侧导通电阻0.4oh...

具有低功耗睡眠模式、外部限流可调的两通道直流马达驱动芯片--PN7707

PN7707是一款具有低功耗睡眠模式的两通道直流马达驱动芯片，其可以控制马达进入正转、反转、刹车、滑行和功耗睡眠模式。该芯片集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护和外部可调节驱动限流等功能，并且可以将错误状态反馈给MCU，保障马达工作。该芯片的两个输入管脚IN1和IN2兼容5V和3.3V信号控制，具有抗干扰性...

基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片--PN7103

PN7103 是一款基于 P衬底、P外延的高压、高速功率 MOSFET和 IGBT驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动 2个N型功率 MOSFET或 IGBT组成的半桥结构。该芯片逻辑输入电平兼容 3.3V的CMOS或 LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力。传输延时具有匹...