国硅代理商250V4A 单相高低侧功率栅极驱动芯片NSG2023

NSG2023是一款高压、高速功率MOSFET高低侧栅极驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2023采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。NSG2023集成有自举二极管，对...

国硅集成250V1.2A 单相高低侧功率半桥栅极驱动芯片G2022

G2022是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2022采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。G2022其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率...

国硅代理商2A单通道低侧同相栅极驱动芯片NSG44273

NSG44273是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅极驱动芯片。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG44273逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在-40℃至125℃温度范围内...

NSG2007国硅集成250V半桥高低侧栅极驱动芯片东莞市中铭电子

NSG2007是一款高压、高速功率MOSFET高低侧栅极驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2007采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。NSG2007其浮动通道可用于驱动...

NSG21814 国硅集成700V半桥高低侧栅极驱动芯片

NSG21814是高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动系列芯片，具有两个独立传输通道，逻辑地与功率地分离，可以更好的减少功率级噪声对逻辑电路的干扰。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流...

NSG27531 2A/4A带使能的单通道低侧栅极驱动芯片东莞市中铭电子

NSG27531是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位 栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁 棒性的单芯片集成结构。NSG27531逻辑输入电平兼容

国硅集成代理商提供700V大电流、高低侧栅极驱动芯片NSG2184

NSG2184 是高压、 高速功率 MOSFET/IGBT 高低侧驱 动系列芯片， 具有单输入信号同时控制两个传输通道。 内部集成了高、 低侧欠压锁定电路、 过压钳位电路、 和防直通锁定电路等保护电路， 具备大电流脉冲输出 能力， 逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输...

国硅集成NSG21271 300V带过流检测的单通道高侧 栅极驱动芯片

NSG21271是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。NSG21271采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出...

国硅集成200V单相高侧功率栅极驱动芯片NSG20752应用电机控制

NSG20752是一款高压、高速功率MOSFET高侧驱动芯片。NSG20752采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电乎，输出具有大电流脉冲能力。NSG20752其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达2...

国硅集成70OV大电流高、低侧电机驱动芯片NSG6020适用于无人机电机控制

NSG6020是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能 力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。...

国硅集成4A单通道低侧同相栅极驱动芯片NSG27517

NSG27517是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的门锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG27517逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在-40℃至125℃温度范围内工作...

国硅集成NSG27524双通道4A高速功率开关低侧驱动芯片应用电机控制

NSG27524是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG27524在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG27524不会受到损坏。NSG27524可以接受高达500mA的反向电流强制返...

国硅集成NSG27526双通道、双使能4A超高速功率开关驱动芯片

NSG27526器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器，此器件能够有效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率管（IGBT）电源开关。NSG27526能够将高达4A拉电流和4A灌电流的高峰值电流脉冲传送到电容负载，此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为20ns的极小传播延迟。

国硅集成300V带过流检测单通道高侧栅极驱动芯片NSG21276

NSG21276是一款带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。NSG21276采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。

国硅集成NSG2000 250V、快速、高压侧 NMOS 静态开关常导通栅极驱动芯片

NSG2000是一款快速、高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器，采用高达250V的输入电压工作。该器件可以实现一个负责全面增强外部N沟道MOSFET开关的充电结构，因而使其能够无限期地保持导通。

国硅集成G2063Q 250V1.5A三相高低侧功率MOSFET/IGBT电机驱动芯片

G2063Q是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2063Q逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。

国硅集成NSG2153D 600V 自振荡半桥 MOSFET/IGBT 电机驱动芯片

NSG2153D 是一款高压、高速功率 MOSFET 自振荡 半桥驱动芯片。 NSG2153D 其浮动通道可用于驱动高 低侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可 达 600V。

NSG21867 国硅集成700V 大电流高、低侧 MOSFET/IGBT驱动芯片

NSG21867 是一款高压、高速功率 MOSFET/IGBT 高低 侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了 高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路， 具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出电流能力 最大可达 4A，其浮...

国硅集成NSG27511单通道高速低侧栅极驱动芯片

NSG27511单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）电源开关。NSG27511采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供到轨驱动能力以及超短的传播延迟。

国硅集成NSG2065 250V集成自举的三相栅极驱动芯片

NSG2065是一款三相高压功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，可以同时驱动高侧和低侧功率晶体管的栅极。浮动通道驱动设计可以容纳总线电压高达250V。NSG2065输出能够提供较大的驱动能力，输出拉灌电流可以到达1.2A/1.5A。NSG2065工作电压范围宽，高、低侧栅极驱动电压都可经优化以达到最佳驱动效...