国硅集成250V 1.2A单相高低侧栅国产栅极驱动芯片-G2021

G2021是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2021采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑G2021其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率M...

国硅集成NSG2136 700V带使能和故障报告的三相半桥驱动芯片

NSG2136是N型高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧三相栅极驱动芯片，包含三路独立的半桥驱动电路。内部集成了欠压保护和过流保护功能，出现异常时立即关断六通道输出。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。通过连接到RCIN输入的RC网络在外部编程延时后，过电流故障情况自动清除。

国硅集成NSG2000 250V、快速、高压侧 NMOS 静态开关常导通栅极驱动芯片

NSG2000是一款快速、高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器，采用高达250V的输入电压工作。该器件可以实现一个负责全面增强外部N沟道MOSFET开关的充电结构，因而使其能够无限期地保持导通。

国硅集成G2063Q 250V1.5A三相高低侧功率MOSFET/IGBT电机驱动芯片

G2063Q是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2063Q逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。

国硅集成NSG2153D 600V 自振荡半桥 MOSFET/IGBT 电机驱动芯片

NSG2153D 是一款高压、高速功率 MOSFET 自振荡 半桥驱动芯片。 NSG2153D 其浮动通道可用于驱动高 低侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可 达 600V。

NSG21867 国硅集成700V 大电流高、低侧 MOSFET/IGBT驱动芯片

NSG21867 是一款高压、高速功率 MOSFET/IGBT 高低 侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了 高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路， 具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出电流能力 最大可达 4A，其浮...

国硅集成NSG27511单通道高速低侧栅极驱动芯片

NSG27511单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）电源开关。NSG27511采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供到轨驱动能力以及超短的传播延迟。

国硅集成NSG2065 250V集成自举的三相栅极驱动芯片

NSG2065是一款三相高压功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，可以同时驱动高侧和低侧功率晶体管的栅极。浮动通道驱动设计可以容纳总线电压高达250V。NSG2065输出能够提供较大的驱动能力，输出拉灌电流可以到达1.2A/1.5A。NSG2065工作电压范围宽，高、低侧栅极驱动电压都可经优化以达到最佳驱动效...

国硅集成G2061Q 250V 1.5A三相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片

G2061Q是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2061Q逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。G2061Q 浮动通道可用于驱动高压侧N...

国硅集成NSG21364 700V 带使能和故障报告的三相半桥 IGBT 驱动芯片

NSG21364是N型高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧三相栅极驱动芯片，包含三路独立的半桥驱动电路。内部集成了欠压保护和过流保护功能，出现异常时立即关断六通道输出。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。通过连接到RCIN输入的RC网络在外部编程延时后，过电流故障情况自动清除 。NSG21364集成有...

国硅集成NSG10752 100V 单相高侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG10752是一款高压、高速功率MOSFET高侧驱动芯片NSG10752采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力。NSG10752其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达10...

国硅集成NSG27519 4A 带使能的单通道低侧栅极驱动芯片

NSG27519是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG27519逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VDD范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在-40℃至125℃温度范围内工作...

国硅集成代理商NSG27324双通道4A超高速功率栅极驱动芯片

NSG27324 是功率开关系列驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG27324在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG27324不会受到损坏。NSG27324可以接受高达500mA的反向电流...

国硅集成NSG4428 双通道 2A 超高速功率开关栅极驱动芯片

NSG4428是功率开关系列驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG4428芯片在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG4428芯片不会受到损坏。NSG4428 芯片可以接受高达500mA的反向...

国硅集成授权代理商NSG4427 双通道 2A 超高速功率栅极驱动器

NSG4427 是功率开关系列驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG4427在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG4427不会受到损坏。NSG4427可以接受高达500mA的反向电流强制返回...

国硅集成代理商NSG4426 双通道 2A 超高速功率开关栅极驱动器

NSG4426 是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG4426 在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG4426 不会受到损坏。NSG4426可以接受高达500mA的反向电流强制返回...