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200V耐压DC-DC隔离转换器--PN6380

产品分类: 隔离式原边反馈芯片
    PN6380集成准谐振原边控制器及200V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的低直流输入电压隔离电源和电动自行车内置电源。PN6380为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置启动电路,可实现芯片空载损耗(120VDC)小于150mW。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术清除音频噪声,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。
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    支持苹果20W芯片 高性能准谐振交直流转换芯片--PN8162
    支持苹果20W芯片 高性能准谐振交直流转换芯片--PN8162
    PN8162内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET,用于高的性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全和性能良好的保护功能,包括输出过压保护、逐周期过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了低的待机功耗、全电压范围下的效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。
    集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET--PN8161X
    集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET--PN8161X
    PN8161内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET,用于性能高、外围元器件较简的交直流转换开关电源。该芯片提供了保护功能,包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了待机功耗、电压范围下的效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。
    用于高性能,内置650V高雪崩能力的功率MOSFET--PN6147
    用于高性能,内置650V高雪崩能力的功率MOSFET--PN6147
    PN6147内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供性能优异的智能化保护功能,包括周期式过流保护(外部可调)、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和器件低功耗结构技术实现了的待机功耗、电压范围下的效率。良好的EMI表现由频率调制技术和Soft Driver技术充分保证。该芯片还内置智能高压启动模块。PN6147为需要待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个平台,非常适合六级能效标准、Eur2.0、能源之星的应用。

                  200V耐压DC-DC隔离转换器--PN6380 

       

      一 概述

      PN6380集成准谐振原边控制器及200V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的低直流输入电压隔离电源和电动自行车内置电源。PN6380为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置启动电路,可实现芯片空载损耗(120VDC)小于150mW。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术清除音频噪声,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS/短路保护等。

       

      二 特性

       内置200V高雪崩能力智能功率MOSFET

       内置启动电路,小于150mW空载损耗(120VDC

       采用准谐振与多模式技术

       全电压输入范围±5%CC/CV精度

       原边反馈可省光耦和TL431

       恒压、恒流、输出线补偿外部可调

       无需额外补偿电容

       无音频噪声

       智能保护功能

       

      *过温保护(OTP)
      *VDD欠压&过压保护(UVLO&OVP)
      *逐周期过流保护(OCP)
      *CS开/短路保护(CSO/SP)
      *开环保护(OLP)
       
       
      三 应用领域

       低输入隔离电源

       电动自行车

       

      四 封装

       

       

      五 应用电路图

       

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        销售部电话:0769-81150556   

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      支持苹果20W芯片 高性能准谐振交直流转换芯片--PN8162
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      PN8162内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET,用于高的性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全和性能良好的保护功能,包括输出过压保护、逐周期过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了低的待机功耗、全电压范围下的效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。
      集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET--PN8161X
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      PN8161内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET,用于性能高、外围元器件较简的交直流转换开关电源。该芯片提供了保护功能,包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了待机功耗、电压范围下的效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。
      用于高性能,内置650V高雪崩能力的功率MOSFET--PN6147
      用于高性能,内置650V高雪崩能力的功率MOSFET--PN6147
      PN6147内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供性能优异的智能化保护功能,包括周期式过流保护(外部可调)、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和器件低功耗结构技术实现了的待机功耗、电压范围下的效率。良好的EMI表现由频率调制技术和Soft Driver技术充分保证。该芯片还内置智能高压启动模块。PN6147为需要待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个平台,非常适合六级能效标准、Eur2.0、能源之星的应用。

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