830V高雪崩能力超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8366

PN8366集成超低待机功耗准谐振原边控制器及830V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并...

500kHz,5A同步整流升压转换器--AP2007

AP2007是一款紧凑型，高效率同步升压转换器，内置功率MOSFET,在关闭输出时实现真正关断功能。AP2007静态电流仅为70uA(典型值)，空载或轻载时，AP2007为高效节能的PFM工作模式。当负载大于150mA时，采用500KHz固定频率PWM工作模式。内部补偿的电流控制模式实现快速瞬态响应。

690V高雪崩能力超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN6370M

PN6370M六级能效集成超低待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6370M为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ）小于30mW。

用于高性能,高精度CC CV原边反馈交直流转换器--PN8232

PN8232是一款高精度的恒压、恒流原边控制器。用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。PN8232工作在原边调整模式，可省略光耦和TL431。该芯片提供了极为全面的自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS电阻开/短路保护等。极低的芯片启动电流能够满足较高的...

六级能效超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370M

PN8370M集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ） 小于30mW。

非隔离超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8368

PN8368 集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ） 小于30mW。

原边反馈机顶盒开关电源适配器电源芯片-PN8386

PN8386集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。

原边反馈6级能效充电器驱动芯片-PN8235

PN8235集成超低待机功耗准谐振原边控制器及750V智能高压启动模块，外驱功率DMOS，外表Rg可调。PN8235用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8235为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。

超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370

PN8370 5V2.4A/5V2A集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ） 小于30mW。

高精度CC/CV原边反馈交直流转换器-PN8356

PN8356 5V1A/5V1.2A包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。 PN8356工作在原边检测模式，可省略光耦和TL431。

高精度CC CV原边反馈交直流转换器-PN8358

PN8358包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。PN8358工作在原边检测模式，可省略光耦和TL431。该芯片提供了极为全面的自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS电阻开/短路保护等。内置高压启动电路...

12W原边反馈电源管理芯片-PN8360

PN8360包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。 PN8360工作在原边检测模式，可省略光耦和TL431。该芯片提供了极为全面的自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。

高精度CC/CV原边反馈交直流转换器--PN8359

PN8359 5V2.4A/12V1A包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。PN8359工作在原边检测和调整模式，可省略光耦和TL431。该芯片提供了极为全面的自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开...

外围元器件精简,高精度CC/CV原边反馈交直流转换器--PN8355

PN8355 5V1A包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。PN8355工作在原边检测和调整模式，可省略光耦和TL431。该芯片提供了极为全面的自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。...

适用于小家电,高性能外围元器件精简的充电器电源芯片--PN6770H

PN6770H集成超低待机功耗原边控制器及750V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6770H为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术提高效率并消除音频噪声，...

采用多模式技术提高效率,隔离式原边反馈转换器--PN6780H

PN6780H集成超低待机功耗原边控制器及750V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6780H为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术提高效率并消除音频噪声，...

内置高压启动电路,原边反馈交直流转换器--PN6775H

PN6775H集成超低待机功耗原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6775H为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统...

外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源的芯片--PN8395H

PN8395H集成超低待机功耗准谐振原边控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8395H为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431，支持CCM和DCM两种工作模式。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，...

用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源转换器--PN6775

PN6775集成超低待机功耗原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6775为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足...

全电压输入范围±5%的CC/CV精度交直流转换器--PN8370Q

PN8370Q集成超低待机功耗原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8370Q为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术提高效率并消除音频噪声，...