690V高雪崩能力待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN6370M

PN6370M六级能效集成待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6370M为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ）小于30mW。

用于高性能,高精度CC CV原边反馈交直流转换器--PN8232

PN8232是一款高精度的恒压、恒流原边控制器。用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。PN8232工作在原边调整模式，可省略光耦和TL431。该芯片提供了的自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS电阻开/短路保护等。极低的芯片启动电流能够满足的待机功耗标准...

六级能效待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370M

PN8370M集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ） 小于30mW。

非隔离待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8368

PN8368 集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ） 小于30mW。

原边反馈机顶盒开关电源适配器电源芯片-PN8386

PN8386集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。

原边反馈6级能效充电器驱动芯片-PN8235

PN8235集成待机功耗准谐振原边控制器及750V智能高压启动模块，外驱功率DMOS，外表Rg可调。PN8235用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8235为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。

待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370

PN8370 5V2.4A/5V2A集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ） 小于30mW。

高精度CC/CV原边反馈交直流转换器-PN8356

PN8356 5V1A/5V1.2A包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。 PN8356工作在原边检测模式，可省略光耦和TL431。

高精度CC CV原边反馈交直流转换器-PN8358

PN8358包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。PN8358工作在原边检测模式，可省略光耦和TL431。该芯片提供的自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS电阻开/短路保护等。内置启动电路和极低的芯片工...

12W原边反馈电源管理芯片-PN8360

PN8360包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。 PN8360工作在原边检测模式，可省略光耦和TL431。该芯片提供的自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。

高精度CC/CV原边反馈交直流转换器--PN8359

PN8359 5V2.4A/12V1A包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。PN8359工作在原边检测和调整模式，可省略光耦和TL431。该芯片提供的自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护...

外围元器件精简,高精度CC/CV原边反馈交直流转换器--PN8355

PN8355 5V1A包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。PN8355工作在原边检测和调整模式，可省略光耦和TL431。该芯片提供的自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。内置高压启...

低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器--PN6710H

PN6710H集成低待机功耗准谐振原边控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6710H为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于75mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术音频噪声，使得系...

支持CCM模式准谐振原边反馈交直流转换器--PN8390

PN8390集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率 MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置 电源。PN8390为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431，支持CCM和DCM两种工作模式。内置高压启动电路，可实现系统空载待机损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式...

集成待机功耗原边控制器、FB下偏电阻和电容交直流转换器--PN8611

PN8611集成待机功耗原边控制器、FB下偏电阻和电容、VDD供电二极管、CS电阻及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于性能高、外围元器件较简的充电器、适配器和内置电源。PN8611为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式...

内置BJT六级能效交直流转换器--PN8571

PN8571集成低待机功耗准谐振原边控制器及BJT，用于低成本、外围元器件的充电器、适配器和内置电源。PN8571为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过C...

反激效率高交直流转换芯片--PN8024A

PN8024A芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET，适用于小功率反激原边反馈开关电源。该芯片提供了智能化保护功能，包括过流保护，过压保护，过载保护，欠压保护，过温保护；降频调制技术有助于EMI特性。该芯片还内置启动模块，保证系统能迅速启动。应用系统的外围元件更加简洁。

外围元器件较简,准谐振原边反馈交直流转换器--PN8370F

PN8370F集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于性能高、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8370F为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术音频噪声，使得系统...

适用于小家电,高性能外围元器件精简的充电器电源芯片--PN6770H

PN6770H集成待机功耗原边控制器及750V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6770H为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术音频噪声，使得系统满足 6级...

采用多模式技术,隔离式原边反馈转换器--PN6780H

PN6780H集成待机功耗原边控制器及750V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6780H为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术音频噪声，使得系统满足6级能...