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830V高雪崩能力超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8366
830V高雪崩能力超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8366
PN8366集成超低待机功耗准谐振原边控制器及830V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC )小于30mW。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术提高效率并...
500kHz,5A同步整流升压转换器--AP2007
500kHz,5A同步整流升压转换器--AP2007
AP2007是一款紧凑型,高效率同步升压转换器,内置功率MOSFET,在关闭输出时实现真正关断功能。AP2007静态电流仅为70uA(典型值),空载或轻载时,AP2007为高效节能的PFM工作模式。当负载大于150mA时,采用500KHz固定频率PWM工作模式。内部补偿的电流控制模式实现快速瞬态响应。
690V高雪崩能力超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN6370M
690V高雪崩能力超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN6370M
PN6370M六级能效集成超低待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6370M为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC )小于30mW。
用于高性能,高精度CC CV原边反馈交直流转换器--PN8232
用于高性能,高精度CC CV原边反馈交直流转换器--PN8232
PN8232是一款高精度的恒压、恒流原边控制器。用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。PN8232工作在原边调整模式,可省略光耦和TL431。该芯片提供了极为全面的自恢复保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS电阻开/短路保护等。极低的芯片启动电流能够满足较高的...
六级能效超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370M
六级能效超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370M
PN8370M集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC ) 小于30mW。
非隔离超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8368
非隔离超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8368
PN8368 集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC ) 小于30mW。
原边反馈机顶盒开关电源适配器电源芯片-PN8386
原边反馈机顶盒开关电源适配器电源芯片-PN8386
PN8386集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。
原边反馈6级能效充电器驱动芯片-PN8235
原边反馈6级能效充电器驱动芯片-PN8235
PN8235集成超低待机功耗准谐振原边控制器及750V智能高压启动模块,外驱功率DMOS,外表Rg可调。PN8235用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8235为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。
超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370
超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370
PN8370 5V2.4A/5V2A集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC ) 小于30mW。
高精度CC/CV原边反馈交直流转换器-PN8356
高精度CC/CV原边反馈交直流转换器-PN8356
PN8356 5V1A/5V1.2A包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。 PN8356工作在原边检测模式,可省略光耦和TL431。
高精度CC CV原边反馈交直流转换器-PN8358
高精度CC CV原边反馈交直流转换器-PN8358
PN8358包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。PN8358工作在原边检测模式,可省略光耦和TL431。该芯片提供了极为全面的自恢复保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS电阻开/短路保护等。内置高压启动电路...
12W原边反馈电源管理芯片-PN8360
12W原边反馈电源管理芯片-PN8360
PN8360包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。 PN8360工作在原边检测模式,可省略光耦和TL431。该芯片提供了极为全面的自恢复保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。
高精度CC/CV原边反馈交直流转换器--PN8359
高精度CC/CV原边反馈交直流转换器--PN8359
PN8359 5V2.4A/12V1A包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。PN8359工作在原边检测和调整模式,可省略光耦和TL431。该芯片提供了极为全面的自恢复保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开...
外围元器件精简,高精度CC/CV原边反馈交直流转换器--PN8355
外围元器件精简,高精度CC/CV原边反馈交直流转换器--PN8355
PN8355 5V1A包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。PN8355工作在原边检测和调整模式,可省略光耦和TL431。该芯片提供了极为全面的自恢复保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。...
内置BJT六级能效交直流转换器--PN8571
内置BJT六级能效交直流转换器--PN8571
PN8571集成低待机功耗准谐振原边控制器及BJT,用于低成本、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8571为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出...
反激高效率交直流转换芯片--PN8024A
反激高效率交直流转换芯片--PN8024A
PN8024A芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET,适用于小功率反激原边反馈开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,过压保护,过载保护,欠压保护,过温保护;降频调制技术有助于改善EMI特性。该芯片还内置高压启动模块,保证系统能迅速启动。应用系统的外围元件更加简洁。
外围元器件精简,准谐振原边反馈交直流转换器--PN8370F
外围元器件精简,准谐振原边反馈交直流转换器--PN8370F
PN8370F集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8370F为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于30mW。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术提高效率并...
适用于小家电,高性能外围元器件精简的充电器电源芯片--PN6770H
适用于小家电,高性能外围元器件精简的充电器电源芯片--PN6770H
PN6770H集成超低待机功耗原边控制器及750V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6770H为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于50mW。在恒压模式,采用多模式技术提高效率并消除音频噪声,...
采用多模式技术提高效率,隔离式原边反馈转换器--PN6780H
采用多模式技术提高效率,隔离式原边反馈转换器--PN6780H
PN6780H集成超低待机功耗原边控制器及750V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6780H为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于50mW。在恒压模式,采用多模式技术提高效率并消除音频噪声,...
内置高压启动电路,原边反馈交直流转换器--PN6775H
内置高压启动电路,原边反馈交直流转换器--PN6775H
PN6775H集成超低待机功耗原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6775H为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于50mW。在恒压模式,采用多模式技术提高效率并消除音频噪声,使得系统...
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