30V N+P双通道复合MOS管AGM310MD适用于低压大电流同步整流、负载开关、电池保护专用功率管

AGM310MD芯片采用先进沟槽型MOSFET工艺，并搭配低阻封装设计，实现极低的导通电阻RDS (ON)。该器件非常适用于负载开关与电池保护电路场景。

AGMSEMI芯控源N沟道+P沟道复合场效应管MOSFET-AGM218MAP

AGM218MAP器件融合先进沟槽型MOSFET工艺与低阻封装设计，实现极低的导通电阻（RDS(ON)），适用于负载开关及电池保护场景。

AGM芯控源双路(1个N沟道 +1个P沟道)场效应管MOSFET-AGM318MAP

AGM318MAP采用先进沟槽型MOSFET工艺搭配低阻封装，实现极低的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于负载开关及电池保护类电路。

AGM芯控源214A 40V-N沟道功率场效应管AGM4013A-CP

AGM4013A-CP采用先进沟槽型MOSFET工艺搭配低阻封装，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于负载开关及电池保护场景。

芯控源N沟道沟槽MOSFET功率场效应管AGM6070A

AGM6070A采用先进的沟槽MOSFET技术搭配低阻封装，实现极低的导通电阻R?DS(ON)?。该器件非常适用于负载开关以及电池保护类应用。

AGMSEMI芯控源N沟道功率MOSFET场效应管-AGMH035N10H

AGMH035N10H采用了先进的沟槽式MOSFET技术及低电阻封装，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护等应用。

AGM芯控源中低压、中大功率开关N 沟道 MOSFET 场效应管AGMH4015H

AGMH4015H采用了先进的沟槽式MOSFET技术及低电阻封装，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护等应用。

芯控源N沟道中低压功率MOSFET场效应管-AGMH022N10H

AGMH022N10H采用了先进的沟槽式MOSFET技术及低电阻封装，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护等应用。

芯控源40A 60V的N沟道功率MOSFET场效应管-AGM609AP

AGM609AP 结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，实现了极低的导通电阻 RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

50A 60V芯控源N沟道功率MOSFET场效应管-AGM612AP

AGM612AP结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，实现了极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

AGMSEMI芯控源58A60V N沟道功率MOSFET场效应管-AGM605Q

AGM605Q 结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，实现了极低的导通电阻 RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

AGMSEMI芯控源N沟道功率MOSFET场效应管-AGM305AP

AGM305AP 结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，实现了极低的导通电阻 RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

AGM芯控源P沟道功率MOSFET场效应管-AGM302D1

AGM302D1结合了先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装，实现了极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

AGM芯控源P沟道功率MOSFET场效应管-AGM30P10A

AGM30P10A结合了先进的沟槽式MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。

AGM-芯控源N沟道功率场效应管MOSFET-AGM65R180F

AGM65R180F结合了先进的沟槽式MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。

AGM-芯控源N沟道功率场效应管MOSFET-AGM1010A2

AGM1010A2结合了先进的超级沟槽II MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。

芯控源高性能N沟道功率场效应管MOS管-AGM4025Q

AGM4025Q结合了先进的沟槽式MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。

芯控源高性能、低内阻N沟道功率场效应管-AGM405Q

AGM405Q结合了先进的超级沟槽II MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。

芯控源P沟道功率场效应管-AGM40P30A

AGM40P30A结合了先进的沟槽式MOSFET技术与低电阻封装，可提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

NCE65NF190V场效应管新洁能代理商

The series of devices use advanced trench gate superjunction technology and design to provide excellent RDS(ON)with low gate charge. This super junction MO...