国硅集成G2063Q 250V1.5A三相高低侧功率MOSFET/IGBT电机驱动芯片

G2063Q是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2063Q逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。

国硅集成NSG2065Q 250V 集成自举的三相栅极驱动芯片

NSG2065Q是一款三相高压功率MOSFET和IGBT 栅极驱动器，可以同时驱动高侧和低侧功率晶体管的栅极。浮动通道驱动设计可以容纳总线电压高达250V。NSG2065Q输出能够提供较大的驱动能力，输出拉灌电流可以到达1.2A/1.5A。NSG2065Q工作电压范围宽，高、低侧栅极驱动电压都可经优化以达到最...

国硅集成NSG6003 650V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG6003是一款高压、高速功率 MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG6003采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG6003其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高...

国硅集成NSG6001 650V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG6001是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG6001采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG6001其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工...

国硅集成NSG6000R 650V 单相高低侧功率 MOSFET 驱动芯片

NSG6000R是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道，适用于5A以内MOS的直接驱动。NSG6000R采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG6000R 其浮动通道可用于驱动高压侧...

国硅集成NSG2106 700V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG2106是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2106采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG2106其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工...

国硅集成NSG2105 700V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG2105是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2105采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG2105其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工...

国硅集成NSG2104 700V 集成自举单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG2104是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2104采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。 NSG2104其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率 MOSFET，浮地通道最...

国硅集成NSG2103 700V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG2103是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2103 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG2103其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高...