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支持CCM模式准谐振原边反馈交直流转换器--PN8390
PN8390集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率 MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置 电源。PN8390为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431,支持CCM和DCM两种工作模式。内置高压启动电路,可实现系统空载待机损耗(230VAC)小于50mW。在恒压模式...
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集成待机功耗原边控制器、FB下偏电阻和电容交直流转换器--PN8611
PN8611集成待机功耗原边控制器、FB下偏电阻和电容、VDD供电二极管、CS电阻及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于性能高、外围元器件较简的充电器、适配器和内置电源。PN8611为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于50mW。在恒压模式...
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集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET--PN8161X
PN8161内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET,用于性能高、外围元器件较简的交直流转换开关电源。该芯片提供了保护功能,包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术...
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外围元器件精简,非隔离交直流转换芯片--PN8043
PN8043集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN8043内置高压启动模块,实现系统启动、待机功能。该芯片提供保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8043的降频调制技术有助于EMI特性。(注:可替代进口品牌OB,替代型号:OB2...
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内置BJT六级能效交直流转换器--PN8571
PN8571集成低待机功耗准谐振原边控制器及BJT,用于低成本、外围元器件的充电器、适配器和内置电源。PN8571为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过C...
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反激效率高交直流转换芯片--PN8024A
PN8024A芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET,适用于小功率反激原边反馈开关电源。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,过压保护,过载保护,欠压保护,过温保护;降频调制技术有助于EMI特性。该芯片还内置启动模块,保证系统能迅速启动。应用系统的外围元件更加简洁。
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外围元器件较简,准谐振原边反馈交直流转换器--PN8370F
PN8370F集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于性能高、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8370F为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于30mW。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术音频噪声,使得系统...
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外围元器较简,小功率非隔离开关电源--AP8506
AP8506基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及650V可靠性MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。AP8506内置650V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外AP8506具有优异的EMI特性。
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低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045
PN8045集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN8045内置启动模块,实现系统启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8045的降频调制技术有助于EMI特性。
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实现系统快速启动、待机功能交直流转换芯片--AP8006
AP8006集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率 MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。 AP8006内置高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外AP8006的降频调制技术有助于EMI特性。
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适用于小家电,高性能外围元器件精简的充电器电源芯片--PN6770H
PN6770H集成待机功耗原边控制器及750V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6770H为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于50mW。在恒压模式,采用多模式技术音频噪声,使得系统满足 6级...
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采用多模式技术,隔离式原边反馈转换器--PN6780H
PN6780H集成待机功耗原边控制器及750V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6780H为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于50mW。在恒压模式,采用多模式技术音频噪声,使得系统满足6级能...
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内置启动电路,原边反馈交直流转换器--PN6775H
PN6775H集成待机功耗原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6775H为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于50mW。在恒压模式,采用多模式技术音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调...
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完整的智能化保护功能的交直流转换芯片--AP8507
AP8507基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8507内置500V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外AP8507具有优异的EMI特性。
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外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源的芯片--PN8395H
PN8395H集成待机功耗准谐振原边控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8395H为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431,支持CCM和DCM两种工作模式。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于50mW。在恒压模式,采用...
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内置500V高压启动与自供电模块转换芯片--AP8005A
AP8005A集成PFM控制器及500V高雪崩能力智能功率 MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。 AP8005A内置500V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外AP8005A的降频调制技术有助于EM...
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系统快速启动、待机功能的非隔离交直流转换芯片--PN8505A
PN8505A基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及550V高可靠性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8505A内置550V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外PN8505A具有优异的EMI特性。
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用于大功率电源,X电容放电芯片--PN8200
PN8200是一款具有两个端子的X电容放电用芯片,其待机损耗低同时能够满足电源系统的安规标准。PN8200内置了两个高压VDMOS开关,可有效的保护芯片避免雷击或浪涌的应力。芯片通过两个放电电阻接入到开关电源的交流输入端,当AC电压接入时,会有低的电流流进芯片,芯片的待机损耗功率在5mW以内,当AC电压断电后...
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用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源转换器--PN6775
PN6775集成待机功耗原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6775为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于50mW。在恒压模式,采用多模式技术音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调...
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印度市场,内置800V BJT,低成本原边反馈电源芯片--MD70H
MD70H集成低待机功耗准谐振原边控制器及BJT,用于低成本、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源. MD70H为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431.在恒压模式,采用准谐振与多模式技术清除音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可...
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