内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306H

PN8306H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306H内置电压降低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8306H集成的辅助功能，包含输出欠压保护、输出过压钳...

芯朋微代理高低侧栅极驱动IC--PN7113

PN7113是一款基于P_SUBP_EPI工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT结构。该芯片逻辑输入电平兼容低至3V的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力。传输延时具有匹配性，以简化在高频...

18V0.6A高性能非隔离电源管理芯片--PN8048M

PN8048M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET ，用于外围元器件小功率非隔离开关电源。 PN8048M内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8048M 的降频调制技术有助于EMI特性。

650V高雪崩能力高性能18V0.5A非隔离电源管理芯片--PN8046M

PN8046M 集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET ，用于外围元器件的高功率非隔离开关电源。 PN8046M内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8046M的降频调制技术有助于EMI特性。

非隔离交直流电源管理芯片--PN8038M

PN8038M集成PFM控制器及650V 高雪崩能力智能功率MOSFET ，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8038M内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8038M 的降频调制技术有助于EMI特性。

非隔离输出18V0.5A小家电电源管理芯片--PM8036M

PN8036M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET ，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8036M内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8036M的降频调制技术有助于EMI特性 。

芯朋微一级代理商待机功耗准谐振交直流电源管理芯片—PN8160

PN8160内部集成了电流模式控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和器件低功耗结构技术实现了待机功耗、电...

6级能效标准内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306L

PN8306L包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306L内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8306L集成的辅助功能，包含输出欠压保护、输出过压...

高性能多模式PWM控制芯片--AP8268

芯朋微代理商提供内置800V高压启动宽输出范围非隔离交直流电源管理芯片—PN8016

PN8016集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源， 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8016内置800V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN801...

待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器--PN6370P

PN6370P集成待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6370P为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术清除音频噪声，使...

690V高雪崩能力待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN6370M

PN6370M六级能效集成待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6370M为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ）小于30mW。

内置电压降极低的功率MOSFET的高性能同步整流器--PN8306M

PN8306M包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306M内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度。

用于高性能反激系统内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306

PN8306包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度。

芯朋微授权代理商DC-DC同步整流升压转换芯片-AP2007

AP2007是一款紧凑型，效率高同步升压转换器，内置功率MOSFET,在关闭输出时实现真正关断功能。AP2007静态电流仅为70uA(典型值)，空载或轻载时，AP2007为节能的PFM工作模式。当负载大于150mA时，采用500KHz固定频率PWM工作模式。内部补偿的电流控制模式实现快速瞬态响应。

具有热调节功能的独立线性锂电池充电器--AP5054B

AP5054B是一个单片锂离子电池恒流/恒压线性电源管理芯片，其SOT封装的极少的外围元件非常适合应用于便携式产品，而且AP5054B专门设计适用于USB的供电规格。基于内部MOSFET结构，不需要外部感应电阻的隔离二极管，当外部环境温度过高或在大功率工作时，热反馈可以调节充电电流以降低芯片温度。充电电压被固...

芯朋微授权代理商DC-DC同步升压转换芯片-AP2000

AP2000 是一款1.2MHz 固定开关频率，效率高，同步升压转换器。能够用于单节干电池产生3.3V电压并提供100mA 以上的驱动能力。AP2000 内部集成了NMOS 主开关管和PMOS 的同步整流管，1.2MHz的开关频率可以使用小型化的电感和陶瓷电容，减小了整体应用方案尺寸。电流模式PWM 方式的内...

芯朋微授权代理商DC-DC升压转换芯片--AP2008

AP2008是一个恒定频率峰值电流模式的异步PWM升压转换器。需要一个外部肖特基二极管。在轻负载时，AP2008工作在轻负载模式。静态电流为100uA，内部NMOS管导通电阻为200mΩ，保证在整个输出负载范围内效率高。2A峰值电流使得AP2008可以提供1A输出负载电流，非常适应于MID和移动电源。输入电压...

六级能效待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370M

PN8370M集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ） 小于30mW。

N型功率MOSFET集成高压启动的高性能同步整流器--8305L

PN8305L包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305L内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度.PN8305L处于开关工作模式，只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。