芯朋微12W原边反馈电源管理芯片-PN8360

PN8360包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。 PN8360工作在原边检测模式，可省略光耦和TL431。该芯片提供的自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。

芯朋微代理商18W电源管理方案-PN8149

PN8147/9内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源

芯朋微超低待机功耗交直流电源控制芯片PN8137

PN8137内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和特殊器件低功耗结构技术实...

芯朋微电子一级代理商超低待机功耗开关电源驱动芯片PN8136

PN8136内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精筒的交直流转换开关电源。该芯片提 供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括逐周期过流保护、过载保护、过温保护、输出过压保护等。

芯朋微代理六级能效原边反馈电源管理芯片-PN8580

PN8580电源管理芯片集成低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8580为原边反馈工作模式，可 省略光耦和TL431。 在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声,使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿...

内置BJT六级能效准谐振原边反馈 交直流电源管理芯片-PN8570

PN8570电源管理芯片集成低待机功耗准谐振原边控制器及BJT，用于低成本、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8570为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。在恒压 模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整...

15W超低待机功耗隔离原边反馈电源管理芯片-PN8680P

PN8680P电源管理芯片集成超低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8680P为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。

芯朋微超低待机功耗原边反馈24W电源管理芯片-PN6795C

PN6795C电源管理芯片集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6795C为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431，支持CCM和DCM两种工作模式。

芯朋微电子ID7S625 600V高压半桥驱动芯片

ID7S625半桥驱动芯片是一款基于P衬底、 P外延的高压、高速功率的MOSFET和IGBT栅极驱动器，具有独立的高低侧输出通道。其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动一个N 沟道功率.MOSFE或IGBT半桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3V。具有大电流输...

芯朋微非隔离电源管理芯片-PN8018电源驱动芯片

PN8018电源管理芯片集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8018内置高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机 功能。PN8018电源管理芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8018的降频调制技...

芯朋微12V0.45A非隔离电源管理芯片-PN8035

PN8035集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8035内置高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8035的降频调制技术有助于改善EMI特性。

固定5V500mA输出非隔离电源管理芯片-PN8009

PN8009电源管理芯片集成PFM控制器及650V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8009内置650V高压启动，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8009电源管理芯片具有优异的EMI特性。

芯朋微代理12V0.7A非隔离电源管理芯片-PN8039

PN8039集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8039内置高压启动模.块，实现系统快速启动、超低待机。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护、欠压保护、过温保护。另外PN8039的降频调制技术有助于改善EMI特性。

芯朋微代理高性能非隔离交直流转换电源管理芯片–PN8058P

PN8058P集成PFM控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8058P内置 高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8058P的降频调制技术有助于改善EMI特性。

高性能非隔离交直流转换电源管理芯片–PN8054E

PN8054E集成PFM控制器及670V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8054E内置高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8054E的降频调制技术有助于改善EMI特性。

芯朋微固定5V450mA非隔离电源管理驱动芯片PN555MSE-B1

PN555M集成PFM控制器及650V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN555M内置650V高压启动，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN555M具有优异的EMI特性。

芯朋微电子代理商PN3746NE-A1 DIP8 适用于18V输出非隔离电源芯片

PN3746集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用丁外围元器件极精简的小功率作隔离开关电源，PN3746内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN3746的降频调制技术有叫于改善EMI特性。

芯朋微电子代理商PN3744NE-A1 DIP8 适用于18V输出非隔离电源芯片

PN3744集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN3744内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN3744的降频调制技术有助于改善EMI特性。

芯朋微代理商12V输出非隔离电源芯片PN3736NS-A1

芯朋微代理商12V输出非隔离电源芯片PN3734NS-A1

PN3734集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用丁外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN3734内置高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN3734的降频调制技术有助丁改善EMI特性。