今天我们一起来认识一下MOS管。MOS管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管小又省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
             

  MOS管的工作原理：先考察一个更简单的器件－MOS电容－能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地，gate接不同的电压来说明。MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中，这个电场使金属极带轻微的正电位，P型硅负电位。这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来，它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了，所以载流子浓度的变化非常小，对器件整体的特性影响也非常小。 　　

　当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了，有更多的电子从衬底被拉了上来。同时，空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高，会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子，硅表层看上去就像N型硅。掺杂极性的反转被称为inversion，反转的硅层叫做channel。随着GATE电压的持续不断升高，越来越多的电子在表面积累，channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时，不会形成channel。当电压差超过阈值电压时，channel就出现了。今天MOS管的工作原理就介绍到这里，希望对大家有所帮助!　

中铭电子是您电源芯片平台，我们将为您提供更好、便捷、满意的服务，为您提供实惠的价格。中铭团队将为您提供合理的建议。

文章出自专业的MOS管平台—中铭电子（www.zm699.com）转载请注明出处

 全国咨询热线：400-788-7770

 客服电话： 0769-81150556   手机：18923224605  叶小姐   
  工程部电话：0769-85638990   手机：15999826289 唐经理  13725767930赵工
  邮箱：dgzm699@163.com    QQ：2485843216   传真：0769-83351643

  总部地址：东莞市大岭山镇矮岭冚村沿河东街8号
  佛山办事处：佛山市顺德区容桂镇容奇大道169号
  深圳办事处：深圳市龙华新区建设东路百富汇工业园
  中山办事处：中山市古镇古四怡延豪园

  杭州办事处：杭州市萧山区闻堰镇江南摩卡
  中铭官网：www.zm699.com