芯朋微用于大功率电源,X电容放电芯片--PN8200东莞市中铭电子提供（可替代CAP200DG）

PN8200是一款具有两个端子的X电容放电用芯片，其待机损耗低同时能够满足电源系统的安规标准。PN8200内置了两个高压VDMOS开关，可有效的保护芯片避免雷击或浪涌的应力。芯片通过两个放电电阻接入到开关电源的交流输入端，当AC电压接入时，会有低的电流流进芯片，芯片的待机损耗功率在5mW以内，当AC电压断电后...

芯朋微授权代理6W超低待机功耗电源控制芯片--PN6775

PN6775集成待机功耗原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6775为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调...

用于高性能,内置650V高雪崩能力的功率MOSFET电源管理芯片--PN6147

PN6147内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和器...

内置700V高雪崩能力智能功率MOSFET--PN6013

PN6013集成待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6013为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术清除音频噪声，使得系统满足...

12W待机功耗原边反馈交直流电源管理芯片--PN8680M

PN8680M集成待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8680M为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术清除音频噪声，使得系统满足6级能...

固定5V输出的200V高耐压非隔离DC-DC转换器--PN6005

PN6005集成PFM控制器及200V高雪崩能力智能功率 MOSFET，用于外围元器件的小功率非隔离开关电源。 PN6005内置200V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护 功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN6005的降频调制技术有助于EMI特性。

芯朋微代理带启动模块准谐振交直流电源管理芯片--PN8275

PN8275内部集成了电流模式控制器和启动模块，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了的待机功耗、电压范围下的效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证系统的良好EMI表现。同时，...

芯朋微支持连续电流模式内置功率MOS国产同步整流芯片--PN8308H

PN8308H包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。 PN8308H内置电压降低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8308H集成的辅助功能，包含输出欠压保护、导通时间等功...

高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET--PN8360P

PN8360P包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。 PN8360P工作在原边检测模式，可省略光耦和TL431。该芯片提供的自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS电阻开/短路保护等。内置启动电路和芯片...

芯朋微一级代理商小功率非隔离开关电源芯片--PN8011

PN8011集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源，输出电压可通过FB电阻调整。PN8011内置800V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8011的...

芯朋微代理5V输出的非隔离电源控制芯片--AP8505M

AP8505M基于高压同步整流架构，集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8505M内置500V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外AP8505M具有优异的EMI特性。

芯朋微固定5V0.15A输出非隔离交直流电源控制芯片--PN8007

PN8007集成PFM控制器及650V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8007内置650V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8007具有优异的EMI特性。

芯朋微授权代理商三相全桥栅极驱动芯片--PN7336

PN7336是-款用于三相全桥栅极驱动芯片，内置三个独立的半桥驱动电路，可用于高压，高速MOSFET和IGBT，输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3.3V，芯片内部集成了过流检测功能，当检测到过流信号时会关断6路驱动输出信号，芯片集成了一个漏极开路啊FAULT功能指示，可用于提示过流或...

650V原边反馈交直流转换器--PN8386P

PN8386P集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386P为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（264VAC）小于50mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术清除音频噪声，...

650V高雪崩能力智能功率MOSFET--PN8386F

PN8386F集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386F为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（264VAC）小于50mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术清除音频噪声，使得...

芯朋微内置功率MOS的高性能同步整流控制芯片--PN8307H

PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8307H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8307H集成了辅助功能，包含输出欠压保护、防误开启...

高性能准谐振交直流转换芯片--PN8161

PN8161内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和器件低功耗结构技术实现了待...

非隔离交直流电源管理芯片--PN8034C

PN8034C集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源管理芯片。PN8034C内置高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8034C的降频调制技术有助于EMI特性。

原边反馈用于超声波雾化器常用8脚开关电源芯片--PN6795D

PN6795D集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6795D为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431，支持CCM和DCM两种工作模式。内置高压启动电路，可实现芯片空载损（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用准...

芯朋微10A功率高密度同步升压芯片--AP2016

AP2016是一款功率密度，同步升压转换器，可由宽输入电压范围 2.7V ~12V 供电。宽泛的输入电压范围非常适用于单节或双节锂离子电池便携设备，例如带有高压的充电端口HVDCP的移动电源。