国硅集成NSG6003 650V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG6003是一款高压、高速功率 MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG6003采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG6003其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高...

国硅集成NSG6001 650V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG6001是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG6001采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG6001其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工...

国硅集成NSG6000R 650V 单相高低侧功率 MOSFET 驱动芯片

NSG6000R是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道，适用于5A以内MOS的直接驱动。NSG6000R采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG6000R 其浮动通道可用于驱动高压侧...

国硅集成NSG2106 700V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG2106是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2106采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG2106其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工...

国硅集成NSG2105 700V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG2105是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2105采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG2105其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工...

国硅集成NSG2104 700V 集成自举单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG2104是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2104采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。 NSG2104其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率 MOSFET，浮地通道最...

国硅集成NSG2103 700V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG2103是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2103 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG2103其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高...

国硅集成NSG27511单通道高速低侧栅极驱动芯片

NSG27511单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）电源开关。NSG27511采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供到轨驱动能力以及超短的传播延迟。

国硅集成NSG2065 250V集成自举的三相栅极驱动芯片

NSG2065是一款三相高压功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，可以同时驱动高侧和低侧功率晶体管的栅极。浮动通道驱动设计可以容纳总线电压高达250V。NSG2065输出能够提供较大的驱动能力，输出拉灌电流可以到达1.2A/1.5A。NSG2065工作电压范围宽，高、低侧栅极驱动电压都可经优化以达到最佳驱动效...

国硅集成G2061Q 250V 1.5A三相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片

G2061Q是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2061Q逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。G2061Q 浮动通道可用于驱动高压侧N...

国硅集成NSG21364 700V 带使能和故障报告的三相半桥 IGBT 驱动芯片

NSG21364是N型高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧三相栅极驱动芯片，包含三路独立的半桥驱动电路。内部集成了欠压保护和过流保护功能，出现异常时立即关断六通道输出。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。通过连接到RCIN输入的RC网络在外部编程延时后，过电流故障情况自动清除 。NSG21364集成有...

国硅集成NSG10752 100V 单相高侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG10752是一款高压、高速功率MOSFET高侧驱动芯片NSG10752采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力。NSG10752其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达10...

国硅集成NSG27519 4A 带使能的单通道低侧栅极驱动芯片

NSG27519是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG27519逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VDD范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在-40℃至125℃温度范围内工作...

国硅集成代理商NSG27324双通道4A超高速功率栅极驱动芯片

NSG27324 是功率开关系列驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG27324在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG27324不会受到损坏。NSG27324可以接受高达500mA的反向电流...

国硅集成NSG4428 双通道 2A 超高速功率开关栅极驱动芯片

NSG4428是功率开关系列驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG4428芯片在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG4428芯片不会受到损坏。NSG4428 芯片可以接受高达500mA的反向...

国硅集成授权代理商NSG4427 双通道 2A 超高速功率栅极驱动器

NSG4427 是功率开关系列驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG4427在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG4427不会受到损坏。NSG4427可以接受高达500mA的反向电流强制返回...

国硅集成代理商NSG4426 双通道 2A 超高速功率开关栅极驱动器

NSG4426 是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG4426 在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG4426 不会受到损坏。NSG4426可以接受高达500mA的反向电流强制返回...

NSG44272 2A 带使能的单通道低侧栅极驱动芯片

NSG44272是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG44272逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在-40℃至125℃温度范围内工作...

国硅集成电路代理商NSH505PQ 5A, 500V 半桥 IPM智能功率模块

NSH505PQ是一款5A、500V半桥智能功率模块，专为电机驱动应用设计。该模块集成了5A/500V MOSFET栅极驱动器及自举升压功能，采用小型PQFN 5×6mm封装，可灵活应用于单相和三相直流无刷电机驱动系统。

国硅集成电路代理商NSH405PQ 4A, 500V 半桥IPM智能功率模块

NSH405PQ是一款4A、500V半桥智能功率模块，专为电机驱动应用而设计。该模块集成了4A/500V MOSFET栅极驱动器及自举升压功能，采用紧凑型PQFN 5×6mm封装，可灵活应用于单相和三相直流无刷电机驱动系统。