国硅集成4A单通道低侧同相栅极驱动芯片NSG27517

NSG27517是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的门锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG27517逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在-40℃至125℃温度范围内工作...

国硅集成NSG27524双通道4A高速功率开关低侧驱动芯片应用电机控制

NSG27524是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG27524在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG27524不会受到损坏。NSG27524可以接受高达500mA的反向电流强制返...

国硅集成NSG27526双通道、双使能4A超高速功率开关驱动芯片

NSG27526器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器，此器件能够有效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率管（IGBT）电源开关。NSG27526能够将高达4A拉电流和4A灌电流的高峰值电流脉冲传送到电容负载，此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为20ns的极小传播延迟。

国硅集成300V带过流检测单通道高侧栅极驱动芯片NSG21276

NSG21276是一款带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。NSG21276采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS 或LSTTL逻辑输出电平。

国硅集成NSG2000 250V、快速、高压侧 NMOS 静态开关常导通栅极驱动芯片

NSG2000是一款快速、高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器，采用高达250V的输入电压工作。该器件可以实现一个负责全面增强外部N沟道MOSFET开关的充电结构，因而使其能够无限期地保持导通。

国硅集成G2063Q 250V1.5A三相高低侧功率MOSFET/IGBT电机驱动芯片

G2063Q是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2063Q逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，和防直通的死区逻辑。

国硅集成NSG2065Q 250V 集成自举的三相栅极驱动芯片

NSG2065Q是一款三相高压功率MOSFET和IGBT 栅极驱动器，可以同时驱动高侧和低侧功率晶体管的栅极。浮动通道驱动设计可以容纳总线电压高达250V。NSG2065Q输出能够提供较大的驱动能力，输出拉灌电流可以到达1.2A/1.5A。NSG2065Q工作电压范围宽，高、低侧栅极驱动电压都可经优化以达到最...

国硅集成NSG2153D 600V 自振荡半桥 MOSFET/IGBT 电机驱动芯片

NSG2153D 是一款高压、高速功率 MOSFET 自振荡 半桥驱动芯片。 NSG2153D 其浮动通道可用于驱动高 低侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可 达 600V。

NSG21867 国硅集成700V 大电流高、低侧 MOSFET/IGBT驱动芯片

NSG21867 是一款高压、高速功率 MOSFET/IGBT 高低 侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了 高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路， 具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出电流能力 最大可达 4A，其浮...

国硅集成代理商国产智能功率模块600V/5A三相全桥驱动NSMC05S60B0

NSMC05S60B0是高度集成、高信赖性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。该模块内置了6个快恢复功率IGBT管和3个半桥高压栅极驱动电路。NSMC05S60B0 内部集成了欠压保护功能，提供了优异的保护和失效保护操作。由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。NS...

国硅集成IPM智能功率模块500V/5A三相全桥驱动NSMB05S50M1

NSMB05S50M1 是高度集成、高信赖性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。

国硅集成IPM智能功率模块500V/5A三相全桥驱动NSMB05S50M0

NSMB05S50M0 是高度集成、高信赖性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。

国硅集成IPM智能功率模块600V/2A三相全桥驱动NSMB02S60M1

NSMB02S60M1 是高度集成、高信赖性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。该模块内置了6个快恢复功率MOS管和3个半桥高压栅极驱动电路。NSMB02S60M1内部集成了欠压保护功能，提供了优异的保护和失效保护操作。由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。NSM...

国硅集成IPM智能功率模块600V/2A三相全桥驱动NSMB02S60M0

NSMB02S60M0 是高度集成、高信赖性的三相无刷直流 电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。该 模块内置了 6 个快恢复功率 MOS 管和 3 个半桥高压栅极 驱动电路。

国硅集成IPM智能功率模块500V/2A三相全桥驱动NSMB02S50M1

NSMB02S50M1是高度集成、高信赖性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。该模块内置了6个快恢复功率MOS管和3个半桥高压栅极驱动电路。

国硅集成电路代理商NSH406M1PQ 4A 600V半桥IPM智能功率模块

NSH406PQ是一款4A、600V半桥智能功率模块，专为电机驱动应用设计。该模块集成了4A/600V IGBT栅极驱动器和自举功能，采用紧凑的PQFN 5×6mm封装。可灵活应用于单相和三相直流无刷电机驱动系统。

国硅集成电路代理商NSH305PQ 3A, 500V半桥IPM智能功率模块

NSH305PQ是一款3A、500V半桥智能功率模块，专为电机驱动应用设计。该模块集成了3A/500V MOSFET栅极驱动器和自举功能，采用紧凑的PQFN 5×6mm封装，可灵活应用于单相和三相直流无刷电机驱动系统。

国硅集成NSG6003 650V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG6003是一款高压、高速功率 MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG6003采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG6003其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高...

国硅集成NSG6001 650V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG6001是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG6001采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG6001其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工...

国硅集成NSG6000R 650V 单相高低侧功率 MOSFET 驱动芯片

NSG6000R是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道，适用于5A以内MOS的直接驱动。NSG6000R采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG6000R 其浮动通道可用于驱动高压侧...