国硅集成NSG2065Q 250V 集成自举的三相栅极驱动芯片

NSG2065Q是一款三相高压功率MOSFET和IGBT 栅极驱动器，可以同时驱动高侧和低侧功率晶体管的栅极。浮动通道驱动设计可以容纳总线电压高达250V。NSG2065Q输出能够提供较大的驱动能力，输出拉灌电流可以到达1.2A/1.5A。NSG2065Q工作电压范围宽，高、低侧栅极驱动电压都可经优化以达到最...

国硅集成NSG2153D 600V 自振荡半桥 MOSFET/IGBT 电机驱动芯片

NSG2153D 是一款高压、高速功率 MOSFET 自振荡 半桥驱动芯片。 NSG2153D 其浮动通道可用于驱动高 低侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可 达 600V。

NSG21867 国硅集成700V 大电流高、低侧 MOSFET/IGBT驱动芯片

NSG21867 是一款高压、高速功率 MOSFET/IGBT 高低 侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了 高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路， 具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平，输出电流能力 最大可达 4A，其浮...

国硅集成代理商国产智能功率模块600V/5A三相全桥驱动NSMC05S60B0

NSMC05S60B0是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。该模块内置了6个快恢复功率IGBT管和3个半桥高压栅极驱动电路。NSMC05S60B0 内部集成了欠压保护功能，提供了优异的保护和失效保护操作。由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。NS...

国硅集成IPM智能功率模块500V/5A三相全桥驱动NSMB05S50M1

NSMB05S50M1 是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。

国硅集成IPM智能功率模块500V/5A三相全桥驱动NSMB05S50M0

NSMB05S50M0 是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。

国硅集成IPM智能功率模块600V/2A三相全桥驱动NSMB02S60M1

NSMB02S60M1 是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。该模块内置了6个快恢复功率MOS管和3个半桥高压栅极驱动电路。NSMB02S60M1内部集成了欠压保护功能，提供了优异的保护和失效保护操作。由于每一相都有一个独立的负直流端，其电流可以分别单独检测。NSM...

国硅集成IPM智能功率模块600V/2A三相全桥驱动NSMB02S60M0

NSMB02S60M0 是高度集成、高可靠性的三相无刷直流 电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。该 模块内置了 6 个快恢复功率 MOS 管和 3 个半桥高压栅极 驱动电路。

国硅集成IPM智能功率模块500V/2A三相全桥驱动NSMB02S50M1

NSMB02S50M1是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于风扇类的小功率电机驱动。该模块内置了6个快恢复功率MOS管和3个半桥高压栅极驱动电路。

国硅集成电路代理商NSH406M1PQ 4A 600V半桥IPM智能功率模块

NSH406PQ是一款4A、600V半桥智能功率模块，专为电机驱动应用设计。该模块集成了4A/600V IGBT栅极驱动器和自举功能，采用紧凑的PQFN 5×6mm封装。可灵活应用于单相和三相直流无刷电机驱动系统。

国硅集成电路代理商NSH305PQ 3A, 500V半桥IPM智能功率模块

NSH305PQ是一款3A、500V半桥智能功率模块，专为电机驱动应用设计。该模块集成了3A/500V MOSFET栅极驱动器和自举功能，采用紧凑的PQFN 5×6mm封装，可灵活应用于单相和三相直流无刷电机驱动系统。

国硅集成NSG6003 650V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG6003是一款高压、高速功率 MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG6003采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG6003其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高...

国硅集成NSG6001 650V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG6001是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG6001采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG6001其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工...

国硅集成NSG6000R 650V 单相高低侧功率 MOSFET 驱动芯片

NSG6000R是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道，适用于5A以内MOS的直接驱动。NSG6000R采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG6000R 其浮动通道可用于驱动高压侧...

国硅集成NSG2106 700V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG2106是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2106采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG2106其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工...

国硅集成NSG2105 700V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG2105是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2105采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG2105其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工...

国硅集成NSG2104 700V 集成自举单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG2104是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2104采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。 NSG2104其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率 MOSFET，浮地通道最...

国硅集成NSG2103 700V 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片

NSG2103是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2103 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG2103其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高...

国硅集成NSG27511单通道高速低侧栅极驱动芯片

NSG27511单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）电源开关。NSG27511采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供到轨驱动能力以及超短的传播延迟。

国硅集成NSG2065 250V集成自举的三相栅极驱动芯片

NSG2065是一款三相高压功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，可以同时驱动高侧和低侧功率晶体管的栅极。浮动通道驱动设计可以容纳总线电压高达250V。NSG2065输出能够提供较大的驱动能力，输出拉灌电流可以到达1.2A/1.5A。NSG2065工作电压范围宽，高、低侧栅极驱动电压都可经优化以达到最佳驱动效...