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高性能多模式PWM控制芯片--AP8268

产品分类: 芯朋微开关电源芯片
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    支持苹果20W芯片 高性能准谐振交直流转换芯片--PN8162
    支持苹果20W芯片 高性能准谐振交直流转换芯片--PN8162
    PN8162内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET,用于高的性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全和性能良好的保护功能,包括输出过压保护、逐周期过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了低的待机功耗、全电压范围下的效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。
    低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器--PN6710H
    低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器--PN6710H
    PN6710H集成低待机功耗准谐振原边控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6710H为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于75mW。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术音频噪声,使得系统满足6级能效 标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。 该芯片提供了智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护,同时还集成AC电压过压保护和欠压保护功能,可通过系统分压电阻调节。
    自供电模块的交直流转换开关电源芯片--PN8175
    自供电模块的交直流转换开关电源芯片--PN8175
    PN8175集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。 PN8175内置800V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护 功能,包括过流保护,过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8175的降频调制技术有助于EMI特性。

                  高性能多模式PWM控制芯片--AP8268

      概述

      AP8268是一款高集成度的电流模式PWM控制芯片,具有高性能、低待机功耗、低成本等特点。AP8268通过QR-PWMQR-PFMBurst-mode的三种模式混合调制技术,实现了低待机功耗和全电压范围下的最佳效率,频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现。AP8268同时提供了全面的管脚开短路保护,以及逐周期过流保护、VDD过压保护、欠压锁存、过温保护、输出过压保护、过载保护、输出二极管短路保护等功能。

       

      二 产品特征

      软启动功能

      ■ QR-PWMQR-PFMBurst-mode混合模式提高效率

      专利的频率抖动技术提高EMI性能

      内部集成斜率补偿功能

      高低压分频功能

      自适应的线电压补偿功能

      全面的保护功能包括

      ?? 过温保护 (OTP)

      ?? 输出过压保护

      ?? 逐周期过流保护 (OCP)

      ?? 输出开/短路保护

      ?? 专利的DMG电阻开/短路保护(Latch模式)

      ?? 次级整流管短路保护

       

       

      三 应用领域

      待机电源

      开放式开关电源

      适配器

       

      四 封装/订购信息

       

       

      五 电路图

       

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      支持苹果20W芯片 高性能准谐振交直流转换芯片--PN8162
      支持苹果20W芯片 高性能准谐振交直流转换芯片--PN8162
      PN8162内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET,用于高的性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全和性能良好的保护功能,包括输出过压保护、逐周期过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了低的待机功耗、全电压范围下的效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。
      低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器--PN6710H
      低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器--PN6710H
      PN6710H集成低待机功耗准谐振原边控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6710H为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于75mW。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术音频噪声,使得系统满足6级能效 标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。 该芯片提供了智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护,同时还集成AC电压过压保护和欠压保护功能,可通过系统分压电阻调节。
      自供电模块的交直流转换开关电源芯片--PN8175
      自供电模块的交直流转换开关电源芯片--PN8175
      PN8175集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。 PN8175内置800V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护 功能,包括过流保护,过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8175的降频调制技术有助于EMI特性。

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