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5A 800V N沟道增强型场效应管--SVF5N80F/T/MJ/K

产品分类: cool mos管
    SVF5N80F/T/MJ/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。
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    龙腾N渠道650V,20A超级MOS管--LND20N65/LNB20N65
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    Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalanche energy.
    龙腾N渠道650V,7A超级MOS管--LND7N65D
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    The Power MOSFET is fabricated using the advanced planar VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalance energy.
    龙腾N渠道650V,16A超级MOS管--LND16N65
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    Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalanche energy.

         5A800V N沟道增强型场效应管--SVF5N80F/T/MJ/K

      一、描述

       SVF5N80F/T/MJ/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压HPWM马达驱动。

       

      二、特点

        5A800VRDS(on)(典型值)=1.88Ω@VGS=10V     

        低栅极电荷量

        低反向传输电容

        开关速度快 

        提升了dv/dt能力

       

       

      三、参数

       

       

      四、封装

       

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        邮箱:dgzm699@163.com  QQ:1923681612   传真:0769-83351643

       

        总部地址:东莞市大岭山镇矮岭冚村沿河东街8号

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