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45V 15A肖特基二极管芯片
45V 15A肖特基二极管芯片
GDM229045MA是采用硅外延工艺制造的肖特基二极管芯片,损耗功率小,效率高,高ESD能力,高抗浪涌电流能力,具有瞬态反应保护能力的保护环结构,广泛应用于太阳能电池保护电路等各类电子线路中。
20A、100V肖特基整流管--SBD20C100T/F
20A、100V肖特基整流管--SBD20C100T/F
SBD20C100T/F是采用硅外延工艺制作而成的肖特基整流二极管,广泛应用于开关电源、保护电路等各类电子线路中。
10A、650V N沟道增强型场效应管--SVF10N65T/F/K/S
10A、650V N沟道增强型场效应管--SVF10N65T/F/K/S
SVF10N65T/F/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。
7A、650V N沟道增强型场效应管--SVF7N65T/F/K/S
7A、650V N沟道增强型场效应管--SVF7N65T/F/K/S
SVF4N65T/F/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。
5A、600V N沟道增强型场效应管--SVF5N60T/F/D/MJ/K
5A、600V N沟道增强型场效应管--SVF5N60T/F/D/MJ/K
SVF5N60T/F/D/MJ/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。
4A、650V N沟道增强型场效应管--SVF4N65T/F/M/MJ/D/K
4A、650V N沟道增强型场效应管--SVF4N65T/F/M/MJ/D/K
SVF4N65T/F/M/MJ/D/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。
3A、800V N沟道增强型场效应管--SVF3N80M/MJ/F/D
3A、800V N沟道增强型场效应管--SVF3N80M/MJ/F/D
SVF3N80M/MJ/F/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。
12A、650V N沟道增强型场效应管--SVF12N65T/F/K/S
12A、650V N沟道增强型场效应管--SVF12N65T/F/K/S
SVF12N65T/F/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
7A、800V N沟道增强型场效应管--SVF7N80T/F
7A、800V N沟道增强型场效应管--SVF7N80T/F
SVF7N80T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
2A、600V N沟道增强型场效应管--SVF2N60M/MJ/N/F/T/D
2A、600V N沟道增强型场效应管--SVF2N60M/MJ/N/F/T/D
SVF2N60M/MJ/N/F/T/D N沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
1A、600V N沟道增强型场效应管--SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H
1A、600V N沟道增强型场效应管--SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H
SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。
20A,200V肖特基整流器--SBD20C200T/F/K/S
20A,200V肖特基整流器--SBD20C200T/F/K/S
SBD20C200T/F是采用硅外延工艺制作而成的肖特基整流二极管,广泛应用于开关电源、保护电路等各类电子线路中。
20A,150V肖特基整流器--SBD20C150T/F
20A,150V肖特基整流器--SBD20C150T/F
SBD20C150T/F是采用硅外延工艺制作而成的肖特基整流二极管,广泛应用于开关电源、保护电路等各类电子线路中。
10A,200V肖特基整流器--SBD10C200T/F/D
10A,200V肖特基整流器--SBD10C200T/F/D
SBD10C200T/F是采用硅外延工艺制作而成的肖特基整流二极管,广泛应用于开关电源、保护电路等各类电子线路中。
20A,45V肖特基整流器--SBD20C45T/F/M
20A,45V肖特基整流器--SBD20C45T/F/M
SBD20C45T/F是采用硅外延工艺制作而成的肖特基整流二极管,保护环结构可以起到过压保护的作用,并且可以提高产品的可靠性。 .
10A,150V肖特基整流器--SBD10C150T/F/S
10A,150V肖特基整流器--SBD10C150T/F/S
SBD10C150T/F是采用硅外延工艺制作而成的肖特基整流二极管,广泛应用于开关电源、保护电路等各类电子线路中。
10A,100V肖特基整流器--SBD10C100T/F/D/S
10A,100V肖特基整流器--SBD10C100T/F/D/S
SBD10C100T/F是采用硅外延工艺制作而成的肖特基整流二极管,广泛应用于开关电源、保护电路等各类电子线路中。
7A,700V DP MOS功率管--SVS7N70M/MJ/F
7A,700V DP MOS功率管--SVS7N70M/MJ/F
SVS7N70M/MJ/F N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。
7A,650V DP MOS功率管--SVS7N65F/D
7A,650V DP MOS功率管--SVS7N65F/D
SVS7N65F/D N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。
7A,600V DP MOS功率管--SVS7N60D/F
7A,600V DP MOS功率管--SVS7N60D/F
SVS7N60D/F N沟道增强高压功率MOSFET采用士兰微电子DP MOS技术新平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。
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