国硅集成单相半桥高低侧栅极驱动芯片NSG2003
产品分类： 栅极驱动IC
NSG2003 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱
动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。
NSG2003采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电
路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的
CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲
能力和防直通的死区逻辑。NSG2003其浮动通道可用
于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工
作电压可达250V。NSG2003集成有自举二极管，对
高侧进行充电，简化了芯片外围电路。NSG2003采用
SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。
订购热线：18929103949
国硅集成单相半桥高低侧栅极驱动芯片NSG2003
一、概述
NSG2003 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2003采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。NSG2003其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。NSG2003集成有自举二极管，对高侧进行充电，简化了芯片外围电路。NSG2003采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。
二、产品特性
自举工作的浮地通道
最高工作电压为+250V
兼容3.3V, 5V和15V输入逻辑
dVS/dt耐受能力可达±50V/ns
Vs负偏压能力达-9V
栅极驱动电压从10V到20V
防直通死区逻辑
最高工作电压为+250V
兼容3.3V, 5V和15V输入逻辑
dVS/dt耐受能力可达±50V/ns
Vs负偏压能力达-9V
栅极驱动电压从10V到20V
防直通死区逻辑
--死区时间设定520ns
芯片传输延时特性
芯片传输延时特性
--开通/关断传输延时Ton/Toff=160ns/150ns
--延迟匹配时间30ns
宽温度范围-40°C~125°C
输出级拉电流/灌电流能力290mA/600mA
集成自举二极管
符合RoSH标准
SOIC8 (S)
宽温度范围-40°C~125°C
输出级拉电流/灌电流能力290mA/600mA
集成自举二极管
符合RoSH标准
SOIC8 (S)
三、应用
电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器驱动
四、器件信息
五、简化示意图
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销售部电话：0769-81150556
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