PN7001L是一款单通道、高速低侧栅极驱动芯片，该芯片可以作为功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7001L的输出可以提供3.5A拉/灌电流的峰值电流脉冲，且输入信号到输出信号传播延时典型值为2Ons。该芯片的IN+输入管脚兼容5V和3.3V信号控制，具有良好的抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构，高侧导通电阻1.4ohm，低侧导通电阻0.8ohm。[查看]

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PN7213是一款高压、高速MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高低侧输出通道。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，低至3.3V。PN7213为最小驱动器跨导而设计的高脉冲电流缓冲级，芯片内置的延时匹配功能可以更好的适配高频应用。浮地通道可用于驱动高侧的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达1200V。[查看]

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ID7U603是一款基于P衬底P外延工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。其浮动通道驱动器可用于驱动半桥配置中的两个N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，最低可支持3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度地减少驱动器交叉导通。传播延迟经过匹配，便于在高频应用中使用。[查看]

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PN7002是一款具有负压输入过流保护的单通道、高速低侧栅极驱动芯片，该芯片可以作为功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7002的输出可以提供2.6A拉/灌电流的峰值电流，且输入信号到输出信号传播延时典型值为50ns。该芯片的IN输入管脚兼容3.3V，5V和15V信号控制，具有良好的抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构，高侧导通电阻1.4ohm，低侧导通电阻0.8ohm。[查看]

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ID2304D是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下。可用于驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT构成的半桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3.3V。具有大电流输出能力，输入端具有有效电平逻辑互锁功能，能够有效的防止输出功率管共态导通。芯片良好的延时匹配功能可以轻松的适用于高频应用场合。[查看]

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PN7001是一款单通道、高速低侧栅极驱动芯片，该芯片可以作为功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7001的输出可以提供1.5A拉/灌电流的峰值电流脉冲，且输入信号到输出信号传播 延时典型值为2Ons。该芯片的IN输入管脚兼容5V和3.3V信号控制，具有良好的抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构，高侧导通电阻1.4ohm，低侧导通电阻0.8ohm。[查看]

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PN7766是一款双通道、高速低侧栅极驱动芯片，该芯片可以作为大功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7766的输出可以提供高达3A拉电流和3.5A灌电流的峰值电流脉冲，输入管脚INA、INB兼容5V和3.3V信号控制，具有良好的抗干扰性。[查看]

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PN7335是一款三相栅极驱动芯片，它能工作在600V的高压下，可用丁驱动6个N沟道MOSFET或IGBT的三相全桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入也平低至 3.3V。芯片集成过流检测功能，”检测到过流信号时会关断6路驱动输出信号。芯片具有使能功能可同时控制6路输出信号的开关。芯片内置了开-漏极输山的FAULT功能，可用于提示过流 或欠压导致芯片输出关断情况的发生。芯片集成了RCIN输入功能，"芯片发出FAULT信号后，可通过外接的RC网络来复位FAULT信号。芯片具有高脉冲电流输出能力和防直通逻辑保 护功能。芯片内部设计的延时匹配功能可以为高频应用提供很高的信赖性。[查看]

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PN7114是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动芯片，其具有独立的高低侧输出通道。PN7114浮地通道能在600V的高压下工作，可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT构成的半桥拓扑结构。其输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3V。芯片良好的延时匹配功能可以轻松的适用于高频应用场合。[查看]

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PN7902Q是一款隔离式单通道栅极驱动芯片，该芯片可以作为大功率MOSFET、IGBT和SiC的驱动开关。PN7902Q至少提供5A的隔离输出电流，并且具有3A拉电流的米勒钳位功能。输入逻辑控制管脚IN+和IN-能够在3.1V到24V的宽输入电压范围内工作。[查看]

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PN7921是一款隔离式双通道栅极驱动芯片，该芯片可以作为大功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7921每一路提供4A拉电流和8A灌电流的峰值电流，并且具有较小的传播延时和脉冲宽度失真。[查看]

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SGT40N60F2P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第二代场截止(Field Stop II)工艺制作，具有低的导通损耗和开关损耗，正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热UPS，SMPS以及PFC等领域。[查看]

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SGT40N60FD1P7绝缘栅双极型晶体管采用穿通工艺制作,具有低的导通损耗和开关损耗，正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应.用于感应加热UPS，SMPS以及PFC等领域。[查看]

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SGT75T65SDM1P7 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截 止（Field Stop III）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可 应用于 UPS，SMPS 以及 PFC 等领域。[查看]

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SGT25U120FD1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4Plus (Field Stop IV+)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS, SMPS以及PFC等领域。[查看]

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SGT60U65FD1PN(PT)(P7)绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子场截止4 Plus (Field Stop IV+)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗, .该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。[查看]

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SGTP40V120FDB2P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS，SMPS以及PFC等领域。[查看]

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SGT160V65S1PW绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止（Field Stop 5）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于车驱，UPS，SMPS等领域。[查看]

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SGT40N60FD2PN(P7)(PT)绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止( Field Stop II)工艺制作，具有低的导通损耗和开关损耗，正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热UPS,SMPS以及PFC等领域。[查看]

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SGT30T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop II)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS 以及PFC等领域。[查看]

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