PN7001L是一款单通道、高速低侧栅极驱动芯片，该芯片可以作为功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7001L的输出可以提供3.5A拉/灌电流的峰值电流脉冲，且输入信号到输出信号传播延时典型值为2Ons。该芯片的IN+输入管脚兼容5V和3.3V信号控制，具有良好的抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构，高侧导通电阻1.4ohm，低侧导通电阻0.8ohm。[查看]

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PN7213是一款高压、高速MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高低侧输出通道。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，低至3.3V。PN7213为最小驱动器跨导而设计的高脉冲电流缓冲级，芯片内置的延时匹配功能可以更好的适配高频应用。浮地通道可用于驱动高侧的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达1200V。[查看]

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ID7U603是一款基于P衬底P外延工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。其浮动通道驱动器可用于驱动半桥配置中的两个N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，最低可支持3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度地减少驱动器交叉导通。传播延迟经过匹配，便于在高频应用中使用。[查看]

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PN7002是一款具有负压输入过流保护的单通道、高速低侧栅极驱动芯片，该芯片可以作为功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7002的输出可以提供2.6A拉/灌电流的峰值电流，且输入信号到输出信号传播延时典型值为50ns。该芯片的IN输入管脚兼容3.3V，5V和15V信号控制，具有良好的抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构，高侧导通电阻1.4ohm，低侧导通电阻0.8ohm。[查看]

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ID2304D是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下。可用于驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT构成的半桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入电平低至3.3V。具有大电流输出能力，输入端具有有效电平逻辑互锁功能，能够有效的防止输出功率管共态导通。芯片良好的延时匹配功能可以轻松的适用于高频应用场合。[查看]

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PN7001是一款单通道、高速低侧栅极驱动芯片，该芯片可以作为功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7001的输出可以提供1.5A拉/灌电流的峰值电流脉冲，且输入信号到输出信号传播 延时典型值为2Ons。该芯片的IN输入管脚兼容5V和3.3V信号控制，具有良好的抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构，高侧导通电阻1.4ohm，低侧导通电阻0.8ohm。[查看]

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PN7766是一款双通道、高速低侧栅极驱动芯片，该芯片可以作为大功率MOSFET和IGBT的驱动开关。PN7766的输出可以提供高达3A拉电流和3.5A灌电流的峰值电流脉冲，输入管脚INA、INB兼容5V和3.3V信号控制，具有良好的抗干扰性。[查看]

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NSG6060是N型高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧三相栅极驱动芯片，包含三路独立的半桥驱动电路。内部集成了欠压保护和过流保护功能，出现异常时立即关断六通道输出。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。通过连接到RCIN输入的RC网络在外部编程延时后，过电流故障情况自动清除。NSG6060集成有自举二极管，对高侧进行充电，简化了芯片外围电路。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。[查看]

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NSG21363是N型高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧三相栅极驱动芯片，包含三路独立的半桥驱动电路。内部集成了欠压保护和过流保护功能，出现异常时立即关断六通道输出。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。通过连接到RCIN输入的RC网络在外部编程延时后，过电流故障情况自动清除。NSG21363集成有自举二极管，对高侧进行充电，简化了芯片外围电路。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。[查看]

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NSG21281是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。NSG21281采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。NSG21281其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达300V。NSG21281采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG21851是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高侧驱动芯片。内部集成了高侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。[查看]

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NSG2127是一组带过流检测的高电压、高速单通道高 侧MOSFET/IGBT驱动芯片。NSG2127采用高低压兼 容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错 误信号。NSG2127其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达300V。NSG2127采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG2136是N型高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧三相栅极驱动芯片，包含三路独立的半桥驱动电路。内部集成了欠压保护和过流保护功能，出现异常时立即关断六通道输出。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。通过连接到RCIN输入的RC网络在外部编程延时后，过电流故障情况自动清除。NSG2136集成有自举二极管，对高侧进行充电，简化了芯片外围电路。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。[查看]

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PN7335是一款三相栅极驱动芯片，它能工作在600V的高压下，可用丁驱动6个N沟道MOSFET或IGBT的三相全桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入也平低至 3.3V。芯片集成过流检测功能，”检测到过流信号时会关断6路驱动输出信号。芯片具有使能功能可同时控制6路输出信号的开关。芯片内置了开-漏极输山的FAULT功能，可用于提示过流 或欠压导致芯片输出关断情况的发生。芯片集成了RCIN输入功能，"芯片发出FAULT信号后，可通过外接的RC网络来复位FAULT信号。芯片具有高脉冲电流输出能力和防直通逻辑保 护功能。芯片内部设计的延时匹配功能可以为高频应用提供很高的信赖性。[查看]

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NSG44273是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅极驱动芯片。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG44273逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG27531是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位 栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁 棒性的单芯片集成结构。NSG27531逻辑输入电平兼容[查看]

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NSG21814是高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动系列芯片，具有两个独立传输通道，逻辑地与功率地分离，可以更好的减少功率级噪声对逻辑电路的干扰。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V 。 可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。[查看]

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NSG2184 是高压、 高速功率 MOSFET/IGBT 高低侧驱 动系列芯片， 具有单输入信号同时控制两个传输通道。 内部集成了高、 低侧欠压锁定电路、 过压钳位电路、 和防直通锁定电路等保护电路， 具备大电流脉冲输出 能力， 逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平， 输出电流能力最大可达 4A， 其 浮地通道最高工作电压可达 700V。 可用于驱动 N 沟道 高压功率 MOSFET/IGBT 等器件。[查看]

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NSG21271是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。NSG21271采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。NSG21271其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达300V。NSG21271采用SOIC8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。[查看]

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NSG6020是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能 力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。 可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。[查看]

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