国硅集成250V1.2A单相高低侧功率栅极驱动芯片G2022Q

G2022Q是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2022Q采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。G2022Q其浮动通道可用于驱动高压侧N沟...

支持高边和低边驱动，并且高低侧采用同逻辑控制栅极驱动芯片G2021Q

G2021Q是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动 芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2021Q 采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单 芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或 LSTTL 逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防 直通的死区逻辑。G2021Q其浮动通...

国硅集成250V1.2A单相高低侧驱动栅极驱动芯片G2020Q

G2020Q是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。G2020Q采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL 逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。G2020Q其浮动通道可用于驱动高压侧N...

国硅集成双通道超高速功率开关栅极驱动芯片NSG27324Q

NSG27324Q是功率开关系列驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG27324Q在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG27324Q不会受到损坏。NSG27324Q可以接受高达500mA的反...

双通道4A峰值电流低侧栅极驱动IC，DFN8封装，NSG27325Q国产替代UCC27325

NSG27325Q是功率开关系列驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG27325Q在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG27325Q不会受到损坏。NSG27325Q可以接受高达500mA的反...

国硅集成双通道、超高速的低侧栅极驱动芯片NSG4437Q

NSG4437Q是功率开关系列驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG4437Q在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG4437Q不会受到损坏。NSG4437Q可以接受高达500mA的反向电流强...

国硅双通道高速大电流的低侧栅极驱动芯片NSG4428Q

NSG4428Q是功率开关系列驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG4428Q芯片在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG4428Q芯片不会受到损坏。NSG4428Q芯片可以接受高达500mA...

国硅集成一款性价比突出的通用型高速双通道低侧栅极驱动芯片NSG4427Q

NSG4427Q是功率开关系列驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG4427Q在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG4427Q不会受到损坏。NSG4427Q可以接受高达500mA的反向电流强...

国硅集成双通道2A超高速功率开关栅极驱动芯片NSG4426Q

NSG4426Q是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG4426Q在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG4426Q不会受到损坏。NSG4426Q可以接受高达500mA的反向电流强制返...

国硅集成单相半桥高低侧栅极驱动芯片NSG2008

NSG2008是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG2008采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。NSG2008其浮动通道可用于驱动高压...

国硅集成单相半桥高低侧栅极驱动芯片NSG2003

NSG2003 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱 动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。 NSG2003采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电 路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的 CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲 能力和防直通的死区逻辑。NSG2003其...

国硅集成700V高侧栅极驱动芯片NSG2118应用于电机控制

NSG2118 是一款高压、高速功率MOSFET高侧驱动 芯片。NSG2118 逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG2118其浮动通 道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道 最高工作电压可达700V。NSG2118采用SOP8封装， 可以在-40℃...

国硅集成双通道低侧栅极驱动芯片，反相输入，SOP?8 封装-NSG27323

NSG27323是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG27323在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG27323不会受到损坏。NSG27323可以接受高达500mA的反向电流强制返...

国硅集成双通道低侧栅极驱动IC芯片NSG4437

NSG4437是功率开关系列驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。NSG4437在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰（任一极性）时，NSG4437不会受到损坏。NSG4437可以接受高达500mA的反向电流强制返回其...

国硅集成单通道超高速功率开关栅极驱动芯片NSG3100CS

NSG3100C 4A栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低边开关应用驱动中的一个N沟道增强MOSFET。此驱动器可以提供NSG3100C输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态。NSG3100C提供快速MOSFET开关性能，可在高频功率转换器设计中最大限度提高效率。

国硅集成代理商提供2A单通道低侧栅极驱动芯片NSG1415

NSG1415/6是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG1415/6逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在-40℃至125℃温度范围内...

国硅集成4A峰值驱动电流单通道低侧同相的栅极驱动芯片NSG27517

NSG27517是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG27517逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在-40℃至125℃温度范围内工作...

国硅集成单通道低侧栅极驱动芯片NSG3111C适用于电机控制

NSG3111C是一款单通道超高速功率开关驱动器，通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低边开关应用驱动中的一个N沟道增强MOSFET。此驱动器为CMOS逻辑输入。NSG3111C提供快速MOSFET开关性能，可在高频功率转换器设计中最大限度提高效率。

国硅集成650V N+N半桥驱动芯片NSG6388用于电机控制、电源逆变器等产品

NSG6388 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。NSG6388采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。NSG6388其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工...

国硅集成200V、1A高压、高速半桥栅极驱动芯片XJNG2102

XJNG2102是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。XJNG2102采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。XJNG2102其浮动通道可用于驱...