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固定5V输出非隔离交直流转换芯片--PN8007
PN8007集成PFM控制器及650V高可靠性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8007内置650V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8007具有优异的EMI特性。
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非隔离交直流转换芯片--PN8034C
PN8034C集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8034C内置高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8034C的降频调制技术有助于EMI特性。
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650V高性能非隔离交直流辅助芯片--PN8034A
PN8034A集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8034A内置高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8034A的降频调制技术有助于EMI特性。
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基于高压同步整流架构固定5V输出的非隔离交直流转换芯片--AP8505
AP8505基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8505内置500V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外AP8505具有优异的EMI特性。
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集成PFM控制器及500V高可靠性MOSFET--AP8003
AP8003集成PFM控制器及500V高可靠性MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。AP8003内置500V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外AP8003具有优异的EMI特性。
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200V高耐压DC-DC降压型转换器--PN6055
PN6055集成PFM控制器及200V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源,固定输出电压。PN6055内置200V高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN6055的降频调制技术有助于EMI特性。
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高性能非隔离交直流转换芯片--PN8048M
PN8048M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET ,用于外围元器件小功率非隔离开关电源。 PN8048M内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8048M 的降频调制技术有助于EMI特性。
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650V高雪崩能力高性能非隔离交直流转换芯片--PN8046M
PN8046M 集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET ,用于外围元器件的高功率非隔离开关电源。 PN8046M内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8046M的降频调制技术有助于EMI特性。
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+集成PFM控制器宽输出范围非隔离交直流转换芯--PN8038M
PN8038M集成PFM控制器及650V 高雪崩能力智能功率MOSFET ,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8038M内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外PN8038M 的降频调制技术有助于EMI特性。
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外围元器件极精简,宽输出范围非隔离交直流转换芯片-PN8036M
PN8036M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET ,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8036M内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外PN8036M的降频调制技术有助于EMI特性 。
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待机功耗效果高交直流转换芯片--PN8124F
PN8124F芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET,适用于小功率非隔离开关电源。该芯片提供了的智能化保护功能,包括过流保护,过压保护,过载保护,欠压保护,过温保护;降频调制技术有助于EMI特性。该芯片还内置启动模块,保证系统能迅速启动。应用系统的外围元件更加简洁。
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低待机功耗离线式开关电源IC--芯朋微AP8022
AP8022芯片内部集成了脉宽调制控制器和新一代的高可靠性功率MOSFET,适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供的智能化保护功能,包括过流保护,过压保护,欠压保护,过温保护。
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