芯朋微非隔离电源控制芯片--AP8006

AP8006集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率 MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。 AP8006内置高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外AP8006的降频调制技术有助于EMI特性。

完整的智能化保护功能的交直流电源管理芯片--AP8507

AP8507基于高压同步整流架构，集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8507内置500V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外AP8507具有优异的EMI特性。

芯朋微内置500V高压启动与自供电模块电源控制芯片--AP8005A

AP8005A集成PFM控制器及500V高雪崩能力智能功率 MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。 AP8005A内置500V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外AP8005A的降频调制技术有助于EM...

芯朋微代理非隔离电源控制芯片--PN8505A

PN8505A基于高压同步整流架构，集成PFM控制器以及550V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8505A内置550V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8505A具有优异的EMI特性。

固定5V输出的200V高耐压非隔离DC-DC转换器--PN6005

PN6005集成PFM控制器及200V高雪崩能力智能功率 MOSFET，用于外围元器件的小功率非隔离开关电源。 PN6005内置200V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护 功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN6005的降频调制技术有助于EMI特性。

芯朋微一级代理商小功率非隔离开关电源芯片--PN8011

PN8011集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源，输出电压可通过FB电阻调整。PN8011内置800V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8011的...

芯朋微代理5V输出的非隔离电源控制芯片--AP8505M

AP8505M基于高压同步整流架构，集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8505M内置500V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外AP8505M具有优异的EMI特性。

芯朋微固定5V0.15A输出非隔离交直流电源控制芯片--PN8007

PN8007集成PFM控制器及650V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8007内置650V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8007具有优异的EMI特性。

非隔离交直流电源管理芯片--PN8034C

PN8034C集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源管理芯片。PN8034C内置高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8034C的降频调制技术有助于EMI特性。

650V高性能非隔离交直流电源控制芯片--PN8034A

PN8034A集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8034A内置高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8034A的降频调制技术有助于EMI特性。

芯朋微授权代理固定5V输出的非隔离交直流电源控制芯片--AP8505

AP8505基于高压同步整流架构，集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。AP8505内置500V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外AP8505具有优异的EMI特性。

芯朋微非隔离5V0.15A电源控制芯片--AP8003

AP8003集成PFM控制器及500V高可靠性MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。AP8003内置500V高压启动，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外AP8003具有优异的EMI特性。

非隔离200V耐压降压电源管理芯片--PN6055

PN6055集成PFM控制器及200V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源,固定输出电压。PN6055内置200V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN6055的降频调制技术有助于EMI特性。

18V0.6A高性能非隔离电源管理芯片--PN8048M

PN8048M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET ，用于外围元器件小功率非隔离开关电源。 PN8048M内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8048M 的降频调制技术有助于EMI特性。

650V高雪崩能力高性能18V0.5A非隔离电源管理芯片--PN8046M

PN8046M 集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET ，用于外围元器件的高功率非隔离开关电源。 PN8046M内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8046M的降频调制技术有助于EMI特性。

非隔离交直流电源管理芯片--PN8038M

PN8038M集成PFM控制器及650V 高雪崩能力智能功率MOSFET ，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8038M内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8038M 的降频调制技术有助于EMI特性。

非隔离输出18V0.5A小家电电源管理芯片--PM8036M

PN8036M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET ，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。 PN8036M内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8036M的降频调制技术有助于EMI特性 。

芯朋微代理商提供内置800V高压启动宽输出范围非隔离交直流电源管理芯片—PN8016

PN8016集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源， 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8016内置800V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN801...

芯朋微电子12V0.3A非隔离小家电电源管理芯片-PN8034M

PN8034M电源管理芯片集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源， PN8034M 内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8034M的降频调制技术有助于EMI特性...

芯朋微代理商内置650V高压启动模块宽输出非隔离电源管理芯片-PN8044M

PN8044M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件的小功率非隔离开关电源， PN8044M 内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8044M的降频调制技术有助于EMI特性。