650V高雪崩能力智能功率MOSFET--PN8386F

PN8386F集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386F为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（264VAC）小于50mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术清除音频噪声，使得...

原边反馈用于超声波雾化器常用8脚开关电源芯片--PN6795D

PN6795D集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6795D为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431，支持CCM和DCM两种工作模式。内置高压启动电路，可实现芯片空载损（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用准...

外围元器件精简待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器--PN8370P

PN8370P集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8370P为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术清除音频噪声，使得...

200V耐压DC-DC隔离转换芯片--PN6380

PN6380集成准谐振原边控制器及200V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的低直流输入电压隔离电源和电动自行车内置电源。PN6380为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（120VDC）小于150mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术清除音频噪...

零待机模式超低相线电流原边反馈交直流电源管理芯片--PN6367

PN6367集成零待机模式的准谐振原边控制器及典型720V高雪崩能力智能功率MOSFET，适用于高性能、外围元器件精简的智能断路器电源。PN6367为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431，并且PN6367提供可控零待机模式，此时相线电流平均值可小于0.10mA。在恒压模式，输出电压通过FB脚的电阻比例进行...

高精度CC/CV原边反馈交直流转换器--PN8359

PN8359包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。PN8359工作在原边检测和调整模式，可省略光耦和TL431。该芯片提供了自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。内置高压启动电路和极低的...

智能功率MOSFET待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器--PN8366M/H

PN8366集成待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700V, PN8366H 800V)，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。在恒压模...

690V高雪崩能力待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN6370M

PN6370M六级能效集成待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6370M为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ）小于30mW。

六级能效待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器-PN8370M

PN8370M集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ） 小于30mW。

芯朋微待机功耗准谐振原边反馈交直流电源芯片-PN8370

PN8370 5V2.4A/5V2A集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电 器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC ） 小于30mW。

低待机功耗离线式开关电源IC--芯朋微AP8022

AP8022芯片内部集成了脉宽调制控制器和新一代的高可靠性功率MOSFET，适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供的智能化保护功能，包括过流保护，过压保护，欠压保护，过温保护。