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内置启动电路,原边反馈交直流转换器--PN6775H
PN6775H集成待机功耗原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6775H为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于50mW。在恒压模式,采用多模式技术音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调...
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外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源的芯片--PN8395H
PN8395H集成待机功耗准谐振原边控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8395H为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431,支持CCM和DCM两种工作模式。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于50mW。在恒压模式,采用...
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用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源转换器--PN6775
PN6775集成待机功耗原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6775为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于50mW。在恒压模式,采用多模式技术音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调...
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印度市场,内置800V BJT,低成本原边反馈电源芯片--MD70H
MD70H集成低待机功耗准谐振原边控制器及BJT,用于低成本、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源. MD70H为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431.在恒压模式,采用准谐振与多模式技术清除音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可...
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内置700V高雪崩能力智能功率MOSFET--PN6013
PN6013集成待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6013为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于50mW。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术清除音频噪声,使得系统满足...
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待机功耗原边反馈交直流转换器--PN8680M
PN8680M集成待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8680M为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于50mW。在恒压模式,采用多模式技术清除音频噪声,使得系统满足6级能...
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高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET--PN8360P
PN8360P包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。 PN8360P工作在原边检测模式,可省略光耦和TL431。该芯片提供的自恢复保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS电阻开/短路保护等。内置启动电路和芯片...
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650V原边反馈交直流转换器--PN8386P
PN8386P集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386P为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(264VAC)小于50mW。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术清除音频噪声,...
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650V高雪崩能力智能功率MOSFET--PN8386F
PN8386F集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386F为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置启动电路,可实现芯片空载损耗(264VAC)小于50mW。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术清除音频噪声,使得...
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原边反馈用于超声波雾化器使用直流器--PN6795D
PN6795D集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6795D为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431,支持CCM和DCM两种工作模式。内置高压启动电路,可实现芯片空载损(230VAC)小于50mW。在恒压模式,采用准...
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内置BJT六级能效准谐振原边反馈交直流转换器--PN8570
PN8570集成低待机功耗准谐振原边控制器及BJT,用于低成本、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8570为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术清除音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率...
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外围元器件精简待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器--PN8370P
PN8370P集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8370P为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于30mW。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术清除音频噪声,使得...
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待机功耗多模式准谐振原边反馈交直流转换器--PN8395
PN8395集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8395为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431,支持CCM和DCM两种工作模式。内置启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于50mW。在恒压模式,采用准谐振、...
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200V耐压DC-DC隔离转换器--PN6380
PN6380集成准谐振原边控制器及200V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的低直流输入电压隔离电源和电动自行车内置电源。PN6380为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置启动电路,可实现芯片空载损耗(120VDC)小于150mW。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术清除音频噪...
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零待机模式相线电流原边反馈交直流转换器--PN6367
PN6367集成零待机模式的准谐振原边控制器及典型720V高雪崩能力智能功率MOSFET,适用于高性能、外围元器件精简的智能断路器电源。PN6367为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431,并且PN6367提供可控零待机模式,此时相线电流平均值可小于0.10mA。在恒压模式,输出电压通过FB脚的电阻比例进行...
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高精度CC/CV原边反馈交直流转换器--PN8359
PN8359包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。PN8359工作在原边检测和调整模式,可省略光耦和TL431。该芯片提供了自恢复保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。内置高压启动电路和极低的...
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智能功率MOSFET待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器--PN8366M/H
PN8366集成待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700V, PN8366H 800V),用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于30mW。在恒压模...
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