快恢复反并联二极管--BGF15H60SED

- 电磁炉上IGBT--SGT15T120LR1P7
- SGT15T120LR1P7绝缘栅双极型晶体管采用新一代槽栅场截止(Trench Field Stop)工艺制作,具有低的导通损耗和开关损耗,正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热UPS,SMPS以及PFC等领域。

- IGBT晶体管--SGT20T120NPTFDP7
- SGT20N120NPTFDP7绝缘栅双极型晶体管采用新一代槽栅场截止(Trench Field Stop)工艺制作,具有低的导通损耗和开关损耗,正温度系数易于并联应用等特点。该产品可应用于感应加热UPS,SMPS以及PFC等领域。
快恢复反并联二极管--BGF15H60SED
一 概述
IGBT in advanced TrenchFS Technology with soft,fast recovery anti-parallel diode.
IGBT在沟道技术中的应用,快恢复反并联二极管.
二 特征
Low VCEsat(低VCEsat)
Short circuit withstand time 10μs(短路耐受时间10μs)
Designed for operation between 1-20kHZ(设计用于1-20kHZ之间的操作)
Very tight parameter distribution(参数分布紧密)
High ruggedness, temperature stable behavior(高耐用性,温度稳定性能)
三 封装

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