-
-
POWER MOSFET--8N60
The UTC 8N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low o...
-
-
POWER MOSFET--5N60
The UTC 5N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resi...
-
-
POWER MOSFET-- 4N60-C
The UTC 4N60-C is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state re...
-
-
POWER MOSFET--2N70
The UTC 2N70 is a high voltage MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and hi...
-
-
POWER MOSFET--2N60
The UTC 2N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state res...
-
-
POWER MOSFET--1N60
The UTC 1N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance...
-
-
MOSFET场效应晶体管-SVF12N60
SVF12N60T/F/SN沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，H桥PWM马达驱动。
-
-
MOSFET场效应晶体管-SVF10N60
SVF10N60T/F/FG/S/KN沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，H桥PWM马达驱动。
-
-
MOSFET场效应晶体管-SVF8N60
SVF8N60T/FN沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM 马达驱动。
-
-
MOSFET场效应晶体管-SVF7N60
SVF7N60T/F/S/K/MJ N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，H桥PWM马达驱动。
-
-
MOSFET场效应晶体管-SVF4N60
SVF4N60D/F/FG/T/K/M/MJN沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM...
-
-
MOSFET场效应晶体管-SVF2N60
SVF2N60M/MJ/N/F/T/DN 沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达...
-
-
MOSFET场效应晶体管-SVF1N60
SVF1N60AM/MJ/B/D/F/HN 沟道增强型高压功率MO场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压 H桥PWM马达...
推荐产品
推荐资讯
- 2014-07-16 LED时代LED芯片厂和LED企业的转变势在必行
- 2014-09-02 Led控制芯片厂家和led照明企业的发展要素
- 2015-03-13 你我之间的电压力锅的传感器
- 2014-09-12 Led电源芯片led行业的又一“跑路门”
- 2014-09-16 白炽灯的继承者—照明LED驱动芯片LED灯丝灯
- 2017-03-21 宽输出范围非隔离交直流开关电源芯片--—PN8015M
- 2015-11-02 挑战与机遇并存
- 2015-11-11 好的小家电无电源芯片的返修记录
- 2017-02-13 春节过后，我们东莞中铭电子公司全体员工投入到工作中去
- 2025-02-20 芯朋微代理商中铭电子给您推荐PN8213+PN8309P+AP2080-65W-PD快充协议芯片
- 2017-03-06 用于暖气机电源芯片，还你一个温暖的春天
- 2025-04-18 国硅集成电路G2060/NSG2136/NSG4427/NSG6000/NSG21271电机驱动芯片在轻型电动车电机控制器上的应用
- 2017-05-02 集成开关电源的发展简况
- 2015-12-04 单片机芯片的制作过程详述
- 2014-07-01 一致性好的LED驱动IC，中铭电子为您提供专业解决方案
- 2014-03-14 中铭与欧陆通在电源上的合作
- 2015-04-25 想钓到大鱼吗？有钓鱼辅助气压传感器芯片HB203鱼竿，让您钓鱼更得心应手
- 2014-12-11 PWM线性调光IC--电源模块的替代者
- 2016-01-12 电饭锅中的小家电驱动芯片是电饭煲功能控制的集成
- 2017-10-20 单片机应用系统硬件设计问题处理
中铭电子产品分类
联系中铭
全国咨询热线：18929103949
销售电话：0769-81150556
工程电话：0769-85638990
传真：0769-83351643
地址：东莞市矮岭冚村沿河东街8号