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抗干扰能力高智能功率模块--BIPN60015C
抗干扰能力高智能功率模块--BIPN60015C
BIPN60015C是比亚迪公司设计开发的智能功率模块(IPM-Intelligent Power Module)。该产品具有封装小、抗干扰能力强等优点;实现了与绝缘栅双极型晶体管( IGBT)的匹配。内部集成了欠压闭锁电路、过流保护电路和驱动电路,进一步提高了系统的可靠性。内置的集成电路(HVIC)提供了无...
600V/15A小封装智能功率模块--BIP60015G
600V/15A小封装智能功率模块--BIP60015G
BIP60015G是比亚迪设计开发的600V/15A小封装智能功率模块(IPM-Intelligent Power Module)。该产品有功耗小、封装小、抗干扰能力强等优点。与绝缘栅双极型晶体管(IGBT)相匹配,内部集成了自举二极管、欠压闭锁电路、过流保护电路和IGBT驱动电路,进一步丰富了模块功能,提高...
采用IGBT芯片和FRD芯片的功率模块--BG200B12UY4-I
采用IGBT芯片和FRD芯片的功率模块--BG200B12UY4-I
BYD IGBT功率模块BG200B12UY4-I采用IGBT芯片和FRD芯片的电气连接,具有开关特性和高短路耐量。
具有开关特性和高短路耐量功率模块--BG150B12UY4-I
具有开关特性和高短路耐量功率模块--BG150B12UY4-I
BYD IGBT功率模块BG150B12UY4-I采用IGBT芯片和FRD芯片的电气连接,具有开关特性和高短路耐量。
FRD芯片并优化电气连接功率模块--BG150B12UX2S-I
FRD芯片并优化电气连接功率模块--BG150B12UX2S-I
BYD IGBT功率模块BG150B12UX2S-I采用IGBT及FRD芯片并优化电气连接,具有开关特性和高短路耐量。
采用IGBT芯片/FWD和改进的连接方式--BG100B12UY3-I
采用IGBT芯片/FWD和改进的连接方式--BG100B12UY3-I
比亚迪IGBT功率模块BG100B12UY3-I提供开关特性及高短路能力,采用IGBT芯片/FWD和改进的连接方式。
开关特性和高短路能力IGBT--BG100B12UX3-I
开关特性和高短路能力IGBT--BG100B12UX3-I
比亚迪IGBT功率模块BG100B12UX3-I提供开关特性及高短路能力,采用IGBT芯片/FWD和改进的连接方式。
低开关损耗及高短路能力IGBT功率模块--BG50B12UX3-I
低开关损耗及高短路能力IGBT功率模块--BG50B12UX3-I
比亚迪IGBT功率模块BG50B12UX3-I提供低开关损耗及高短路能力,采用IGBT芯片/FWD和改进的连接方式。
采用IGBT及FRD芯片功率模块--BG150B12UX4-I
采用IGBT及FRD芯片功率模块--BG150B12UX4-I
BYD IGBT功率模块BG150B12UX4-I采用IGBT及FRD芯片并优化电气连接,具有开关特性和高短路耐量。
650V Trench FS技术反并联软快恢复二极管--BGN50T65SD
650V Trench FS技术反并联软快恢复二极管--BGN50T65SD
IGBT in advancedTrenchFS Technology with soft,fast recovery anti-parallel diode.具有Trench FS技术的IGBT反并联软快恢复二极管.
IGBT反并联软快恢复二极管--BGN40T65SD
IGBT反并联软快恢复二极管--BGN40T65SD
IGBT in advanced TrenchFS Technology with soft,fast recovery anti-parallel diode.具有Trench FS 技术的 IGBT 反并联软快恢复二极管.
具有FS技术的IGBT反并联软快恢复二极管--BGN40Q120SD
具有FS技术的IGBT反并联软快恢复二极管--BGN40Q120SD
IGBT in advanced FS Technology with soft,fast recovery anti-parallel diode 具有FS技术的IGBT反并联软快恢复二极管.
具有FS技术IGBT--BGN40Q120K
具有FS技术IGBT--BGN40Q120K
本产品符合AEC-Q101标准要求,IGBT in advanced FS Technology 具有FS技术IGBT。
反并联软快恢复二极管--BGN30T65SD
反并联软快恢复二极管--BGN30T65SD
IGBT in advanced TrenchFS Technology with soft,fast recovery anti-parallel diode. 具有Trench FS技术的IGBT反并联软快恢复二极管.
快恢复反并联二极管--BGF15H60SED
快恢复反并联二极管--BGF15H60SED
IGBT in advanced TrenchFS Technology with soft,fast recovery anti-parallel diode.IGBT在沟道技术中的应用,快恢复反并联二极管.
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