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内置LVIC、HVIC,具有欠压、过流保护智能功率模块--BIP60015G

产品分类: IGBT
    BIP60015G是比亚迪设计开发的600V/15A小封装智能功率模块(IPM-Intelligent Power Module)。该产品有功耗小、封装小、抗干扰能力强等优点。与绝缘栅双极型晶体管(IGBT)相匹配,内部集成了自举二极管、欠压闭锁电路、过流保护电路和IGBT驱动电路,进一步丰富了模块功能,提高了系统的可靠性和稳定性。采用了分立的负端子,可使外围电路独立监测逆变器的每一相电流,使用更灵活。
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    具有低功耗睡眠模式、外部限流可调的两通道直流马达驱动芯片--PN7707
    具有低功耗睡眠模式、外部限流可调的两通道直流马达驱动芯片--PN7707
    PN7707是一款具有低功耗睡眠模式的两通道直流马达驱动芯片,其可以控制马达进入正转、反转、刹车、滑行和功耗睡眠模式。该芯片集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护和外部可调节驱动限流等功能,并且可以将错误状态反馈给MCU,保障马达工作。该芯片的两个输入管脚IN1和IN2兼容5V和3.3V信号控制,具有抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构,高侧导通电阻0.3ohm,低侧导通电阻0.3ohm。
    功耗睡眠模式的四通道直流马达驱动芯片--PN7719
    功耗睡眠模式的四通道直流马达驱动芯片--PN7719
    PN7719是一款具有功耗睡眠模式的四通道直流马达驱动芯片,其可以控制马达进入正转、反转和功耗睡眠模式。该芯片集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护等功能。该芯片的两个输入管脚IN1和IN2兼容5V和3.3V信号控制,具有抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构,高侧导通电阻0.6ohm,低侧导通电阻0.4ohm。
    基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片--PN7103
    基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片--PN7103
    PN7103 是一款基于 P衬底、P外延的高压、高速功率 MOSFET和 IGBT驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下,可用于驱动 2个N型功率 MOSFET或 IGBT组成的半桥结构。该芯片逻辑输入电平兼容 3.3V的CMOS或 LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力。传输延时具有匹配性,以简化在高频下的应用。

          内置LVIC、HVIC,具有欠压、过流保护智能功率模块--BIP60015G

       

      一 概述

      BIP60015G是比亚迪设计开发的600V/15A小封装智能功率模块(IPM-Intelligent Power Module)。该产品有功耗小、封装小、抗干扰能力强等优点。与绝缘栅双极型晶体管(IGBT)相匹配,内部集成了自举二极管、欠压闭锁电路、过流保护电路和IGBT驱动电路,进一步丰富了模块功能,提高了系统的可靠性和稳定性。采用了分立的负端子,可使外围电路独立监测逆变器的每一相电流,使用更灵活。

      BIP60015G可直接替换Mitsubishi的PSS1592F6,PS219C4,及FUJI的6MBP15XSF060.

       

      二 特性

      *内置LVIC、HVIC,具有欠压、过流保护
      *内置自举电路,模块可单电源工作
      *分立的三相直流负端,可独立检测线电流
      *绝缘等级为1500Vrms/min

       

      三 应用

      *小功率变频器
      *空调、洗衣机等家用电器
      *智能缝纫机控制器
      *100~240V交流电源供电的小功率交流电动机
      *传动系统使用的三相逆变器

       

      四 封装

      *封装:BIP25-3824

       

       

      五 应用电路图

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      具有低功耗睡眠模式、外部限流可调的两通道直流马达驱动芯片--PN7707
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      PN7707是一款具有低功耗睡眠模式的两通道直流马达驱动芯片,其可以控制马达进入正转、反转、刹车、滑行和功耗睡眠模式。该芯片集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护和外部可调节驱动限流等功能,并且可以将错误状态反馈给MCU,保障马达工作。该芯片的两个输入管脚IN1和IN2兼容5V和3.3V信号控制,具有抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构,高侧导通电阻0.3ohm,低侧导通电阻0.3ohm。
      功耗睡眠模式的四通道直流马达驱动芯片--PN7719
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      PN7719是一款具有功耗睡眠模式的四通道直流马达驱动芯片,其可以控制马达进入正转、反转和功耗睡眠模式。该芯片集成了欠压保护、过温保护、输出短路保护等功能。该芯片的两个输入管脚IN1和IN2兼容5V和3.3V信号控制,具有抗干扰性。芯片驱动级为HVCMOS结构,高侧导通电阻0.6ohm,低侧导通电阻0.4ohm。
      基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片--PN7103
      基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片--PN7103
      PN7103 是一款基于 P衬底、P外延的高压、高速功率 MOSFET和 IGBT驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下,可用于驱动 2个N型功率 MOSFET或 IGBT组成的半桥结构。该芯片逻辑输入电平兼容 3.3V的CMOS或 LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力。传输延时具有匹配性,以简化在高频下的应用。

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