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650V高雪崩能力高性能非隔离交直流转换芯片--PN8046M

产品分类: 非隔离开关电源芯片
    PN8046M 集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET ,用于外围元器件的高功率非隔离开关电源。 PN8046M内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8046M的降频调制技术有助于EMI特性。
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    自供电模块,内置800V高压启动交直流转换芯片--PN8177
    自供电模块,内置800V高压启动交直流转换芯片--PN8177
    PN8177集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8177内置800V高压启动与自供电模块,实现系统启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8177的降频调制技术有助于EMI特性。
    低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045
    低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045
    PN8045集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极较简的小功率非隔离开关电源。PN8045内置高压启动模块,实现系统启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8045的降频调制技术有助于EMI特性。
    外围元器较简,小功率非隔离开关电源--AP8506
    外围元器较简,小功率非隔离开关电源--AP8506
    AP8506基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及650V可靠性MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。AP8506内置650V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外AP8506具有优异的EMI特性。

           高性能非隔离交直流转换芯片--PN8046M

      一 概述

      PN8046M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件精简的高功率非隔离开关电源。

      PN8046M内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8046M的降频调制技术有助于EMI特性。
       
       
      二 特性
      ■ 内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
      ■ 内置高压启动电路
      ■ 优化适用于18V输出非隔离应用
      ■ 半封闭式稳态输出功率9W@230VAC
      ■ EMI的降频调制技术
      ■ 优异的负载调整率和工作效率
      ■ 全面的保护功能
      * 过载保护(OLP)
      * 过温保护(OTP)
      * 欠压保护(UVLO)
       
       
      三 应用
       
      ■ 非隔离辅助电源
       
       
      四 封装
       
      五 应用电路图
       

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      自供电模块,内置800V高压启动交直流转换芯片--PN8177
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      PN8177集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8177内置800V高压启动与自供电模块,实现系统启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8177的降频调制技术有助于EMI特性。
      低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045
      低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045
      PN8045集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极较简的小功率非隔离开关电源。PN8045内置高压启动模块,实现系统启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8045的降频调制技术有助于EMI特性。
      外围元器较简,小功率非隔离开关电源--AP8506
      外围元器较简,小功率非隔离开关电源--AP8506
      AP8506基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及650V可靠性MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。AP8506内置650V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外AP8506具有优异的EMI特性。

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