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内置电压降极低的功率MOSFET的高性能同步整流器--PN8306M

产品分类: 同步整流芯片
    PN8306M包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306M内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度。
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    低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器--PN6710H
    低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器--PN6710H
    PN6710H集成低待机功耗准谐振原边控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6710H为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于75mW。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术音频噪声,使得系统满足6级能效 标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。 该芯片提供了智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护,同时还集成AC电压过压保护和欠压保护功能,可通过系统分压电阻调节。
    自供电模块的交直流转换开关电源芯片--PN8175
    自供电模块的交直流转换开关电源芯片--PN8175
    PN8175集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。 PN8175内置800V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护 功能,包括过流保护,过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8175的降频调制技术有助于EMI特性。
    自供电模块,内置800V高压启动交直流转换芯片--PN8177
    自供电模块,内置800V高压启动交直流转换芯片--PN8177
    PN8177集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8177内置800V高压启动与自供电模块,实现系统启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8177的降频调制技术有助于EMI特性。

               内置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306M

      概述

        PN8306M包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306M内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度。

        PN8306M处于开关工作模式,只适用于DCMQR工作模式的开关电源系统。当芯片检测到Vsw<-400Mv,控制器驱动功率MOSFET开启;当芯片检测到Vsw>-10mV时,控制器驱动功率MOSFET关闭。该芯片提供了极为全面的辅助功能,包含输出欠压保护、输出过压钳位等功能。

       

      特性

       *内置15mΩ 40V Trench MOSFET

       *适用于DCMQR工作模式

      *高精度次级电流检测电路

      *优异全面的辅助功能

          **欠压保护

           **过压钳位 

       

       

      应用领域

          * 5V电池充电器及适配器

       

       

      封装/订购信息

       

      应用电路图

       

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      低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器--PN6710H
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      PN6710H集成低待机功耗准谐振原边控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6710H为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于75mW。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术音频噪声,使得系统满足6级能效 标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。 该芯片提供了智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护,同时还集成AC电压过压保护和欠压保护功能,可通过系统分压电阻调节。
      自供电模块的交直流转换开关电源芯片--PN8175
      自供电模块的交直流转换开关电源芯片--PN8175
      PN8175集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。 PN8175内置800V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护 功能,包括过流保护,过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8175的降频调制技术有助于EMI特性。
      自供电模块,内置800V高压启动交直流转换芯片--PN8177
      自供电模块,内置800V高压启动交直流转换芯片--PN8177
      PN8177集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8177内置800V高压启动与自供电模块,实现系统启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8177的降频调制技术有助于EMI特性。

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