AP5056是一个完整的单片锂离子电池恒流/恒压线性电源管理芯片，其SOP/MSOP 封装和较少的外围元件非常适合应用于便携式产品，而且 AP5056专门设计适用于USB的供电规格。基于内部MOSFET结构，不需要外部感应电阻和隔离二极管，当外部环境温度过高或在大功率工作时，热反馈可以调节充电电流以降低芯片温度。充电电压被固定在4.2V，充电电流可通过外部电阻设置。当充电电流在达到浮充电压之后降至设定值 1/10 时，AP5056 将自动终止充电循环。 当输入端（适配器或USB电源）拔掉后，AP5056自动进入低电流状态，电池漏电流将降到2μA以下。 AP5056还可被设置于停机状态，使电源电流降到50μA。 其余特性包括：电池温度监测，欠压锁闭，自动再充电和两个状态引脚以显示充电和充电终止。[查看]

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The NCE3010S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.[查看]

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The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification.[查看]

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AP8504基于高ya同步整流架构，集成PFM控制器以及650V高可靠性MOSFET，用于外围元器件的小功率非隔离开关电源。AP8504内置650V高ya启动，实现系统迅速启动、低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外AP8504具有EMI特性。[查看]

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PN8162内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET，用于高的性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全和性能良好的保护功能，包括输出过压保护、逐周期过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了低的待机功耗、全电压范围下的效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。[查看]

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PN6710H集成低待机功耗准谐振原边控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6710H为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于75mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术音频噪声，使得系统满足6级能效 标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。 该芯片提供了智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护，同时还集成AC电压过压保护和欠压保护功能，可通过系统分压电阻调节。[查看]

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PN8173集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件的交直流转换开关电源。 PN8173内置800V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护 功能，包括过流保护，过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8173的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]

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PN8175集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。 PN8175内置800V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护 功能，包括过流保护，过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8175的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]

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AP5057是一个单片锂离子电池恒流/恒压线性电源管理芯片，其SOP封装和较少的外围元件适合应用于便携式产品，而且AP5057设计适用于USB的供电规格。基于内部MOSFET结构，不需要外部感应电阻和隔离二极管，当外部环境温度过高或在大功率工作时，热反馈可以调节充电电流以降低芯片温度。充电电压被固定在4.2V，充电电流可通过外部电阻设置。当充电电流在达到浮充电压之后设定值1/10 时，AP5057 将自动停止充电循环。[查看]

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PN8008集成PFM控制器及650V高可靠性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源.PN8008内置650V高压启动，实现系统启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8008具有优异的EMI特性。[查看]

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PN8390集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率 MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置 电源。PN8390为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431，支持CCM和DCM两种工作模式。内置高压启动电路，可实现系统空载待机损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用准谐振、多模式技术共同音频噪声，使得系统满足6级能效标准，而特有频率抖 动技术可实现较好的 EMI特性；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了智能保护功能，包含 逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等，同时还集成AC电压欠压保护功能，可通过FB分压电 阻调节。[查看]

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PN8161内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET，用于性能高、外围元器件较简的交直流转换开关电源。该芯片提供了保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了待机功耗、电压范围下的效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。[查看]

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PN8611集成待机功耗原边控制器、FB下偏电阻和电容、VDD供电二极管、CS电阻及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于性能高、外围元器件较简的充电器、适配器和内置电源。PN8611为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术消 除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，内置输出线补偿功能使系统获得较好的负载调整率。该芯片提供了智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护和输出短路保护等。[查看]

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AP5056是一个单片锂离子电池恒流/恒压线性电源管理芯片，其 SOP/MSOP封装和较少的外围元件适合应用于便携式产品，而且 AP5056专门设计适用于USB的供电规格。基于内部MOSFET结构，不需要外部感应电阻和隔离二极管，当外部环境温度过高或在大功率工作时，热反馈可以调节充电电流以降低芯片温度。充电电压被固定4.2V，充电电流可通过外部电阻设置。当充电电流在达到浮充电压之后降到设定值1/10时，AP5056将自动停止充电循环。[查看]

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PN8043集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN8043内置高压启动模块，实现系统启动、待机功能。该芯片提供保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8043的降频调制技术有助于EMI特性。(注：可替代进口品牌OB,替代型号：OB2228,封装：SOP,替换说明：兼容，不改PCB,不改外围参数，稳态18V 450mA@220V)[查看]

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PN8177集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8177内置800V高压启动与自供电模块，实现系统启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过流保护，过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8177的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]

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PN8024A芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET，适用于小功率反激原边反馈开关电源。该芯片提供了智能化保护功能，包括过流保护，过压保护，过载保护，欠压保护，过温保护；降频调制技术有助于EMI特性。该芯片还内置启动模块，保证系统能迅速启动。应用系统的外围元件更加简洁。[查看]

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PN8347Q内置高精度的准谐振恒流控制器和功率MOSFET，用于高可靠、外围元器件较简的中小功率LED照明。该芯片搭建反激系统可省略光耦、TL431；采用的恒流控制专利技术可节省变压器辅助绕组，内置启动电路省去了外部的启动电阻。该芯片提供了较的自恢复保护功能，包含逐周期过流保护、开环保护、过温调节、Rcs开路保护和LED开/短路保护等。准谐振的控制技术、内置启动电路和芯片功耗有助于获取较高的工作效率。在恒流模式下，输出电流可通过CS脚的Rcs电阻进行调节。[查看]

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PN8370F集成待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于性能高、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8370F为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。[查看]

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PN8045集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN8045内置启动模块，实现系统启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8045的降频调制技术有助于EMI特性。[查看]

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