非隔离辅助电源,待机功耗交直流转换芯片--GDMP18
- 同步整流架构固定5V输出的非隔离交直流转换芯片--AP8504
- AP8504基于高ya同步整流架构,集成PFM控制器以及650V高可靠性MOSFET,用于外围元器件的小功率非隔离开关电源。AP8504内置650V高ya启动,实现系统迅速启动、低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外AP8504具有EMI特性。
- 外围元器件精简,非隔离交直流转换芯片--PN8043
- PN8043集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN8043内置高压启动模块,实现系统启动、待机功能。该芯片提供保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8043的降频调制技术有助于EMI特性。(注:可替代进口品牌OB,替代型号:OB2228,封装:SOP,替换说明:兼容,不改PCB,不改外围参数,稳态18V 450mA@220V)
- 自供电模块,内置800V高压启动交直流转换芯片--PN8177
- PN8177集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8177内置800V高压启动与自供电模块,实现系统启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8177的降频调制技术有助于EMI特性。
非隔离辅助电源,低待机功耗效率高交直流转换芯片--GDMP18
一 概述
GDMP18芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET,适用于小功率非隔离开关电源。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,过压保护,欠压保护,过温保护;降频调制技术有助于EMI特性。该芯片还内置启动模块,保证系统能迅.速启动。应用系统的外围元件更加简洁。
二 特性
适用于18V输出非隔离应用
■满足85~265V宽AC输入工作电压
■改.善EMI的降频调制技术
■内置启动电路
半封闭式稳态输出功率>9W@230VAC
■优.异的负载调整率和工作效率
■较全的保护功能
过流保护(OCP)
过温保护(OTP)
过压保护(OVP)
三 应用
*非隔离辅助电源
四 封装
五 应用电路图
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- 同步整流架构固定5V输出的非隔离交直流转换芯片--AP8504
- AP8504基于高ya同步整流架构,集成PFM控制器以及650V高可靠性MOSFET,用于外围元器件的小功率非隔离开关电源。AP8504内置650V高ya启动,实现系统迅速启动、低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外AP8504具有EMI特性。
- 外围元器件精简,非隔离交直流转换芯片--PN8043
- PN8043集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。PN8043内置高压启动模块,实现系统启动、待机功能。该芯片提供保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8043的降频调制技术有助于EMI特性。(注:可替代进口品牌OB,替代型号:OB2228,封装:SOP,替换说明:兼容,不改PCB,不改外围参数,稳态18V 450mA@220V)
- 自供电模块,内置800V高压启动交直流转换芯片--PN8177
- PN8177集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8177内置800V高压启动与自供电模块,实现系统启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8177的降频调制技术有助于EMI特性。
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