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半桥驱动芯片-PN7103

产品分类: 电机驱动芯片
    PN7103是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片,其浮地通道能工作在600V的高压下,可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT组成半桥结构,该芯片逻辑输入电平兼容3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力,传输延时具有匹配性,以简化在高频下的应用。
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      半桥驱动芯片

       

      型号:PN7103 

      一、概述

       

      PN7103是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片,其浮地通道能工作在600V的高压下,可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT组成半桥结构,该芯片逻辑输入电平兼容3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力,传输延时具有匹配性,以简化在高频下的应用。

       

      二、特性

       

        ◆ 高压范围达+600V

        ◆ 3.3V逻辑兼容

        ◆ 抗dv/dt能力+-50V/nsec

        ◆ 自举工作的浮地通道

        ◆ 栅驱动电压范围10V-20V

        ◆ 低侧欠压保护(UVLO)功能

        ◆ 输出拉灌电流能力300mA/600mA

        ◆ 独立的逻辑输出以适应所有的拓扑结构

        ◆ 抗-5V瞬态负VS能力

        ◆ 高低侧通道均延时匹配

       

      三、应用领域

       

        ◆ 中小型功率电机驱动

        ◆ 功率MOSFET或IGBT

        ◆ 半桥功率逆变器

          全桥功率逆变器

         

      四、封装

       

       

      五、典型电路图

       

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