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半桥驱动芯片-PN7103
PN7103是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片,其浮地通道能工作在600V的高压下,可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT组成半桥结构,该芯片逻辑输入电平兼容3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力,传输延时具有匹配性,以简化在高频下的应用。[查看]
http://www.zm699.com/Products/bqqdxppn71.html3星
三相半桥驱动芯片-PN7136
PN7136是一款具有三相独立输出的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片,其浮地通道能工作在600V的高压下,可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT结构。该芯片逻辑输入电平兼容3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。该芯片可以通过外部电流感应电阻传送信号对六个输出进行关断,实现过流保护功能。使能端可以同时关断六个输出通道。FAULT端信号用于提示过流或者欠压情况的发生,过流信号的自动清除时间可以通过外部可编程的RC延时网络提供。输出具有大电流脉冲能力。传输延时具有匹配性,以简化在高频下的应用。[查看]
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