士兰微代理商30A、600V绝缘栅双极型晶体管SGT30T60SDM1P7-IGBT模块

SGT30T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop II)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS 以及PFC等领域。

士兰微代理商20、600V绝缘栅双极型晶体管SGT20T60SDM1P7-IGBT模块

SGT20T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(FieldStop)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。

士兰微代理商15A、600V绝缘栅双极型晶体管SGT15T60SD1T/F/S-IGBT模块

SGT15T60SD1T/F/S绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop 1)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS，电机应用以及PFC等领域。

士兰微代理商10A、600V绝缘栅双极型晶体管SGT10T60SDM1P7-IGBT单管

SGT10T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field StoplII)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及电机类应用等领域。

士兰微70A、650V晶体管SGT70N65FD1P7-IGBT模块

SGT70N65FD1P7绝缘栅双极型晶体管采用场截止(Field Stop) 工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。

士兰微70A、650V晶体管SGT70N65FDM1P7-IGBT模块

SGT70N65FDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用场截止(Field Stop )工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。.

士兰微SGT60N60FD1 PN/P7/PS/PT-IGBT功率模块

SGT60N60FD1PN/P7/PS/PT绝缘栅双极型晶体管采用场截止( FieldStop)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。

士兰微代理商绝缘栅双极型晶体管IGBT-SGTP5T60SD1D/F/S

SGTP5T60SD1D/F/S绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。

士兰微代理40A、1200V绝缘栅双极型晶体管IGBT-SGTQ40T120SDB2P7

SGTQ40T120SDB2P7 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第四代槽栅场截止（Trench Field Stop IV）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS，SMPS 以及 PFC 等领域。

10A、650V N沟道增强型场效应管--SVF10N65T/F/K/S

SVF10N65T/F/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。

7A、650V N沟道增强型场效应管--SVF7N65T/F/K/S

SVF4N65T/F/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。

5A、600V N沟道增强型场效应管--SVF5N60T/F/D/MJ/K

SVF5N60T/F/D/MJ/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。

4A、650V N沟道增强型场效应管--SVF4N65T/F/M/MJ/D/K

SVF4N65T/F/M/MJ/D/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。

3A、800V N沟道增强型场效应管--SVF3N80M/MJ/F/D

SVF3N80M/MJ/F/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。

12A、650V N沟道增强型场效应管--SVF12N65T/F/K/S

SVF12N65T/F/K/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。