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3A、800V N沟道增强型场效应管--SVF3N80M/MJ/F/D

产品分类: mos管
    SVF3N80M/MJ/F/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。
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    10A肖特基势垒二极管--S1062AE
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    45V 15A肖特基二极管芯片
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    GDM229045MA是采用硅外延工艺制造的肖特基二极管芯片,损耗功率小,效率高,高ESD能力,高抗浪涌电流能力,具有瞬态反应保护能力的保护环结构,广泛应用于太阳能电池保护电路等各类电子线路中。
    20A、100V肖特基整流管--SBD20C100T/F
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    SBD20C100T/F是采用硅外延工艺制作而成的肖特基整流二极管,广泛应用于开关电源、保护电路等各类电子线路中。

       

      3A800V N沟道增强型场效应管

       

       

      型号:SVF3N80M/MJ/F/D

       

       

       

      一、描述

       

      SVF3N80M/MJ/F/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

      该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器,高压HPWM马达驱动。

       

      二、特点

       

        3A800VRDS(on)(典型值)=3.8Ω@VGS=10V     

        低栅极电荷量

        低反向传输电容

        开关速度快 

        提升了 dv/dt 能力

       

      三、最大参数

       

       

       SVF3N80F 最大参数

       

      四、封装

       

       

      SVF3N80F 封装

       

       

       

       

       

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