FM33FR0是基于ARM Cortex-M0+的低功耗MCU，支持最大384KB程序flash、8KB数据flash和最大32KB RAM；集成12bit SAR-ADC，最大14通道按键触摸控制器，LCD/LED段码驱动，比较器等丰富外设；具备超宽工作电压范围和优异的低功耗性能。[查看]

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宽电压范围：2.2~5.5V 工作温度范围：-40℃~+105℃ 处理器内核 ARMCortex-M0 支持用户/特权模式 支持中断向量表重映射 最高主频48MHz SWD调试接口 24bit Systick定时器[查看]

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PN523B集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN523B内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，过温保护。另外PN523B的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN8031集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8031内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。 该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8031的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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AP2931是一款高效率同步降压稳压器，在7V～40V宽输入范围内可提供0.7A输出电流。AP2931的输出电压为固定5V，开关频率为230kHz。AP2931内部集成了低导通电阻的主功率管和同 步功率管，既降低了导通阻抗又省掉了外部肖特基二极管。此外，内置补偿架构不需要使用外置RC补偿电路，固定输出方式无需外部分压电阻，进一步减少了外围元器件的使用。所以 AP2931非常适合于精简外围元件、单层PCB布局需求的应用。特别设计的EMI优化电路架构非常适合有安规认证的应用场合。完整的保护特性包括过流保护，过温保护，短路保护以及欠压锁定保护等。AP2931采用SOT23-6L封装，可节约布局空间。[查看]

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PN7335是一款三相栅极驱动芯片，它能工作在600V的高压下，可用丁驱动6个N沟道MOSFET或IGBT的三相全桥拓扑结构。输入信号可以兼容CMOS和LSTTL信号，逻辑输入也平低至 3.3V。芯片集成过流检测功能，”检测到过流信号时会关断6路驱动输出信号。芯片具有使能功能可同时控制6路输出信号的开关。芯片内置了开-漏极输山的FAULT功能，可用于提示过流 或欠压导致芯片输出关断情况的发生。芯片集成了RCIN输入功能，"芯片发出FAULT信号后，可通过外接的RC网络来复位FAULT信号。芯片具有高脉冲电流输出能力和防直通逻辑保 护功能。芯片内部设计的延时匹配功能可以为高频应用提供很高的信赖性。[查看]

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PN8736集成了脉冲宽度调制（PWM）控制器与功率MOSFET，是一款专为高性能离线转换器设计的芯片，仅需极少的外部元器件即可工作。 PN8736具备完备的保护功能与自动恢复特性，包括逐周期电流限制（可调节占空比）、过载保护（OLP）、过温保护（OTP）、过压保护（OVP）及软启动功能。它支持打嗝模式（Hi-mode）、谷底模式（Eco-mode）和突发模式（Burst mode），可显著降低待机功耗，满足能效标准要求，并通过频率调制实现更优的电磁干扰（EMI）性能。 该芯片内置高压启动电路，采用前沿的平台工艺，非常适合充电器、适配器及开放式开关电源等应用场景。[查看]

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PN3744集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN3744内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN3744的降频调制技术有助于改善EMI特性。[查看]

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PN3746集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用丁外围元器件极精简的小功率作隔离开关电源，PN3746内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN3746的降频调制技术有叫于改善EMI特性。[查看]

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PN555M集成PFM控制器及650V高信赖性MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN555M内置650V高压启动，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN555M具有优异的EMI特性。[查看]

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PN3734集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用丁外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN3734内置高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN3734的降频调制技术有助丁改善EMI特性。[查看]

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PN8295W是一款面向高效率隔离型DC-DC开关电源设计的电压模式高压半桥谐振控制器，适用于通信电源、工业电源模块等高功率密度应用场景。芯片集成650V高压半桥驱动模块，通过输出相 位差180°且脉宽相等的两路驱动信号，配合固定死区时间设计，可实现高频工作条件下的零电压软开关（ZVS）。[查看]

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PN8141内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。[查看]

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PN8782内部集成了电流模式控制器和高压启动模块以及高性能GaNFET，专用于高性能的快速充电开关电源。PN8782根据输入电压、输出电压和负载自适应切换QR-LockMode、PFM和BurstMode，多模式调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了全负载范围内的高效率和低待机功耗，同时避免了开关变换器进入CCM模式工作，降低次级整流管的电压应力。[查看]

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AP8262C是一款高性能电流模式PWM开关电源控制器，适用于固定频率电流模式控制架构的离线开关电源和DC-DC开关电源应用。芯片内部电路集成了基准电压源、频率外部设 置的振荡器、高增益的误差放大器、用于提供逐周期电流限制的PWM比较器、大电流图腾柱式输出驱动，以及芯片的输入电压和参考电压的锁存逻辑。AP8262C启动电流低于0.1mA，静态工作电流低于3mA。工作频率可达500kHz。内置VDD箝位电路，同时芯片集成逐周期过流保护、和欠压锁定保护。[查看]

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BF7613BMXXP-SJLX采用高速8051内核，1T指令周期，相比于标准的8051(12T)指令周期，具有更快的运行速度，同时兼容标准8051指令。[查看]

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BF7613BMXXP-SJLX采用高速8051内核，1T指令周期，相比于标准的8051(12T)指令周期，具有更快的运行速度，同时兼容标准8051指令。BF7613BMXXP-SJLX包含外设有看门狗、LED 串行点阵驱动、电容触摸按键检测、IIC、UART、低电压检测、掉电复位、3路16-bit PWM、Timer0、Timer1、Timer2、12bit高精度逐次逼近ADC、低功耗管理等。[查看]

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PN8080是内置高压低导通电阻MOSFET的开关稳压器。在单个IC中集成了功率开关、控制逻辑和保护电路。可以用于多种开关稳压应用（例如：副边反馈反激开关电源和正激开关电源》。该转换器非常适用于48V通信电源辅源、POE电源的主电源。PN8080最高可稳定带载6W。[查看]

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