SGT50T65SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop I)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。[查看]

http://www.zm699.com/Products/slwdls50a6.html

SGT10T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field StoplII)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及电机类应用等领域。[查看]

http://www.zm699.com/Products/slwdls10a6.html

SGT15T60SD1T/F/S绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop 1)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS，电机应用以及PFC等领域。[查看]

http://www.zm699.com/Products/slwdls15a6.html

SGT20T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(FieldStop)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。[查看]

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The series of devices use advanced trench gate superjunction technology and design to provide excellent RDS(ON)with low gate charge. This super junction MOSFET fits theindustry’s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DCpower conversion, and industrial power applications[查看]

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SGT60N60FD1PN/P7/PS/PT绝缘栅双极型晶体管采用场截止( FieldStop)工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。[查看]

http://www.zm699.com/Products/slwsgt60n6.html

SGT70N65FDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用场截止(Field Stop )工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。.[查看]

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SGT70N65FD1P7绝缘栅双极型晶体管采用场截止(Field Stop) 工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。[查看]

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SVSP24N60FJD(T)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET 采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为.此外，SVSP24N60FJD(T)D2 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。[查看]

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SVSP20N60FJD(K)(T)(PN)(S)(P7)D2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导.损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVSP20N60FJD(K)(T)(PN)(S)(P7)D2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。[查看]

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PN8280是- -款功率因数校正(PFC)控制器，可与后级DC-DC通讯实现启动时序和系统的保护。[查看]

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BF7611AMXX-SJLX采用高速8051内核，1T指令周期，相比于标准的8051(12T)指令周期，具有更快的运行速度，同时兼容标准8051指令。[查看]

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IP6832是一款高集成度，支持WPC Qi标准的无线充电接收SOC芯片。芯片内部集成高效全桥同步整流电路，实现AC-DC转换。[查看]

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BF7611AMXX-SJLX采用高速8051内核，1T指令周期，相比于标准的8051(12T)指令周期，具有更快的运行速度，同时兼容标准8051指令。BF7611AMXX-SJLX包含外设有看门狗、电容 触摸按键检测、IIC、UART、低电压检测、掉电复位、1路12bit PWM、Timer0、Timer1、12bit高精度逐次逼近ADC、低功耗管理等。BF7611AMXX-SJLX 集成多路电容检测通道，可 以用于近距离感应或者触摸检测。各通道可灵活配置实现按键、滚轮、滑条等多种应用，并且每个通道都能通过对相应的功能寄存器来调节触摸灵敏度。[查看]

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IP2369是一款集成AFC/FCP/PD2.0/PD3.0/PD3.1 等输入输出快充协议和同步升降压转换器的锂电池充放电管理芯片，充放电功率高达45W；IP2369的高集成度与丰富功能，内部集成 BUCK-BOOST升降压功率NMOS，只需一个电感实现同步降升压功能，在应用时仅需极少的外围器件，有效减小整体方案的尺寸，降低BOM成本。[查看]

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PN6360H集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件精简的非隔离开关电源，输出电压可通过FB电阻调整，PN6360H内置高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。[查看]

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IP2262是一款集成多种用于USB Type-C输出端口的快充协议IC。支持多种快充协议，包括USB Type-C PD2.0/PD3.1 DFP。IP2262支持定制系统功率，可以自动识别外部电阻值来 配置系统功率。支持多重异常保护。[查看]

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IP2263是一款集成多种用于USB Type-C输出端口的快充协议IC。支持多种快充协议，包括USB Type-C PD2.0/PD3.1 DFP, HVDCP QC3+/QC3.0/QC2.0（Quick Charge），FCP（Hisilicon? Fast Charge Protocol），SCP （Super Fast Charge），AFC（Samsung? Adaptive Fast Charge），Apple 2.4A，BC1.2 以及三星 2.0A。IP2263 支持自动识别系统功率控制，可以自动识别外部电阻值来配置系统功率。支持多重异常保护。IP2263集成驱动光耦调压，可通过直接驱动前端光耦的方式来实现调压。IP2263具备高集成度和丰富的功能，应用方案外围器件最少化，有效减小整体方案的尺寸和复杂度，降低BOM成本，为适配器、车充等单向输出应用提供快充解决方案[查看]

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SVSP60R090P7(L)(FJD)(T)(S)HD4 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVSP60R090P7(L)(FJD)(T)(S)HD4 应用广泛。如适用于硬/软开关拓扑。[查看]

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