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外围元器较简,小功率非隔离开关电源--AP8506

产品分类: 非隔离开关电源芯片
    AP8506基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及650V可靠性MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。AP8506内置650V高压启动,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外AP8506具有优异的EMI特性。
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    自供电模块,内置800V高压启动交直流转换芯片--PN8177
    自供电模块,内置800V高压启动交直流转换芯片--PN8177
    PN8177集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8177内置800V高压启动与自供电模块,实现系统启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8177的降频调制技术有助于EMI特性。
    低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045
    低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045
    PN8045集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极较简的小功率非隔离开关电源。PN8045内置高压启动模块,实现系统启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8045的降频调制技术有助于EMI特性。
    实现系统快速启动、待机功能交直流转换芯片--AP8006
    实现系统快速启动、待机功能交直流转换芯片--AP8006
    AP8006集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率 MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。 AP8006内置高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外AP8006的降频调制技术有助于EMI特性。

      外围元器较简,小功率非隔离开关电源--AP8506

       

      一 概述

      AP8506基于高压同步整流架构,集成PFM控制器以及650V高可靠性MOSFET,用于外围元器件较简的小功率非隔离开关电源。AP8506内置650V启动,实现系统启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外AP8506具有良好的EMI特性。

       

      二 特性

      ■内置650V高可靠性MOSFET
      ■先进的同步整流架构
      ■内置高压启动
      ■适用于Buck、Buck-Boost架构
      ■输出电压固定为5V
      ■半封闭式稳态输出电流能力250mA@230VAC
      ■改善EMI的降频调制技术
      ■良好的负载调整率和工作效率
      ■较全的保护功能
      *过流保护(OCP)
      *欠压保护(UVLO)
      *过温保护(OTP)
       

      三 应用

      ■非隔离辅助电源
      ■家电
      ■智能家居


      四 封装

       

      五 应用电路图

       

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      自供电模块,内置800V高压启动交直流转换芯片--PN8177
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      PN8177集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。PN8177内置800V高压启动与自供电模块,实现系统启动、待机、自供电功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过流保护,过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8177的降频调制技术有助于EMI特性。
      低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045
      低待机功能,非隔离交直流转换芯片--PN8045
      PN8045集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极较简的小功率非隔离开关电源。PN8045内置高压启动模块,实现系统启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8045的降频调制技术有助于EMI特性。
      实现系统快速启动、待机功能交直流转换芯片--AP8006
      实现系统快速启动、待机功能交直流转换芯片--AP8006
      AP8006集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率 MOSFET,用于外围元器件精简的小功率非隔离开关电源。 AP8006内置高压启动模块,实现系统快速启动、待机功能。该芯片提供了智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外AP8006的降频调制技术有助于EMI特性。

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