内置智能高压启动模块交直流转换芯片--PN6649H
- 无锡芯朋微深圳代理原厂反馈电源管理芯片--PN6780H
- PN6780H集成待机功耗原边控制器及750V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6780H为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。
- 芯朋微授权代理6W超低待机功耗电源控制芯片--PN6775
- PN6775集成待机功耗原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6775为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。
内置智能高压启动模块交直流转换芯片--PN6649H
一 概述
PN6649H内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和特殊器件低功耗结构技术实现了的待机功耗、电压范围下的效率。良好的EMI表现由频率调制技术和Soft Driver技术充分保证。该芯片还内置智能高压启动模块。PN6649H为需要待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个的实现平台，非常适合六级能效标准、Eur2.0、能源之星的应用。
二 特性
*内置800V高雪崩能力的功率MOSFET
*Hi-mode（60kHz PWM）
*Eco-mode（动态PFM）
*Burst-mode（25kHz间歇工作模式）
*EMI的频率调制技术
*空载待机功耗<75mW@230VAC
*软启动技术
*内置启动电路
*内置线电压补偿和斜坡补偿
*输出功率30W@90~265VAC开放式
*优异全面的保护功能
--过温保护（OTP）
--过载保护（OLP）
--外部电阻可调式周期过流保护（OCP）
--过压保护（OVP）
--CS短路保护
三 应用
*家电主控电源
四 封装
五 应用电路图
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- 芯朋微授权代理6W超低待机功耗电源控制芯片--PN6775
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