内置智能高压启动模块交直流转换芯片--PN6649H
- 低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器--PN6710H
- PN6710H集成低待机功耗准谐振原边控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN6710H为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于75mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术音频噪声，使得系统满足6级能效 标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。 该芯片提供了智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护，同时还集成AC电压过压保护和欠压保护功能，可通过系统分压电阻调节。
- 反激效率高交直流转换芯片--PN8024A
- PN8024A芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET，适用于小功率反激原边反馈开关电源。该芯片提供了智能化保护功能，包括过流保护，过压保护，过载保护，欠压保护，过温保护；降频调制技术有助于EMI特性。该芯片还内置启动模块，保证系统能迅速启动。应用系统的外围元件更加简洁。
- 内置BJT六级能效交直流转换器--PN8571
- PN8571集成低待机功耗准谐振原边控制器及BJT，用于低成本、外围元器件的充电器、适配器和内置电源。PN8571为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。
内置智能高压启动模块交直流转换芯片--PN6649H
一 概述
PN6649H内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和特殊器件低功耗结构技术实现了的待机功耗、电压范围下的效率。良好的EMI表现由频率调制技术和Soft Driver技术充分保证。该芯片还内置智能高压启动模块。PN6649H为需要待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个的实现平台，非常适合六级能效标准、Eur2.0、能源之星的应用。
二 特性
*内置800V高雪崩能力的功率MOSFET
*Hi-mode（60kHz PWM）
*Eco-mode（动态PFM）
*Burst-mode（25kHz间歇工作模式）
*EMI的频率调制技术
*空载待机功耗<75mW@230VAC
*软启动技术
*内置启动电路
*内置线电压补偿和斜坡补偿
*输出功率30W@90~265VAC开放式
*优异全面的保护功能
--过温保护（OTP）
--过载保护（OLP）
--外部电阻可调式周期过流保护（OCP）
--过压保护（OVP）
--CS短路保护
三 应用
*家电主控电源
四 封装
五 应用电路图
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- PN8024A芯片内部集成了脉宽调制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET，适用于小功率反激原边反馈开关电源。该芯片提供了智能化保护功能，包括过流保护，过压保护，过载保护，欠压保护，过温保护；降频调制技术有助于EMI特性。该芯片还内置启动模块，保证系统能迅速启动。应用系统的外围元件更加简洁。
- 内置BJT六级能效交直流转换器--PN8571
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